NP1216DR-G
NP1216DR-G
NP1216DR-G
12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET描述NP1216DR采用*的trench技術(shù)提供出色的RDS(上)一般特征、低柵極電荷和以低至1.8V的柵極電壓工作。這器件適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或用于PWM應(yīng)用程序。? VDS =-12V,IDR =-16ADS(開(kāi))(典型值。)= 18mω@ VGSR =-2.5VDS(開(kāi))(典型值。)= 13mω@ VGS?高功率和電流處理能力=-4.5V收購(gòu)?無(wú)鉛產(chǎn)品?表面貼裝封裝應(yīng)用? PWM應(yīng)用?負(fù)荷開(kāi)關(guān)包裹?東風(fēng)2*2-6L-B
主營(yíng)產(chǎn)品:電源管理IC(LDO、DC-DC、充電IC、復(fù)位/檢測(cè)IC、驅(qū)動(dòng)IC、音頻功放、霍爾開(kāi)關(guān)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等)和MOS(低壓MOS、中壓MOS、大電流MOS)