SDD檢測(cè)器屬高純硅檢測(cè)器，分辨率可跟Si-Li檢測(cè)器差不多，并且不需要液氮制冷，但穩(wěn)定性不夠好。是在高純n型硅片的射線入射面制備一大面積均勻的pn突變結(jié)，在另外一面的*制備一個(gè)點(diǎn)狀的n型陽極，在陽極的周圍是許多同心的p型漂移電極。在工作時(shí)，器件兩面的pn結(jié)加上反向電壓，從而在器件體內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)勢(shì)阱（對(duì)電子）。在漂移電極上加一個(gè)電位差會(huì)在器件內(nèi)產(chǎn)生一橫向電場(chǎng)，它將使勢(shì)阱彎曲從而迫使入射輻射產(chǎn)生的信號(hào)電子在電場(chǎng)作用下先向陽極漂移，到達(dá)陽極（讀出電極）附近才產(chǎn)生信號(hào)。硅漂移探測(cè)器的陽極很小因而電容很小，同時(shí)它的漏電流也很小，所以用電荷靈敏前置放大器可低噪聲、快速地讀出電子信號(hào)。是Si-PIN檢測(cè)器的換代產(chǎn)品。
環(huán)保ROHS六項(xiàng)分析儀
元素分析范圍從硫（S）到鈾（U）
分析檢出限可達(dá)1ppm
分析含量一般為1ppm到99.99％
任意多個(gè)可選擇的分析和識(shí)別模型
相互獨(dú)立的基體效應(yīng)校正模型
多變量非線性回歸程序
多次測(cè)量重復(fù)性可達(dá)0.1％（含量96％以上）
*工作穩(wěn)定性為0.1％（含量96％以上）
溫度適應(yīng)范圍為15℃至30℃
電源：交流220V±5V建議配置交流凈化穩(wěn)壓電源
能量分辨率：160±5eV
環(huán)保ROHS六項(xiàng)分析儀將以“RoHS設(shè)備”的姿態(tài)，不斷探究世界分析領(lǐng)域的。為客戶提供更加的產(chǎn)品和更加滿意的服務(wù)，同時(shí)為電子、電器、珠寶、玩具、食品、建材、冶金、地礦、塑料、石油、化工、醫(yī)藥等眾多行業(yè)提供更為完善的行業(yè)整體解決方案，從而推動(dòng)中國經(jīng)濟(jì)快速化。
