低噪聲設(shè)備噪聲系數(shù)很低的放大器。一般用作各類接收機(jī)的高頻或中頻前置放大器，以及高靈敏度電子探測(cè)設(shè)備的放大電路。在放大微弱信號(hào)的場(chǎng)合，放大器自身的噪聲對(duì)信號(hào)的干擾可能很嚴(yán)重，因此希望減小這種噪聲，以提高輸出的信噪比。由放大器所引起的信噪比惡化程度通常用噪聲系數(shù)F來(lái)表示。理想放大器的噪聲系數(shù) F=1（0分貝），其物理意義是輸入信噪比等于輸出信噪比?，F(xiàn)代的低噪聲放大器大多采用晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管；微波低噪聲放大器則采用變?nèi)荻O管參量放大器，常溫 參放的噪聲 溫度Te可低于幾十度(溫度)，致冷參量放大器可達(dá)20K以下，砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管低噪聲微波放大器的應(yīng)用已日益廣泛，其噪聲系數(shù)可低于 2 分貝。放大器的噪聲系數(shù)還與晶體管的工作狀態(tài)以及信源內(nèi)阻有關(guān)。為了兼顧低噪聲和高增益的要求，常采用共發(fā)射極一共基極基聯(lián)的低噪聲放大電路。晶體管的自身噪聲由下列四部分組成。①閃爍噪聲，其功率譜密度隨頻率f的降低而增加，因此也叫作1/f噪聲或低頻噪聲。頻率很低時(shí)這種噪聲較大，頻率較高時(shí)（幾百赫以上）這種噪聲可以忽略。②基極電阻rb'b的熱噪聲和。③散粒

噪聲，這兩種噪聲的功率譜密度基本上與頻率無(wú)關(guān)。④分配噪聲，其強(qiáng)度與f的平方成正比，當(dāng)f高于晶體管的截止頻率時(shí),這種噪聲急劇增加。圖1是晶體管噪聲系數(shù)F隨頻率變化的曲線。對(duì)于低頻，特別是超低頻低噪聲放大器,應(yīng)選用1/f噪聲小的晶體管；對(duì)于中、高頻放大，則應(yīng)盡量選用高的晶體管，使其工作頻率范圍位于噪聲系數(shù)-頻率曲線的平坦部分，低噪聲設(shè)備