0.075級高精度單晶硅壓力變送器是英普瑞儀表采用*的單晶硅壓力傳感器技術與封裝工藝，精心研制出的一款技術的高性能壓力變送器。單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠離介質(zhì)接觸面，實現(xiàn)機械隔離和熱隔離；玻璃燒結一體的傳感器引線實現(xiàn)了與金屬基體的高強度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護的能力。這些*的單晶硅壓力傳感器封裝技術確保了單晶硅壓力變送器可從容應對復雜的化學場合和機械負荷，同時具備強大的抗電磁干擾能力，足以應對苛刻的工業(yè)環(huán)境應用，是名副其實的隱形儀表。
工作原理：單晶硅傳感器模塊采用全焊接技術，內(nèi)部擁有一個整體化的過載膜片，一個壓力傳感器和一個溫度傳感器。溫度傳感器作為溫度補償?shù)膮⒖贾?。壓力傳感器的正壓?cè)與傳感器膜盒的高壓腔相連，傳感器的負壓側(cè)與傳感器膜盒的低壓腔相連，壓力通過隔離膜片和填充液，傳遞給傳感器內(nèi)的硅芯片，使壓力傳感器的芯片的阻值發(fā)生變化，從而導致檢測系統(tǒng)輸出電壓變化。該輸出電壓與壓力變化成正比，再由適配單元和放大器轉(zhuǎn)化成一標準化信號輸出。
YPR3851D智能單晶硅壓力變送器優(yōu)勢:
一、高準確度
壓力，差壓（流量）變送器在 -100pa~60MPa
的測量范圍內(nèi)，可進行高準確度測量。 標準校驗量程精度：±0.075％
二、微小量程下優(yōu)異的過壓性能
40kPa 標準量程芯片過壓達 25MPa
三、優(yōu)異的環(huán)境適應性 智能靜壓補償和溫度補償，保護變送器 不受溫度、靜壓與過壓的影響，將現(xiàn)場 的綜合測量誤差控制到zui小
四、靈活的量程壓縮
M1,M2 量程比：40:1
M3 量程比：40:1
M4 量程比：100:1
E、優(yōu)異的操作性和使用便利性
?備有 5 位帶背光 LCD 數(shù)字顯示器
?多 種 顯 示 功 能 (mA、Pa、kPa、 MPa、bar、mbar、％、psi、mmH2o）
?內(nèi)置三按鍵快捷操作就地調(diào)整功能
?備有各種抗腐蝕材料
?全面自診斷功能
特征
測量范圍: -0.1 MPa - 60MPa
輸出信號: 4-20mA,4~20mA/HART
參考精度: 0.2% URL
介質(zhì)溫度: -40-120℃,
測量介質(zhì)：液體、氣體或蒸汽
電源: 4~20mA兩線制,電源: 10.5-55vdc
4~20mA+HART 兩線制,電源: 16.5-55vdc
膜片材質(zhì)：316L不銹鋼，哈氏合金C
年穩(wěn)定性: ±0.2% URL/5年
過程連接: M20*1.5(M), 1/2-14NPT(F), 1/4-18NPT(F)
防護等級: IP67
認證: 防爆認證
技術參數(shù)：
測量介質(zhì) | 液體、氣體或蒸汽 | ||
測量范圍 | 量程代碼 | 量程范圍（KPa） | 測量范圍（KPa） |
B | 0.6～6 | -6～6 | |
C | 2～40 | -40～40 | |
D | 2.5～250 | -100～250 | |
F | 30～3000 | 0～3000 | |
G | 0.1～10MPa | -0.1～10MPa | |
H | 0.21～21MPa | -0.1～21MPa | |
I | 0.4～40MPa | -0.1～40MPa | |
輸出信號 | 二線制，4～20mADC HART PROFIBUS-PA | ||
電 源 | 24VDC（正常工作電壓范圍12～36VDC） | ||
防爆標志 | 隔爆型：ExdⅡCT6，本安型：ExiaⅡCT6 | ||
防護等級 | IP67 | ||
量程比 | 100：1 | ||
精度等級 | 0.075級、0.1級 | ||
穩(wěn)定性 | 0.075級：36個月誤差為大量程的±0.2% | ||
0.1級：36個月誤差為大量程的±0.25% | |||
0.075級高精度單晶硅壓力變送器應用:
1、石油 / 石化 / 化工 與節(jié)流裝置配套，提供精確的流量測量 和控制。精確測量管道和貯罐的壓力和 液位。
2、電力 / 城市煤氣 / 其它公司事業(yè) 要求高穩(wěn)定和高精度的壓力、流量、液 位測量等場所。
3、紙漿和造紙 用于要求耐化學液體、耐腐蝕性液體的 壓力、流量、液位測量場所。
4、鋼鐵 / 有色金屬 / 陶瓷 用于爐膛壓力、負壓測量等要求高穩(wěn)定 性，高精度測量場所。
5、機械裝備 / 造船 用于在嚴格控制壓力、流量、液位等指 標條件下，要求穩(wěn)定測量的場所。
江蘇英普瑞儀表科技有限公司采用世界上*的單晶硅壓力傳感器技術與封裝工藝，精心研制出的一款*技術的高性能壓力變送器。單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠離介質(zhì)接觸面，實現(xiàn)機械隔離和熱隔離；玻璃燒結一體的傳感器引線實現(xiàn)了與金屬基體的高強度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護的能力。這些*的單晶硅壓力傳感器封裝技術確保了單晶硅壓力變送器可從容應對的化學場合和機械負荷，同時具備*的抗電磁干擾能力，足以應對較為苛刻的工業(yè)環(huán)境應用。
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