BadgerMeter伺服電機(jī)控制閥1/4NPTRC250
BadgerMeter伺服電機(jī)控制閥1/4NPTRC250 除了具有光電二極管陣列和ccd的定位性能外，還具有靈敏度高、分辯率高、響應(yīng)速度快和電路配置簡(jiǎn)單等特點(diǎn)。因而逐漸被人們所重視。psd的發(fā)展趨勢(shì)是高分辨率、高線性度、快響應(yīng)速度及信號(hào)采集處理等多功能集成。
Badger Meter 伺服電機(jī)控制閥3/4" NPT 1.4539
Badger Meter伺服電機(jī)控制閥3/4NPT-1.4539
Badger Meter伺服電機(jī)控制閥NPT1/230V/50-60HZ,PN100濃水調(diào)節(jié)閥
RVC-1/2-39 D=%-316-PV HH500-230-IP65
RVC-1/2-39 C=%-316-PV HH500-230-IP65
RVC-1/4-39-3/8N F=%-316-PV HH500-230-IP6
RCV-3/4-39 4.0=%-316HD-PV HH500-230-4
設(shè)p型層的電阻是均勻的，兩電極間的距離為2l,流過(guò)兩電極的電流分別為i1和i2,則流過(guò)n型層上電極的電流i0為i1和i2之和。i0= i1+i2 當(dāng)光束入射到psd器件光敏層上距中心點(diǎn)的距離為xa時(shí)，在入射位置上產(chǎn)生與入射輻射成正比的信號(hào)電荷，此電荷形成的光電流通過(guò)電阻p型層分別由電極1與2輸出。
同心閥COOPERZ630-133-036增壓機(jī)CFA32
COOPERZ630-149-136吸入閥
COOPERZ630-133-025同心閥
COOPERZ630-148-336排出閥
COOPERZ630-122-136吸入閥
COOPERZ630-121-336排放閥
HONEYWELL可燃?xì)馓筋^ SPXCDALMRX
HONEYWELL 硫化氫探頭 SPXCDALMHX
挪威 Scansense AS 傳感器LS-3410-SP
挪威 Scansense AS 傳感器LS-3410-SP-D
大鉤載荷傳感器 LS-3010-SP-D Scansense AS HPS 750-E-AC-SG-B
工藝流程為： 清洗氧化→lto→增密→光刻磷電極區(qū)→刻蝕→注入磷→去膠→推進(jìn)氧化→光刻硼電極區(qū)→刻蝕→去膠→生長(zhǎng)薄二氧化硅→第二次光刻硼電極區(qū)→注入硼→去膠→推進(jìn)氧化→刻蝕→去膠→光敏區(qū)氧化→第二次光刻光敏區(qū)→注入bf2 →去膠→退火→生長(zhǎng)sn →光刻引線孔→刻蝕sn →刻蝕二氧化硅→去膠→反刻鋁→濕法刻蝕鋁→去膠→合金。 其中關(guān)鍵工藝點(diǎn)包括：低溫氧化工藝、二次光刻光敏區(qū)工藝、光敏區(qū)內(nèi)外電阻率比控工藝。
SOR開(kāi)關(guān)部分型號(hào)：
壓力開(kāi)關(guān) SOR 54NN-K118-M4-C1A- ADJUSTABLE RANGE:30-0 IN HG OVERRANGE:750PSI PROOF:1000PSI
壓力開(kāi)關(guān) SOR 4NN-KK4-M4-C1A- ADJUSTABLE RANGE:2-25 PSI OVERRANGE:750PSI PROOF:1000PSI
5NN-K45-N4-F1A 45-550PSI (0.31-3.8MPA)
SOR壓力開(kāi)關(guān)4NN-EE5-N4-B1A-371
SOR壓力開(kāi)關(guān)6NN-K3-N4-F1A
SOR壓力開(kāi)關(guān)6NN-K5-N4-F1A
SOR壓力開(kāi)關(guān)6NN-K3-N4-F1A
SOR壓差開(kāi)關(guān)101NN-K45-N4-CIA
FILTER HEADARIELC-0394
VALVE CAPARIELB-0040
低溫工藝。低溫?fù)铰妊趸磘ca氧化工藝，其氧化層生長(zhǎng)速率慢，厚度均勻，氯與硅不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。生成的氧化層缺陷密度低，它克服了高溫工藝氯的腐蝕問(wèn)題，可以制得高質(zhì)量且厚度比較薄的氧化層。這對(duì)于半導(dǎo)體光電位置傳感器的制作非常重要，在避免高溫工藝的同時(shí)在低溫工藝中有更大的選擇余地。
STEEL GASKETARIELA-0103
SUNCTION VALVE SEATARIELA-11464
SUNCTION VALVE GUARD ASSEMBLYARIEL
CENTER BLOTARIELA-11463
VALVE PLATEARIELA-19708
GUIDE RINGARIELA-7523
SPRING PLATEARIELA-1054
SPIROL PINARIELA-1162
DISCHARGE VALVE SEAT ASSEMBLYARIEL
DISCHARGE VALVE GIUDE ASSEMBLYARIEL
CENTER STUDARIELA-2442
GUIDE RINGARIELA-5435
SPRING PLATEARIELA-1048
SPIROL PINARIELA-2402
二次光刻光敏區(qū)工藝。采用此技術(shù)，在d一次光刻后去掉膠層，進(jìn)行氧化層的生長(zhǎng)，約為500 a左右；然后進(jìn)行第二次光刻，透過(guò)二氧化硅層進(jìn)行光敏區(qū)bf2 的離子注入。這有兩個(gè)方面好處，一是可有效地保護(hù)光敏區(qū)的表面，保護(hù)二氧化硅和硅的界面；二是利用其屏蔽作用制得滿足器件要求的結(jié)深。
SOR壓差開(kāi)關(guān)101NN-K3-N4-C1A
SOR壓力開(kāi)關(guān)5NN-K5-N4-C2A
SOR壓力開(kāi)關(guān)9NN-K3-N4-F1A
SOR壓力開(kāi)關(guān)6NN-K2-N4-FIA，
SOR壓差開(kāi)關(guān)101NN-K45-N4-CIA
光敏區(qū)內(nèi)外電阻率比控工藝。影響高分辯率的因素有結(jié)深、邊界條件及有效光敏區(qū)內(nèi)外電阻率之比等。對(duì)于同一種器件結(jié)構(gòu)，光敏區(qū)在一個(gè)*結(jié)深條件下（0.32μm） 有zui大的分辯率。此時(shí)光電流大，分辯率高。*注入條件為：磷注入， 能量為60kev , 劑量為4e15;硼注入， 能量60kev , 劑量為1e13;光敏注入，能量為40kev ,劑量為4e13。當(dāng)有效光敏區(qū)內(nèi)外電阻率之比為25時(shí)，在整個(gè)光敏區(qū)域75%的范圍內(nèi)可得到均勻一致的位移分辨能力，這時(shí)的非線性起伏小于0.1%, pin結(jié)構(gòu)可得到0.5mv/5μm 的分辨能力。
