一. 系統(tǒng)描述
本設(shè)備為單室高真空系統(tǒng)，它主要由真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電氣系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)、自動(dòng)控制系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、報(bào)警系統(tǒng)等組成。
真空系統(tǒng)由一個(gè)分子泵（抽速600升/秒）+ 一個(gè)直聯(lián)旋片式真空泵（抽速9升/秒）組成抽氣系統(tǒng), 將真空室抽至高真空, 分子泵與真空室之間裝有一個(gè)電動(dòng)可調(diào)節(jié)閥電動(dòng)插板閥, 直聯(lián)旋片式真空泵為真空室予抽泵及分子泵前級(jí)泵。直聯(lián)旋片式真空泵與真空室之間及與分子泵之間均采用不銹鋼硬管及波紋管連接, 并裝有電磁氣動(dòng)隔斷閥。
本設(shè)備配有下游恒壓控制系統(tǒng)，通過薄膜規(guī)測量（進(jìn)口件），可調(diào)節(jié)閥控制，使真空室達(dá)到恒壓,從而提高工藝穩(wěn)定性。
射頻電源采用進(jìn)口RF500W及RF1000W雙電源控制，帶自電動(dòng)匹配。
氣路系統(tǒng)采用四個(gè)質(zhì)量流量控制器（國產(chǎn)）控制四路氣體進(jìn)氣。氣體管路采用1/4英寸不銹鋼硬管（進(jìn)口件），管路接頭連接形式采用雙卡套連接（進(jìn)口件）。
自動(dòng)控制系統(tǒng)采用PLC控制、17寸觸摸顯示屏操作，實(shí)現(xiàn)真空系統(tǒng)及工藝過程自動(dòng)化。本機(jī)可選擇全自動(dòng)及非全自動(dòng)模式。
本設(shè)備設(shè)有安全保護(hù)及報(bào)警系統(tǒng)。
二. 技術(shù)指標(biāo)
1.極限真空度: 9×10-5Pa（環(huán)境濕度≤55%）
2. 刻蝕材料: SiO2、 Si3N4、深刻Si等
3. 刻蝕速率： 0.01 ~ 2μ/min
4. 刻蝕均勻性: ≤±5％ (φ125mm范圍內(nèi))
5. 電極尺寸: φ200mm
6. 反應(yīng)室尺寸：φ300×280mm（約）
7. 樣片尺寸：≤ 5〞（小于5吋的不規(guī)則樣片都可）
三．設(shè)備配置
1. 真空泵源: 分子泵壹臺(tái)(抽速600升/秒)
TRP-36直聯(lián)旋片式真空泵壹臺(tái)
2.真空閥門： 150口徑氣動(dòng)插板閥壹個(gè)
40口徑高真空電磁氣動(dòng)隔斷閥兩個(gè)
機(jī)械泵口壓差閥壹個(gè)
3. 射頻功率源: RF500W, RF1000W射頻電源各一套
4. 氣路系統(tǒng): 四臺(tái)質(zhì)量流量控制器（國產(chǎn)）控制四路氣體進(jìn)氣
閥門： 五臺(tái)1/4英寸氣動(dòng)閥
5. 真空測量： 復(fù)合真空計(jì)一臺(tái)(成都睿寶電子儀器有限公司出品)
6. 恒壓系統(tǒng)： 薄膜規(guī)一個(gè)（進(jìn)口）, 可調(diào)節(jié)閥一套(國產(chǎn))
7. 自動(dòng)控制系統(tǒng)一套
工控機(jī)一臺(tái)
17寸液晶顯示器及觸摸屏一套
PLC控制器一套
全自動(dòng)電感耦合等離子體刻蝕機(jī)(ICP-500)
全自動(dòng)電感耦合等離子體刻蝕機(jī)(ICP-500)
