一、概述：

薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀測(cè)試頻率上限達(dá)到目前國(guó)內(nèi)0高的160MHz。

雙掃描技術(shù)：測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。

雙測(cè)試要素輸入：測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。

雙數(shù)碼化調(diào)諧：數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。

自動(dòng)化測(cè)量技術(shù)：對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。

全參數(shù)液晶顯示：數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。

DDS數(shù)字直接合成的信號(hào)源：確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。

計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路0優(yōu)化：使測(cè)試回路，殘余電感減至0低，* Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。

ZJD-C型介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀又稱介電常數(shù)測(cè)試儀、介質(zhì)損耗測(cè)試儀、介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀、介質(zhì)損耗角正切測(cè)試儀、高頻/工頻介電常數(shù)測(cè)試儀。作為0新一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器。

二、主要技術(shù)特性：

薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀Q 值測(cè)量范圍:2 ～ 1023,量程分檔：30、100﹑300﹑1000，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔

固有誤差:≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）,≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）

工作誤差:≤ 7 ％±滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）,≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）

電感測(cè)量范圍: 4.5nH ～ 140mH

電容直接測(cè)量范圍: 1 ～ 200pF

主電容調(diào)節(jié)范圍: 18 ～ 220pF

主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度: 100pF 以下 ± 1pF;100pF 以上 ± 1 ％

信號(hào)源頻率覆蓋范圍: 100kHz ～ 160MHz

頻率分段（虛擬）: 100 ～ 999.999kHz, 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz,100 ～ 160MHz

頻率指示誤差: 3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字

三、夾具工作特性

1、平板電容器：

極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm可選

極片間距可調(diào)范圍：≥15mm

2、夾具插頭間距：25mm±0.01mm

3、夾具損耗正切值：≤4×10－4 （1MHz）

4、測(cè)微桿分辨率：0.001mm

四、薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀配置：