CVD鍍膜設(shè)備

聚焦離子束系統(tǒng)（FIB）：材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：SEM在線觀察下制備TEM樣品、材料微觀截面截取與觀察、樣品微觀刻蝕與沉積等。
                              
聚焦離子束場發(fā)射掃描雙束電鏡（FIB）是上納米結(jié)構(gòu)分析和材料微納結(jié)構(gòu)制備的*設(shè)備。它配有電子束和Ga離子束，可以實現(xiàn)電子束與離子束的同時在線觀測，具有束流穩(wěn)定、分辨率高、納米操控確的特點，可以在納米尺度的分辨率下對材料進行三維、高質(zhì)量、高穩(wěn)定性的顯微形貌、晶體結(jié)構(gòu)和相組織的觀察與分析，及各種材料微區(qū)化學(xué)成分的定性和定量檢測。

CVD鍍膜設(shè)備

主要技術(shù)指標The main technical indicators：


 SEM       分辨率Resolution： 1.0nm @ 15kV       1.9nm @ 1kV

                  放大倍數(shù)Mag.：12 ~ 1000,000x

                  加速電壓EHT：0.1 ~ 30kV

 
 FIB           分辨率Resolution：2.5nm @ 30kV
               
                  放大倍數(shù)Mag.：300×～ 500,000×
                   
                  加速電壓EHT：1.0 ~ 30Kv

 

配置Configuration

探測器Detector：Inlens二次電子探測器

                             E-T 二次電子探測器

                             ESB背散射電子探測器

X射線能譜儀 X-ray spectrometer

分辨率Resolution：127 eV @ MnKα

探測元素范圍Detection range of elements： Be(4) ~ Fm(100)

EBSD探測器 EBSD Detector

空間分辨率Spatial resolution：50nm

主要功能：

1.        場發(fā)射掃描電鏡（SEM）：各種材料形貌觀察和分析，如金屬、半導(dǎo)體、陶瓷、高分子材料、有機聚合物等

2.        X射線能譜分析儀（EDS）：材料微區(qū)成分分析；MnKa峰的半高寬優(yōu)于127eV；CKa峰的版高寬優(yōu)于56Ev;FKa峰的半高寬優(yōu)于64eV；元素Be4-U92;

3.        3D背散射電子取向成像系統(tǒng)（EBSD）：多晶材料的晶體取向和織構(gòu)分析和3D重構(gòu)；空間分辨率：優(yōu)于50nm；探測器靈敏度： 加速電壓在3KV時，束流小于50pA能采集到花樣；解析速度大可達600點/s；測試能譜和EBSD 同步采集和一體化功能，選取實際樣品進行三維EDS & EBSD測試；

4.        聚焦離子束系統(tǒng)（FIB）：材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：SEM在線觀察下制備TEM樣品、材料微觀截面截取與觀察、樣品微觀刻蝕與沉積等。