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HMS-3300高溫霍爾效應(yīng)測試儀

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱韋氏納米系統(tǒng)(深圳)有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)代理商
  • 更新時間2018/10/22 14:47:27
  • 訪問次數(shù)567
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First-Nano System GmbH 

  • 2003年          創(chuàng)立于德國德累斯頓工業(yè)大學(xué)(Dresden University of Technology)

  • 2008年          香港成立德國韋氏納米系統(tǒng)(香港)有限公司   

  • 2015年          上海成立德國韋氏納米系統(tǒng)(香港)有限公司中國代表處,負責(zé)中國區(qū)業(yè)務(wù)

  • 2018年          深圳正式成立韋氏納米系統(tǒng)(深圳)有限公司,更好的為中國南方區(qū)市場

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產(chǎn)品范圍:

薄膜沉積/Thin Film Deposition 
E-Beam and Thermal Evaporation, PECVD, PLD, DLC, DC & RF Sputtering, Ion Beam Sputtering
刻蝕/Etching
RIE, DRIE, ICP, Ion Beam Milling, RIBE, Plasma, ALE
薄膜制程/Growth
ALD, PA-MOCVD, CNT, Graphene
表面處理/Surface Treatment
Ion Beam, PIII, Plasma Cleaner, RTP
清洗/Cleaning
- Dry: Ion Beam, Plasma Cleaner
- Wet: Megasonic, 杜邦EKC清洗液

 

光學(xué)透鏡和儀器,實驗室器具,專用儀器儀表,電化學(xué)設(shè)備和部件
用于測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)、導(dǎo)電類型等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,因此霍爾效應(yīng)測試儀是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性*的工具。
ECOPIA公司的HMS系列霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng)主要由恒電流源、范德堡法則終端轉(zhuǎn)換器、低溫(77K)測量系統(tǒng)及磁場強度輸入系統(tǒng)組成,擁有研究半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng)所有的部件和配置,是一套非常成熟的儀器系統(tǒng)
HMS-3300高溫霍爾效應(yīng)測試儀 產(chǎn)品信息

霍爾效應(yīng)測試儀主要用于測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)、導(dǎo)電類型等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,因此霍爾效應(yīng)測試儀是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性*的工具。

ECOPIA公司的HMS系列霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng)主要由恒電流源、范德堡法則終端轉(zhuǎn)換器、低溫(77K)測量系統(tǒng)及磁場強度輸入系統(tǒng)組成,擁有研究半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng)所有的部件和配置,是一套非常成熟的儀器系統(tǒng)。同時HMS系列儀器獲得多項霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng)、測量方法,代表了霍爾效應(yīng)測量的品質(zhì)及合理的產(chǎn)品價格,并為客戶所認可。該產(chǎn)品20047月通過CE認證。

 

 

產(chǎn)品特點:

1、 可靠的精度及重現(xiàn)性
恒電流源(1nA~20mA)采用六級電流范圍設(shè)置,將可以接收的誤差降到低;范德堡法則轉(zhuǎn)換使用非接觸裝置有效降低儀器噪聲;軟硬件有針對性的設(shè)計,確保每個實驗數(shù)據(jù)均為多次測試的平均值,使儀器擁有非常好的數(shù)據(jù)重現(xiàn)性。
2、 產(chǎn)品小型化及操作簡單化
小尺寸的磁場強度輸入系統(tǒng)使用永磁體和液氮低溫測量系統(tǒng)(77K),確保儀器操作非常簡單;兩種不同尺寸的傳統(tǒng)樣品板(20*20mm、6*6mm)及帶彈簧夾片的樣品板(SPCB),使得不同尺寸不同材料的薄膜樣品更容易測量,區(qū)別于傳統(tǒng)樣品板的彈簧夾片樣品板使得霍爾電極制作更方便且對樣品損傷更小。
3、 I-V曲線及I-R曲線測量
采用圖表的方式,測量探針?biāo)狞c(A、B、CD)間電流-電壓及電流-電阻關(guān)系,并以此評判樣品的歐姆接觸好壞、了解樣品的基本的電學(xué)特性。
4、 多樣的實驗結(jié)果
實驗結(jié)果由軟件自動計算得到,可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)、電阻的縱橫比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。

產(chǎn)品規(guī)格:

1、 主要儀器參數(shù)
輸入電流:1nA ~ 20mA;

電阻率:10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm;

載流子濃度:10exp7 ~ 10exp21 cm-3;

遷移率:1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec;

磁場強度:0.37T, 0.55T,  1T, 0.25~1T變場磁體;

樣品測量板:PCB樣品板,SPCB彈簧樣品板,晶圓樣品板等;

樣品尺寸:5mmX5mm  ~ 20mmX20mm (可選配30mm或2inch大樣品板);

測量溫度:常溫,77K液氮??;

2、 軟件操作環(huán)境
XP / Win7 / Win8 / Win10環(huán)境下
3、 實驗結(jié)果
體載流子濃度、表面載流子濃度;
遷移率;

霍爾系數(shù);
電阻率,方塊電阻;
磁致電阻;
電阻的縱橫比率;
4、 儀器尺寸和重量
主機尺寸:360×300×105 mm (W×H×D) 磁體Kit尺寸:200×120×110 mm (W×H×D);
凈重:7.7千克;
5、 測量材料
Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半導(dǎo)體薄膜(P型和N);

 

產(chǎn)品組成:

主機(精密恒電流源+范德堡法則終端轉(zhuǎn)換器) / 磁體包(包括樣品板) / 軟件等。

15168338725
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