LINSEIS L75V 垂直模式熱膨脹儀系列的開發(fā)是為了滿足世界各地學術界和實驗室研究的需求。該系列熱膨脹儀可以測定固體、液體、粉末和膠體的熱膨脹系數。由于垂直系統(tǒng)的“零摩擦”的設計保證了測量結果的準確性,該系統(tǒng)的的垂直設計適合低或超低膨脹系數材料。該系列熱膨脹儀能夠在真空條件下,氧化性和還原性氣氛中測量。
該系統(tǒng)可以用于單樣品或差示條件下測量以獲得更高的精度或樣品通量。該系列熱膨脹儀的可選機械和電子部件便于拆卸在手套箱中的測量。
新低溫爐配件:溫度可降至10K
LINSEIS L75垂直超低溫操作系統(tǒng)(零摩擦)。該系統(tǒng)提供一個寬泛的溫度范圍(-260°C ——+220°C ),多種樣品支架可選。在真空或程序控制的氧化環(huán)境或還原環(huán)境中進行測量時,仍能保證高精度和易操作性。
可以測量以下的物理性質:
熱膨脹系數,線性熱膨脹,物理熱膨脹,燒結溫度,相變,軟化點,熱分解溫度,玻璃化轉變溫度。
型號 | DIL L75 垂直 |
溫度范圍 | -263 至 2800°C |
LVDT: |
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Delta L 分辨率 | 0.03 nm |
測量范圍 | +/- 2500 µm |
接觸壓力 | 10 mN 至 1 N |
Optical Encoder: |
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Delta L 分辨率: | 0.1 nm |
測量范圍 | +/- 25000 µm |
樣品長度自動檢測 | 是 |
壓力調節(jié) | 是 |
接觸壓力 | 10 mN 至 5N |
多爐體配置 | 可配置三爐體 |
電加熱爐 | 包含 |
氣體計量裝置 | 手動氣體計量或質量流量控制,1/3或更多氣路 |
接觸壓力調整 | 包含 |
單桿/雙桿熱膨脹 | 可選 |
軟化點檢測 | 包含 |
密度測定 | 包含 |
L-DTA: | 可選 (至 2000°C) |
速率控制燒結(RCS): | 包含 |
熱分析數據庫 | 包含 |
電恒溫探頭 | 包含 |
低溫附件 | LN2, Intra |
真空密閉設計 | 是 |
真空裝置 | 可選 |
OGS吸氧系統(tǒng): | 可選 |
所有的LINSEIS熱分析設備都是用計算機控制的,各個軟件模塊僅在Microsoft® Windows® 操作系統(tǒng)上運行。完整的軟件包括3個模塊:溫度控制,數據采集和數據分析。與其他熱分析系統(tǒng)一樣,該用于熱膨脹測量的32位Linseis軟件可以實現所有測量準備、實施和評估的基本功能。經過專家和應用工程師的努力,LINSEIS開發(fā)出這款容易操作且實用的軟件。
特點
- 文本編輯
- 斷電保護
- 熱電偶破損保護
- 重復測量可少的輸入參數
- 實時測試評估
- 測量曲線比較:多達32條曲線
- 評估結果保存及導出
- ASCII數據導入與導出
- 數據生成到MS Excel
- 多種方法分析(DSC TG 、TMA、DIL等)
- 縮放功能
- 一階/二階求導
- 氣氛程序控制
- 統(tǒng)計評估
- 自由調節(jié)坐標軸
DIL-特點
- 玻璃化和軟化點分析
- 軟化點判定及系統(tǒng)保護
- 顯示相對/收縮或膨脹曲線
- 顯示和計算工程/物理膨脹系數
- 燒結速率控制軟件(RCS)
- 燒結過程分析
- 半自動分析功能
- 多系統(tǒng)校正功能
- 自動歸零
- 軟件自動控制調節(jié)樣品壓力
以下是我們提供配件的簡要摘錄:
爐體選擇:
- L75V Cryo -260°C —— +220°C
- L75V 500LT -180°C —— +500°C
- L75V 700LT -180°C —— +700°C
- L75V 1000LT -180°C —— +1000°C
- L75V 1000 RT —— 1000°C
- L75V 1400 RT —— 1400°C
- L75V 1550 RT —— 1600°C
- L75V 1750 RT —— 1750°C
- L75V 2000 RT —— 2000°C
- L75V 2400 RT —— 2400°C
- L75V 2800 RT —— 2800°C
附件:
- 樣品制備設備
- 不同類型的真空渦輪分子泵
- 不同類型(設計/材質)的樣品架
- 通過游標卡尺對試樣長度的在線輸入
- 通過轉臺配置多爐體
- 可選多達4種氣體的混氣箱
- 各種旋轉式和渦輪分子泵
- 可在氫氣環(huán)境下運行
材料
聚合物,陶瓷/玻璃/建材,金屬/合金,無機物
工業(yè)領域
陶瓷,建材和玻璃工業(yè),汽車/航空/航天,企業(yè)研發(fā)和學術科研,金屬/合金工業(yè),電子工業(yè)
玻璃陶瓷
該熱膨脹儀是用于確定玻璃陶瓷材料熱膨脹系數(CTE)和軟化點的優(yōu)良方法。除了可以得到膨脹和膨脹系數(CTE),還可以獲得膨脹的一階導數。一階導數為零時可以確定熱膨脹的值和材料的軟化點。
陶瓷/粉末冶金
在高科技陶瓷生產過程中,對燒結過程模擬引起人們的廣泛興趣。當使用可選軟件包——燒結速率控制軟件(RCS)時,根據PALMOUR III理論可以利用膨脹儀進行編程控制燒結。以下是氧化鋯的燒結過程。最終獲得100%的密度。在達到最終密度時初始加熱速率也隨之降低。