非線性頻率轉(zhuǎn)換晶體,KTA晶體,LiIO3晶體
LiS晶體,LiSe晶體,LTB晶體
德國MolTech GmbH提供用于非線性頻率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的不同非線性光學(xué)晶體,該非線性光學(xué)晶體系列包含ADP晶體、 AGS晶體、AGSe晶體、BBO晶體、LBO晶體、CLBO晶體、GaSe晶體、HGS晶體、KDP晶體、DKDP晶體、KTA晶體、KTP晶體、LiIO3晶體、LiS晶體、LiSe晶體、LTB晶體、POM晶體、ZGP晶體、DLAP晶體等。從紫外開始的高功率紫外激光到10um以上的紅外領(lǐng)域,MolTech非線性晶體都能滿足用戶的需求。
德國Molecular Technology (MolTech) GmbH成立于1990 年,最初面向新材料、組件和技術(shù)的開發(fā),特別是在“激光、光學(xué)、電子”領(lǐng)域。在公司的進(jìn)一步發(fā)展過程中,業(yè)務(wù)興趣擴(kuò)展到其他產(chǎn)品組,例如實驗室設(shè)備和材料性能測試設(shè)備。
LiIO3晶體
LiIO3晶體是一種單軸非線性晶體,具有較高的非線性光學(xué)系數(shù)和較寬的透明度范圍。它被用于中低功率Ti:Sapphire、Alexandrite和其他激光器的倍頻。在某些情況下,它被用于Nd:YAG激光器的倍頻和三倍頻,以及用于測量超短脈沖寬度的自動跟蹤器。
應(yīng)用:
- 從690到2000納米范圍內(nèi)的基本激光發(fā)射的第二到第四次諧波代。
- 光學(xué)參數(shù)振蕩,在800至4000納米范圍內(nèi)獲得調(diào)諧輻射
- 在280至5500納米的透明晶體范圍內(nèi)的頻率倍增和混合
- 測量超短激光脈沖的參數(shù),包括單一的激光脈沖
- 紅外輻射的可視化,通過非線性光學(xué)方法獲得物體圖像
LIS晶體
LIS晶體的非線性特性與AgGaS2和AgGaSe2接近,但它們的晶體結(jié)構(gòu)不同。LiInS2是熱釋電,其電光參數(shù)是將其作為有效電光材料的基礎(chǔ)。
應(yīng)用。
- 將二氧化碳激光輻射圖像向上轉(zhuǎn)換到近紅外或可見光區(qū)域
- 中紅外范圍內(nèi)的不同頻率發(fā)生器(2-12微米)
- 1-12微米范圍內(nèi)的光學(xué)參數(shù)振蕩器,泵為Al2O3:Ti
- 在中紅外區(qū)域的頻率混合
- 用于使用OPO的可調(diào)諧固體激光器,由1.2-10微米范圍內(nèi)的Nd:YAG和其他激光器泵浦。
LISe晶體
LISe晶體的光譜透明度范圍和高雙折射率使人們能夠?qū)崿F(xiàn)所有廣泛使用的中紅外激光器的倍頻。它們的效率與AgGaS2晶體的效率相同,是LiInS2晶體效率的兩倍。LiInSe2晶體的優(yōu)點是可以通過近紅外固體激光器(尤其是Nd:YAG激光器)的輻射產(chǎn)生中紅外參量光振蕩器,其效率比使用的AgGaS2和LiInSe2晶體高出一倍多。同樣值得注意的是,LiInSe2晶體在飛秒脈沖的頻率轉(zhuǎn)換方面比所有已知的晶體在中紅外區(qū)域和直接轉(zhuǎn)換飛秒Ti:sapphire和Cr:forsterite激光器的輻射到中紅外區(qū)域方面都有潛在的優(yōu)勢。
LTB晶體
LTB晶體作為一種新開發(fā)的單晶,在表面聲波(SAW)設(shè)備中具有潛在的應(yīng)用,引起了人們的廣泛關(guān)注。它的特點是延遲時間的低溫系數(shù),高機(jī)電耦合常數(shù)和大壓電常數(shù)。
