性能指標(biāo)

1. 質(zhì)量分辨率：29Si>12000，在m/z>200附近可以達(dá)17000以上；
2. 檢測(cè)極限：ppm~ ppb級(jí)；
3. 質(zhì)量范圍：~12000；
4. 檢測(cè)范圍：所有元素(含H、He)及同位素；
5. 橫向分辨率<70nm, 深度分辨率<1nm 

主要應(yīng)用

1. 譜圖檢測(cè)、化學(xué)成分成像及深度剖析測(cè)試，可應(yīng)用于分析有機(jī)、無機(jī)、納米材料（特別是半導(dǎo)體、電池材料）、微電子、生物醫(yī)學(xué)、地質(zhì)/考古、冶金、環(huán)境、人工智能等固體材料。
2. 納米尺度下，對(duì)固體材料、生物組織或細(xì)胞進(jìn)行化學(xué)成像分析；半導(dǎo)體材料痕量雜質(zhì)分析(ppm至ppb)；薄膜樣品三維空間尺度化學(xué)成分分布及成像。 

樣品要求

1. 不能被測(cè)試的樣品種類： 放射性的樣品；真空中會(huì)釋放大量氣體、尤其釋放的氣體對(duì)不銹鋼具有腐蝕性的樣品，比如可以釋放出HCl+H2O,有化學(xué)毒性和生物毒性的樣品；低熔點(diǎn)樣品，如松香等，高密度束流濺射后可能會(huì)熔化；在制樣過程中容易快速潮解的樣品。
2. 樣品物性/外形/尺寸： （1）固體樣品（導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體）。其中薄膜、片狀、塊體：長(zhǎng)×寬尺寸約10 mm × 10 mm~12 mm × 12 mm，厚度不大于5mm； （2）盡量保持樣品上下表面平整（尤其待測(cè)面，越平整越好）； （3）粉末樣品壓片后送樣。壓片時(shí)使用清潔的鋁箔包裹粉末樣品，以避免在加壓過程樣品表面被污染,壓片后的尺寸要求見（1）條。 （4）通過溶液涂膜方法制備薄膜樣品時(shí)，使用表面平整的導(dǎo)體或半導(dǎo)體作為襯底，例如：Si片， 鍍金的Si片，或銀片等。
3. 送樣時(shí)注意事項(xiàng)： （1）送樣時(shí)，請(qǐng)附上打印的預(yù)約單及送樣記錄單； （2）待測(cè)試的樣品表面不能被沾污（如手摸拿，碰觸污染物等，制樣及裝樣過程中均需注意），所有樣品在送樣之前必須提前進(jìn)行真空干燥或者冷凍干燥； （3）樣品中不得含有乙酸乙酯、氯仿、二氯甲烷、苯、環(huán)己烷、DMSO等有機(jī)試劑； （4）易被氧化或易吸水樣品，在送樣過程中應(yīng)注意隔離空氣（如放保干器， 或高純Ar氣袋 ），或事先與我們聯(lián)系，商量解決辦法； （5）用帶蓋的玻璃小試管、小容量瓶等容器裝樣；不要直接使用塑料容器、塑料袋、含硅的膠帶或膠面和紙袋，以免硅樹脂或纖維污染樣品表面。也可以使用干凈的鋁箔直接包裹樣品后放入干凈的玻璃器皿中送樣； （6）如果高分子材料中含有殘余的揮發(fā)性有機(jī)試劑分子或小分子單體，務(wù)必先行在真空烘箱中抽除這些物質(zhì)。如果樣品置入ToF-SIMS預(yù)抽真空腔體內(nèi)，經(jīng)過一夜抽真空后依然無法抽至1e-7mbar以下，該樣品的測(cè)試將被取消； （7）對(duì)薄膜、片狀、塊體樣品標(biāo)記出測(cè)試面；千萬注意：不能使用墨水筆在樣品上標(biāo)記測(cè)試面，以免墨水中的有機(jī)試劑污染待測(cè)樣品表面?。?！對(duì)于金屬或半導(dǎo)體，高分子材料片狀，建議使用刀片或金剛石刻刀在不測(cè)的一面畫＂＋＂字；　另外，樣品袋上要用標(biāo)簽紙標(biāo)上預(yù)約人姓名； （8）寫明分析測(cè)試的要求，如待測(cè)成分，送樣信息等（見送樣記錄單），如果樣品有易變性（如被氧化，吸附等），易熔化等情況應(yīng)說明清楚（可在送樣記錄單中說明）； （9）初次實(shí)驗(yàn)需要決定分析條件情況，送樣者若能到場(chǎng)，可能有助于測(cè)試的進(jìn)行。 

儀器說明

1. 儀器名稱：飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀；
2. 生產(chǎn)廠家：德國(guó)ION-TOF GmbH
3. 儀器型號(hào)：TOF SIMS 5 配備高效電子中和槍，可精確分析絕緣材料；
4. 分析源配備Bi源分析槍（LMIG）及氬原子團(tuán)簇離子槍（GCIB），濺射源配備O源、Cs源及GCIB。