系統(tǒng)概述
華科智源IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試儀替代品 IGBT是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中的主流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,其開(kāi)關(guān)特性決定裝置的開(kāi)關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性,直接影響變換器的性能。因此準(zhǔn)確測(cè)量功率開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)性能具有極其重要的實(shí)際意義。
華科智源IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試儀替代品,該系統(tǒng)是針對(duì)IGBT器件的開(kāi)關(guān)性特性及IGBT內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的一套全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),適用于電流不超過(guò)1500A和集電極電壓不超過(guò)3500V的IGBT器件開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試以及正向電流不超過(guò)2000A的二極管反向恢復(fù)特性的測(cè)試。
基礎(chǔ)規(guī)格
規(guī) 格:1800×800×800(mm)
質(zhì) 量:155Kg
環(huán)境溫度:15~40℃
相對(duì)濕度:小于80%
大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa
電網(wǎng)電壓:AC220V±10%無(wú)嚴(yán)重諧波
電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz
參數(shù)/條件
IGBT開(kāi)通特性測(cè)試 | IGBT關(guān)斷特性測(cè)試 | 測(cè)試氣動(dòng)夾具 | |||
測(cè)試參數(shù) | 開(kāi)通延遲 tdon | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 關(guān)斷時(shí)間tdoff | 10-1000ns±5%±10ns | 壓力: 5000PA的品牌空壓機(jī)供氣。 控溫范圍: 25℃-200℃ 控溫精度: ±1.0℃±1% 器件接觸: 20個(gè)探針的接觸矩陣 |
上升時(shí)間 tr | 10-1000ns±5%±10ns | 下降時(shí)間tf | 10-1000ns±5%±10ns | ||
開(kāi)通能量 Eon | 關(guān)斷能量Eoff | 10-1000ns±5%±10ns | |||
測(cè)試條件 | 集電極電壓Vce | 50-3500V±5% 根據(jù)用戶(hù)要求定制 | 集電極電壓Vce | 50-3500V±5% 根據(jù)用戶(hù)要求定制 | |
集電極電流Ice | 50-1500V±5% | 集電極電流Ice | 50-1500V±5% | ||
負(fù)載L | 20-1000uH | L負(fù)載 | 20-1000uH | ||
柵極電壓Vge | ±15V±3%±0.2V | ||||
短路測(cè)試Sct | 一次短路 / 脈寬10uS / 短路電流10KA | ||||
二極管反向恢復(fù)測(cè)試Drr | 反向恢復(fù)電流 / 反向時(shí)間 / 反向di / dt |