反滲透純水設(shè)備短期保存適用于停運(yùn)15d以下的系統(tǒng)，可采用每1～3d低壓沖洗的方法來保護(hù)反滲透設(shè)備。實踐發(fā)現(xiàn)，水溫20℃以上時，反滲透設(shè)備中的水存放3d就會發(fā)臭變質(zhì)，有大量細(xì)菌繁殖。因此，建議水溫高于20℃時，每2d或1d低壓沖洗一次，水溫低于20℃時，可以每3d低壓沖洗一次，每次沖洗完后需關(guān)閉凈水設(shè)備反滲透裝置上所有進(jìn)出口閥門。

*停用保護(hù)適用于停運(yùn)15d以上的系統(tǒng)，這時必須用保護(hù)液（殺菌劑）充入凈水設(shè)備反滲透裝置進(jìn)行保護(hù)。常用殺菌劑配方（復(fù)合膜）為甲醛10（質(zhì)量分?jǐn)?shù)）、異噻唑啉酮20mg/L、亞硫酸氫鈉1（質(zhì)量分?jǐn)?shù)）。

在正常運(yùn)行條件下，反滲透膜也可能被無機(jī)物垢、膠體、微生物、金屬氧化物等污染，這些物質(zhì)沉積在膜表面上會引起凈水設(shè)備反滲透裝置出力下降或脫鹽率下降、壓差升高，甚至對膜造成不可恢復(fù)的損傷，因此，為了恢復(fù)良好的透水和除鹽性能，需要對膜進(jìn)行化學(xué)清洗。

反滲透純水設(shè)備

R/O裝置為了溶解固體形物的濃縮排放和淡水的利用，為防止?jié)馑颂貏e是RO裝置后一根膜組件濃水側(cè)出現(xiàn)CaCO3,MgCO3,MgSO4,CaSO4,BaSO4,SrSO4,SiSO4的濃度積大于其平衡溶解度常數(shù)而結(jié)晶析出，損壞膜原件的應(yīng)有特性，在進(jìn)入反滲透膜組件之前，應(yīng)使用離子軟化裝置或投放適量的阻垢劑阻止碳酸鹽，SiO2，硫酸鹽的晶體析出.

采用精密過濾器對進(jìn)水中殘留的懸浮物、非曲直粒物及膠體等物質(zhì)去除，使RO系統(tǒng)等后續(xù)設(shè)備運(yùn)行更安全、更可靠。濾芯為5um熔噴濾芯，目的是把上級過濾單元漏掉的大于5um的雜質(zhì)除去。防止其進(jìn)入損壞膜的表面，從而損壞膜的脫鹽性能。

是用足夠的壓力使溶液中的溶劑（一般是水）通過反滲透膜（或稱半透膜）而分離出來，因為這個過程和自然滲透的方向相反，因此稱為反滲透。反滲透法能適應(yīng)各類含鹽量的原水，尤其是在高含鹽量的水處理工程中，能獲得很好的技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益。反滲透法的脫鹽率提高，回收率高，運(yùn)行穩(wěn)定，占地面積小，操作簡便，反滲透設(shè)備在除鹽的同時，也將大部分細(xì)菌、膠體及大分子量的有機(jī)物去除。

主要用途

⒈制取電子工業(yè)生產(chǎn)如顯像管玻殼、顯像管、液晶顯示器、線路板、計算機(jī)硬盤、集成電路?芯片、單晶硅半導(dǎo)體等工藝所需的純水、高純水；