一、設(shè)備簡介
電去離子Electrodeionization，簡稱EDI，又稱連續(xù)電解除鹽技術(shù)，它地將電滲析技術(shù)和離子交換技術(shù)融為一體，通過陰、陽離子的選擇透過作用以及離子交換樹脂對水中離子的交換作用，在電場的作用下實(shí)現(xiàn)水中離子的定向遷移，從而達(dá)到水的深度凈化除鹽，并通過水電解產(chǎn)生的氫離子和氫氧根離子對裝填樹脂進(jìn)行連續(xù)再生，因此EDI制水過程不需酸、堿化學(xué)藥品再生即可連續(xù)制取高品質(zhì)超純水。
半導(dǎo)體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業(yè)、大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路需用大量的純水、高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高，線寬越窄，對水質(zhì)的要求也越高。目前我國電子工業(yè)部把電子級水質(zhì)技術(shù)分為五個(gè)行業(yè)等級，分別為18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm，以區(qū)分不同水質(zhì)。
二、設(shè)備原理
電去離子(EDI)系統(tǒng)主要是在直流電場的作用下，通過隔板的水中電介質(zhì)離子發(fā)生定向移動，利用交換膜對離子的選擇透過作用來對水質(zhì)進(jìn)行提純的一種的水處理技術(shù)。電滲析器的一對電極之間，通常由陰膜，陽膜和隔板(甲、乙)多組交替排列，構(gòu)成濃室和淡室(即陽離子可透過陽膜,陰離子可透過陰膜)。淡室水中陽離子向負(fù)極遷移透過陽膜,被濃室中的陰膜截留;水中陰離子向正極方向遷移陰膜,被濃室中的陽膜截留，這樣通過淡室的水中離子數(shù)逐漸減少，成為淡水，而濃室的水中，由于濃室的陰陽離子不斷涌進(jìn)，電介質(zhì)離子濃度不斷升高，而成為濃水，從而達(dá)到淡化、提純、濃縮或精制的目的。
三、工藝流程
1、如圖片“工藝流程圖---EDI“
四、技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)水量
根據(jù)需求訂制（0.5-300噸/時(shí)）
原水源
自來水或地下水（電導(dǎo)率小于400us/cm）
產(chǎn)水水質(zhì)
電導(dǎo)率小于0.056us/cm(電阻率≥18MΩ/cm)
設(shè)備功率
5KW-800KW
運(yùn)行狀態(tài)
自動運(yùn)行、定時(shí)反洗
反洗頻率
隨進(jìn)水水質(zhì)而變化（1～3天）
化學(xué)清洗
隨膜材質(zhì)及膜污染情況而定
產(chǎn)品特點(diǎn)
人機(jī)對話、運(yùn)行穩(wěn)定、水質(zhì)可靠
進(jìn)水要求：
以下是保證 EDI 正常運(yùn)行的條件。為了使系統(tǒng)運(yùn)行效果更佳，系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)適當(dāng)提高這些條件。
★給水：RO 純水，一般水的電導(dǎo)率為 4-30us/cm。
★PH：5.0-8.0(在此 PH 條件下，水硬度不能太高)
★溫度：5-35℃
★進(jìn)水壓力：為 4kg/cm2(60psi)，小為 1.5kg/cm2(25psi)。
注意：組件壓力損失取決于流量和水溫。
EDI 組件標(biāo)準(zhǔn)配置：
★出水壓力：濃水和電極水的出口壓力必須低于產(chǎn)品的出口壓力。
★硬度（以 CaCO3 計(jì)）：為 1.0ppm，建議采用 0.1ppm。
★物：為 0.05ppm (TOC)。
★氧化劑：為 0.05ppm（CL2），0.02ppm（03）建議兩者都沒有。
★變價(jià)金屬：為 0.01 ppm (Fe)。
★二氧化硅：50-150ppb。
★二氧化碳 CO2 的總量：二氧化碳含量和 PH 值將明顯影響產(chǎn)品水電阻率。在大于10ppm 時(shí)，一般應(yīng)在 EDI 設(shè)備前安裝脫氣裝置。
五、設(shè)備優(yōu)點(diǎn)
1、占地空間小，省略了混床和再生裝置。
2、產(chǎn)水連續(xù)穩(wěn)定，出水質(zhì)量高，而混床在樹脂臨近失效時(shí)水質(zhì)會變差。
3、運(yùn)行費(fèi)用低，再生只耗電，不用酸堿，節(jié)省材料費(fèi)用。
4、環(huán)保效益，增加了操作的安全性。
5、不需要酸堿化學(xué)試劑來再生(綠色環(huán)保)。
6、與同類進(jìn)口產(chǎn)品比，能耗下降30%左右，節(jié)約運(yùn)行費(fèi)用。
