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廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司

手套箱一體熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2022/8/25 14:08:00
  • 訪問次數(shù)352
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公司名稱(現(xiàn)用名):北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司
公司名稱(曾用名):北京科立方真空技術(shù)應(yīng)用有限公司
覆蓋區(qū)域:北京、天津、河北

    北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司,原名北京科立方真空技術(shù)應(yīng)用有限公司,創(chuàng)立于2013年,位于中國·首都北京密云經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū),主體經(jīng)營分為真空配件銷售、真空設(shè)備定制、淺藍(lán)納米科技三個(gè)部分,是北京從事真空產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造、銷售、維修、保養(yǎng)于一體的專業(yè)性的公司,公司擁有一支專業(yè)、優(yōu)秀的產(chǎn)品技術(shù)工程師和維修技術(shù)工程師,具有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)同時(shí)還與北京工業(yè)大學(xué)聯(lián)合研發(fā)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),與北京交通大學(xué)聯(lián)合研發(fā)原子層沉積系統(tǒng),滿足高校、研究所的教學(xué)、科研使用,同時(shí)減少相關(guān)進(jìn)口設(shè)備的*,并力爭創(chuàng)造外匯,打出中國創(chuàng)造的!  

    我們的客戶遍布北京各高校研究院所、電力試驗(yàn)所、各級(jí)的材料、物理、化學(xué)、納米等研究領(lǐng)域*的實(shí)驗(yàn)室,期待您就是我們的下一位客戶、朋友!

    您的滿意微笑是我們一直努力追求經(jīng)營目標(biāo)!

技術(shù)創(chuàng)新、業(yè)務(wù)專業(yè)、服務(wù)誠信是我們一直遵循的經(jīng)營理念!

 

我們熱誠歡迎國內(nèi)外*的儀器制造商及科學(xué)工作者與我們聯(lián)系開展各層面的合作,打造成*的真空系統(tǒng)產(chǎn)品、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)和原子層沉積系統(tǒng)供應(yīng)商。

ALD設(shè)備,PECVD設(shè)備
設(shè)備配置:  一、手套箱  1.金屬薄膜沉積與器件封裝、檢測(cè)用手套箱1臺(tái):  1.1箱體尺寸:雙工位手套箱,長度約1800mm。箱體預(yù)留鍍膜機(jī)接口法蘭,手套箱后板可安裝一臺(tái)鍍膜機(jī),手套箱內(nèi)具有安裝器件封裝與性能檢測(cè)裝置的空間?! ?.2配置4只手套,可方便實(shí)現(xiàn)沉積室取送樣品,以及器件封裝與性能檢測(cè)等操作?! ?.3配置≥2套KF40標(biāo)準(zhǔn)接口?! ?.手套箱技術(shù)指標(biāo)與功能要求:  2.1箱體材料:不
手套箱一體熱蒸發(fā)鍍膜機(jī) 產(chǎn)品信息

  設(shè)備配置:

  一、手套箱

  1.金屬薄膜沉積與器件封裝、檢測(cè)用手套箱1臺(tái):

  1.1 箱體尺寸:雙工位手套箱,長度約1800 mm。箱體預(yù)留鍍膜機(jī)接口法蘭,手套箱后板可安裝一臺(tái)鍍膜機(jī),手套箱內(nèi)具有安裝器件封裝與性能檢測(cè)裝置的空間。

  1.2 配置4只手套,可方便實(shí)現(xiàn)沉積室取送樣品,以及器件封裝與性能檢測(cè)等操作。

  1.3 配置≥ 2套KF40標(biāo)準(zhǔn)接口。

  2.手套箱技術(shù)指標(biāo)與功能要求:

  2.1箱體材料:不銹鋼箱體。

  2.2箱體結(jié)構(gòu):具有可拆卸的安全玻璃視窗;配雙層不銹鋼物架;帶有安全閥;

  2.3密封性:視窗與箱體之間無泄漏,手套口與手套和視窗之間密封良好、耐用,無泄漏。

  2.4泄露率:≤ 0.05vol%/h,泄漏率可檢測(cè);H2O < 1ppm,O2< 1ppm。

  2.5 凈化效率:高凈化效率,再生間隔時(shí)間長。

  2.6 過渡倉:手套箱的箱體外側(cè)各另設(shè)置一個(gè)過渡艙,過渡倉尺寸≥ 150mm,長度為300 mm。

  2.7傳送及操作方式:過渡倉內(nèi)設(shè)置可滑動(dòng)托盤,樣品可通過移動(dòng)托盤傳送至手套箱內(nèi),托盤易于拆卸;手動(dòng)操作。

