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等離子體納米提升系統(tǒng)

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公司名稱(chēng)武漢賽斯特精密儀器有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)
所在地武漢市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2021/8/30 16:47:01
訪問(wèn)次數(shù)167

產(chǎn)品標(biāo)簽:

等離子體化學(xué)氣相沉積半導(dǎo)體檢測(cè)儀器儀器設(shè)備全套?

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專(zhuān)業(yè)研發(fā)，以力學(xué)試驗(yàn)機(jī)儀器為主，同時(shí)銷(xiāo)售各種、中低端分析儀器?，F(xiàn)有員工60多人，公司成功開(kāi)發(fā)了PCI放大采集卡和中文版試驗(yàn)軟件，并采用全數(shù)字化，操作簡(jiǎn)捷，*符合GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的要求，公司亦通過(guò)了ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證和國(guó)家計(jì)量體系認(rèn)證，榮獲了“武漢市第九界消費(fèi)者滿意單位”的稱(chēng)號(hào)。

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子、高校、研究機(jī)構(gòu)、環(huán)保機(jī)構(gòu)、航天、石油化工、紡織制造、第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)、研究院、新能源、集成電路、芯片、封裝測(cè)試、半導(dǎo)體行業(yè)、顯示器領(lǐng)域、光電材料、鋰電池、機(jī)械生產(chǎn)等領(lǐng)域。并與武漢理工大學(xué)、華中科技大學(xué)等建立了長(zhǎng)期合作，每年投入大量研究經(jīng)費(fèi)，招攬各方技術(shù)人才加盟突破國(guó)內(nèi)技術(shù)壁壘，不斷攻克新的技術(shù)難題，另外公司還積極拓展海外業(yè)務(wù)，產(chǎn)品遠(yuǎn)銷(xiāo)越南，印度，埃及等國(guó)家和地區(qū)。

本著“專(zhuān)業(yè)品質(zhì)，專(zhuān)業(yè)服務(wù)”為宗旨，以“科技、品質(zhì)、競(jìng)爭(zhēng)、創(chuàng)新”為理念，通過(guò)不斷汲取新的技術(shù)，新的理念，繼續(xù)開(kāi)發(fā)研制新產(chǎn)品，并為廣大客戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)的售前，售中，售后服務(wù)。熱烈歡迎廣大新老朋友業(yè)函，來(lái)電，蒞臨我公司參觀指導(dǎo)！

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等離子體納米提升系統(tǒng) 原理是在高頻或直流電場(chǎng)作用下，這一特點(diǎn)使得原來(lái)需要在高溫下進(jìn)行的CVD過(guò)程得以在低溫下進(jìn)行。

等離子體納米提升系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

等離子體納米提升系統(tǒng)

簡(jiǎn)介

等離子體化學(xué)氣相沉積（ plasma chemical vapor deposition）簡(jiǎn)稱(chēng)PCVD，是一種用等離子體激活反應(yīng)氣體,促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場(chǎng)作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應(yīng)氣體，利用等離子體放電，使反應(yīng)氣體激活并實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。
PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學(xué)氣相沉積過(guò)程中所需要的激活能，從而改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達(dá)10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學(xué)基團(tuán)，同時(shí)整個(gè)反應(yīng)體系卻保持較低的溫度。這一特點(diǎn)使得原來(lái)需要在高溫下進(jìn)行的CVD過(guò)程得以在低溫下進(jìn)行。

等離子體納米提升系統(tǒng)

射頻等離子體學(xué)氣相沉積是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)中的一種，其特點(diǎn)在于等離子體是高真空度下氣體在射頻交變電場(chǎng)的作用下發(fā)生電離而產(chǎn)生。根據(jù)射頻電場(chǎng)耦臺(tái)形式的不同，可以分為射頻感應(yīng)耦合斌和射頻電容耦合式。
原理及特點(diǎn)
原理是在高頻或直流電場(chǎng)作用下，源氣體電離形成等離子體，基體浸沒(méi)在等離子體中或放置在等離子體下方，吸附在基體表面的反應(yīng)粒子受高能電子轟擊，結(jié)合鍵斷裂成為活性粒子，化學(xué)反應(yīng)生成固態(tài)膜。沉積時(shí)，基體可加熱，亦可不加熱。工藝過(guò)程包括氣體放電、等離子體輸運(yùn)，氣態(tài)物質(zhì)激活及化學(xué)反應(yīng)等。主要工藝參數(shù)有：放電功率、基體溫度、反應(yīng)壓力及源氣體成分。主要特點(diǎn)是可顯著降低反應(yīng)溫度，已用于多種薄膜材料的制備。