NP4N10MR-G
NP4N10MR-G
NP4N10MR-G
100V N溝道增強型MOSFET描述NP4N10MR采用*的溝槽技術(shù)以提供出色的RDS(ON)、低柵極電荷和高超低導(dǎo)通電阻的密度單元設(shè)計。這器件適合用作負(fù)載開關(guān)或用于PWM應(yīng)用程序。一般特征vds = 100v伏，ID =4A RDS(開)(典型值。)= 110mω@ VGS = 10VRDS(開)(典型值。)= 150mω@ VGS = 4.5V?高功率和電流處理能力收購?無鉛產(chǎn)品?表面貼裝封裝應(yīng)用? PWM應(yīng)用?負(fù)荷開關(guān)包裹? SOT-23-3L
示意圖
LDO，DC-DC，電源IC，MOS管，場效應(yīng)管，充電IC，無刷電機、PD芯片，電子元器件
深圳市東誠興電子有限公司 成立于2009年，是一家半導(dǎo)體元器件專業(yè)代理商。代理及銷售品牌：南麟、微盟、立锜等,產(chǎn)品有電源管理IC(LDO、DC-DC、充電IC、復(fù)位/檢測IC、驅(qū)動IC、音頻功放、霍爾開關(guān)、馬達驅(qū)動等)和MOS（低壓MOS、中壓MOS、大電流MOS）,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能安防、智能家居、攝像頭模組、網(wǎng)絡(luò)通信、電動工具等各種消費類產(chǎn)品。