  2.8控制系統(tǒng):用戶友好的中英文操作界面的觸屏。實(shí)現(xiàn)以下控制功能:工作壓力調(diào)節(jié)、箱內(nèi)氣體自動(dòng)清洗、箱內(nèi)氣氛自動(dòng)報(bào)警、顯示操作錯(cuò)誤提示、可手動(dòng)或自動(dòng)檢測(cè)泄漏率等。

  2.9 其他附件:

  (1)真空泵,氣體純化系統(tǒng):氣體純化柱、循環(huán)風(fēng)機(jī)、有機(jī)溶劑吸附柱;

  (2)水、氧分析儀:分析儀精度0.2 ppm或以上;分析儀輸出可直接連接到觸摸控制屏,可對(duì)氣體循環(huán)系統(tǒng)進(jìn)行自動(dòng)控制,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)循環(huán);可設(shè)定報(bào)警值;

  (3)箱內(nèi)電源接口:配多孔電源插座。

  (4)手套箱總體功能要求:樣品送入大(或小)過渡倉后,可在高純氣氛或真空氣氛條件下實(shí)現(xiàn)有機(jī)薄膜沉積、金屬電極薄膜沉積、器件封裝及性能檢測(cè)等功能。

  (5)手套箱驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn):使用99.999%惰性氣源,空箱運(yùn)轉(zhuǎn),箱內(nèi)水氧含量均小于1ppm。

  二、真空熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)系統(tǒng)

  1. 技術(shù)要求:

  1.1真空度: 極限真空< 2.5*10-5Pa,工作真空度< 8*10-4Pa,抽速:從大氣抽至10-4Pa用時(shí)應(yīng)≤ 30min;

  1.2樣品架:

  (1)可對(duì)樣品實(shí)施360度電動(dòng)旋轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速可在0 ~ 30轉(zhuǎn)/min內(nèi)連續(xù)調(diào)節(jié)。

  (2)高度可調(diào),蒸鍍距離在120-250mm范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)。

  1.3樣品尺寸:樣品基本尺寸為15×15mm/塊,可分別承裝如

  下數(shù)量的樣品:

  (1)3塊×3塊排列方式,可承裝9塊/次。

  (2)4塊×4塊排列方式,可承裝16塊/次。

  1.4各密封接口真空漏率≤ 5×10-9Torr?L/s(用進(jìn)口氦質(zhì)譜檢漏儀檢測(cè))。

  1.5 膜厚控制設(shè)備:膜厚探頭2個(gè),探測(cè)數(shù)據(jù)可同時(shí)顯示在膜厚儀上。

  1.6 樣品臺(tái)(基片臺(tái))配備擋板,蒸發(fā)源配備可有效防止不同材料交叉污染的遮擋裝置。

  2. 配置:

  2.1 真空沉積腔體:具有觀察窗,手動(dòng)開門設(shè)置方便取樣和進(jìn)樣。

  2.2鍍膜機(jī)與手套箱的連接方式: 要求鍍膜機(jī)位于手套箱外(背后),蒸發(fā)室在手套箱內(nèi)有方形門,可實(shí)現(xiàn)樣品由手套箱內(nèi)直接傳進(jìn)蒸鍍室。要求蒸鍍室與箱體之間無泄漏,蒸鍍室口與手套箱接口密封良好、耐用,無泄漏。

  2.3要求蒸發(fā)室在手套箱外另有一個(gè)門,手動(dòng)開門設(shè)置,便于清理和維修操作。

  2.4 蒸發(fā)源4套:可蒸發(fā)金(Au)、 銀(Ag)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉑(Pt)、氧化鉬(MoO3)和LiF等材料。蒸發(fā)源相關(guān)的其他要求如下:

  (1)蒸發(fā)電極可加載蒸發(fā)舟或者鎢籃,配備標(biāo)準(zhǔn)鉬舟及鎢藍(lán)各10個(gè)。

  (2)蒸發(fā)電源1套,可轉(zhuǎn)換供四套蒸發(fā)源使用,可在一次抽真空操作后實(shí)現(xiàn)4種材料的順次蒸鍍,既可連續(xù)蒸鍍4層不同材料。

  2.5 真空獲得系統(tǒng):預(yù)抽機(jī)械泵1個(gè),分子泵1個(gè)以及相應(yīng)的附件,分子泵水冷系統(tǒng);分子泵與沉積室之間具備閉鎖條件。

  2.6升降樣品架。

  2.7真空測(cè)量系統(tǒng)。

  2.8膜厚測(cè)試系統(tǒng)。

  2.9工作臺(tái):含真空計(jì),蒸發(fā)源電源和相應(yīng)控制系統(tǒng),加熱源控制系統(tǒng),膜厚測(cè)量系統(tǒng),總電源控制區(qū)。

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