應(yīng)用。
- YAG激光器的諧波產(chǎn)生(SHG, THG, 4HG, 5HG)。
- 基于可見激光輻射的SHG和SFH的高功率紫外光源
- 在BAW和SAW設(shè)備中
HGS晶體
較高的激光損傷閾值和轉(zhuǎn)換效率允許在 1.0 到 10 µm 的波長范圍內(nèi)使用HGS晶體進(jìn)行倍頻和 OPO/OPA。已經(jīng)確定,對于 4 mm 長的 HgGa2S4 元件,CO2 激光輻射的倍頻效率約為 10%(脈沖持續(xù)時間 30 ns,輻射功率密度 60 MW/cm2)。盡管大尺寸晶體生長過程相當(dāng)困難,但其高轉(zhuǎn)換效率和寬范圍的輻射波長調(diào)諧使得該非線性頻率轉(zhuǎn)換晶體有望與 AgGaS2、AgGaSe2、ZnGeP2 和 GaSe 晶體競爭。
應(yīng)用:
- CO和CO2激光器上的二次諧波發(fā)生器
- 不同的頻率發(fā)生器到中紅外區(qū)域。
- 光學(xué)參數(shù)振蕩器
- 中紅外區(qū)域的頻率混合
GaSe晶體
硒化鎵(GaSe)非線性光學(xué)單晶是一種非常適合中紅外倍頻的材料,GaSe晶體具有大非線性系數(shù)、高損傷閾值和寬透明范圍。在6.0微米到12.0微米的波長范圍內(nèi)研究了GaSe的倍頻特性,GaSe已經(jīng)成功地應(yīng)用在多個領(lǐng)域。由于材料結(jié)構(gòu)(沿(001)平面裂開)限制了應(yīng)用領(lǐng)域,因此無法切割特定相位匹配角的晶體。我們提供根據(jù)客戶訂單制作的GaSe光學(xué)元件。
應(yīng)用:
- CO2激光的高效倍頻(轉(zhuǎn)換率高達(dá)9%);
- 用于脈沖CO、CO2和化學(xué)DF激光(l=2.36微米)輻射的倍頻;
- CO和CO2激光輻射的上轉(zhuǎn)換到可見光范圍;
- 通過釹和紅外染料激光或(F-)中心激光脈沖的差頻混合產(chǎn)生紅外脈沖;
- 在3.5-18微米內(nèi)產(chǎn)生OPG光;
- 產(chǎn)生太赫茲(T-射線)輻射。
KTA晶體
KTA晶體是最近為非線性光學(xué)和電光器件應(yīng)用開發(fā)的一種優(yōu)秀的光學(xué)非線性晶體。與KTP相比,這些非線性光學(xué)和電光系數(shù)更高,而且它們還有一個好處,就是在2.0-5.0微米區(qū)域的吸收明顯減少。大的非線性系數(shù)與寬的角度和溫度帶寬相結(jié)合。KTA晶體的其他優(yōu)點是低介電常數(shù)、低損耗正切和離子導(dǎo)電率比KTP低幾個數(shù)量級。這些砷算鹽的單晶體具有化學(xué)和熱穩(wěn)定性,不吸濕,并且對高強(qiáng)度的激光輻射具有很強(qiáng)的抵抗力。
KTA晶體對于二次諧波發(fā)生(SHG)、和差頻率發(fā)生(SFG)/(DFG)、光參數(shù)振蕩(OPO)、電光Q開關(guān)和調(diào)制以及作為光波導(dǎo)的基材都很重要?;谶@些晶體的OPO裝置是可靠的、可調(diào)諧激光輻射的固態(tài)源,其能量轉(zhuǎn)換效率高于50%。KTA有一個非常高的損傷閾值。在皮秒染料激光器的10 - 20 GW/cm2的水平上,沒有觀察到光學(xué)損傷。這種晶體是使用高溫通量技術(shù)生長的。
應(yīng)用。
- 在中紅外區(qū)域1-5.5mkm的光學(xué)參數(shù)振蕩器
- 在中紅外區(qū)域1-5.5mkm的不同頻率發(fā)生器。
Molecular非線性晶體,性能優(yōu)異
Molecular非線性晶體,性能優(yōu)異