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環(huán)保APP正式上線

華科智源IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試儀替代品

參考價(jià) 200
訂貨量 ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱(chēng)深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)ITC57300
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2020/11/5 11:11:36
  • 訪問(wèn)次數(shù)944
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   深圳市華科智源科技有限公司,是一家專(zhuān)業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),坐落于改革開(kāi)放之都-中國(guó)深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀,MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,在線式檢修用IGBT測(cè)試儀,變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀,IGBT模塊測(cè)試儀,軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等;
    華夏神州,科技興國(guó),智能創(chuàng)新,源遠(yuǎn)流長(zhǎng);華科智源公司 核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國(guó)內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專(zhuān)家等技術(shù)人才組建,致力于中國(guó)功率半導(dǎo)體事業(yè),積極響應(yīng)國(guó)家提出的中國(guó)制造2025戰(zhàn)略,投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
    深圳華科智源科技有限公司-,功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商,2025中國(guó)制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來(lái)料選型。

首件檢測(cè)儀,首件檢測(cè)系統(tǒng),SMT智能首件檢測(cè)儀,首樣檢測(cè),首板確認(rèn)
測(cè)量范圍 igbt mos bjt 測(cè)量精度 Vcesat Vgeth lces lges
外形尺寸 500(寬)x 450(深)x 250(高)cm;mm 用途 檢修地鐵 汽車(chē)
重量 30kg
華科智源IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試儀替代品該系統(tǒng)是針對(duì)IGBT器件的開(kāi)關(guān)性特性及IGBT內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的一套全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),適用于電流不超過(guò)1600A和集電極電壓不超過(guò)5000V的IGBT器件開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試以及正向電流不超過(guò)1600A的二極管反向恢復(fù)特性的測(cè)試
華科智源IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試儀替代品 產(chǎn)品信息

系統(tǒng)概述

華科智源IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試儀替代品 IGBT是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中的主流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,其開(kāi)關(guān)特性決定裝置的開(kāi)關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性,直接影響變換器的性能。因此準(zhǔn)確測(cè)量功率開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)性能具有極其重要的實(shí)際意義。

華科智源IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試儀替代品,該系統(tǒng)是針對(duì)IGBT器件的開(kāi)關(guān)性特性及IGBT內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的一套全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),適用于電流不超過(guò)1500A和集電極電壓不超過(guò)3500V的IGBT器件開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試以及正向電流不超過(guò)2000A的二極管反向恢復(fù)特性的測(cè)試。

基礎(chǔ)規(guī)格

規(guī)    格:1800×800×800(mm)

質(zhì)    量:155Kg

環(huán)境溫度:15~40℃

相對(duì)濕度:小于80%

大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa

電網(wǎng)電壓:AC220V±10%無(wú)嚴(yán)重諧波

電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz

參數(shù)/條件

 

IGBT開(kāi)通特性測(cè)試

IGBT關(guān)斷特性測(cè)試

測(cè)試氣動(dòng)夾具

測(cè)試參數(shù)

開(kāi)通延遲 tdon

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

關(guān)斷時(shí)間tdoff

10-1000ns±5%±10ns

壓力:

5000PA的品牌空壓機(jī)供氣。

控溫范圍:

25℃-200℃

控溫精度:

±1.0℃±1%

器件接觸:

20個(gè)探針的接觸矩陣

上升時(shí)間

tr

10-1000ns±5%±10ns

下降時(shí)間tf

10-1000ns±5%±10ns

開(kāi)通能量

Eon

關(guān)斷能量Eoff

10-1000ns±5%±10ns

測(cè)試條件

集電極電壓Vce

50-3500V±5%

根據(jù)用戶(hù)要求定制

集電極電壓Vce

50-3500V±5%

根據(jù)用戶(hù)要求定制

集電極電流Ice

50-1500V±5%

集電極電流Ice

50-1500V±5%

負(fù)載L

20-1000uH

L負(fù)載

20-1000uH

柵極電壓Vge

±15V±3%±0.2V

  

短路測(cè)試Sct

一次短路 / 脈寬10uS / 短路電流10KA

二極管反向恢復(fù)測(cè)試Drr

反向恢復(fù)電流 / 反向時(shí)間 / 反向di / dt

關(guān)鍵詞:空壓機(jī)
15168338725
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