MSLYFVZ-75-9信號電纜型號及規(guī)格：，指標(biāo)特性：內(nèi)導(dǎo)體銅線或銅包鋁物理發(fā)泡絕緣織外導(dǎo)體

軟銅線 3 × 24 編織黑色聚乙烯內(nèi)護(hù)套

MSLYFVZ-75-9信號電纜阻燃聚氯乙烯外護(hù)套 電氣特性：絕緣耐壓（介電強(qiáng)度） 1.8KV1min 不擊穿

內(nèi)導(dǎo)體直流電阻（ 2 0 ℃時 ）≤ 5.5Ω/km

電壓駐波比 0-300MHZ 內(nèi)≤ 1.2絕緣電阻：＞1000MΩ?km

特性阻抗 75 ± 3Ω

耦合損耗 60MHZ 75 ± 10dB環(huán)境溫度：－40 ～＋55 ℃

安裝敷設(shè)半徑 －15 ℃彎曲半徑：125mm

MSLYFVZ-75-9信號電纜產(chǎn)品用途及特點

MSLYFVZ-75-9信號電纜本產(chǎn)品適用于礦山、地鐵、地下隧道以及地下設(shè)施在建筑物內(nèi)部在無線電波不能直接傳播與傳播不良的特殊環(huán)境下作通信系統(tǒng)傳輸線。

二、MSLYFYVZ-75-9礦用同軸電纜主要技術(shù)特性

使用頻率: 1GHz 以下使用環(huán)境溫度: -25"C~70'C

數(shù)設(shè)溫度:不低于-10C

彎曲半徑:不大于電纜外徑的15倍。

MOS管型防反接保護(hù)電路利用了MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，現(xiàn)在MOSFETRds（on）已經(jīng)能夠做到毫歐級，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。極性反接保護(hù)將保護(hù)用場效應(yīng)管與被保護(hù)電路串聯(lián)連接。保護(hù)用場效應(yīng)管為PMOS場效應(yīng)管或NMOS場效應(yīng)管。若為PMOS，其柵極和源極分別連接被保護(hù)電路的接地端和電源端，其漏極連接被保護(hù)電路中PMOS元件的襯底。



兩路比較器的輸出端與R-S觸發(fā)器的置位和復(fù)位相接，從而決定芯片3腳輸出端的電平狀態(tài)。當(dāng)芯片2腳（/TR端）輸入信號電壓低于1/3Vcc時，N1輸出端為“0”，R-S觸發(fā)器被置位，芯片3腳變高電平，（在復(fù)位信號未輸入之前）并保持；當(dāng)芯片6腳輸入電壓高于2/3Vcc時，N2輸出端為“1”，R-S觸發(fā)器被復(fù)位（在置位信號未輸入之前）并保持。芯片4為優(yōu)先復(fù)位端（低電平有效），不用時可接Vcc。顯然，作為開關(guān)電路應(yīng)用時，只要控制芯片2腳電壓低于1/3Vcc，電路處于“開”態(tài)（3腳為“1”）；控制芯片6腳高于2/3Vcc，電路即處于“關(guān)”態(tài)（3腳為“0”），即為開關(guān)（雙穩(wěn)態(tài)）電路。