多站式介孔材料比表面及孔徑分析儀
吸附、脫附等溫線測(cè)定； BET比表面測(cè)定(單點(diǎn)/多點(diǎn)法)；
朗格繆爾(Langmuir)比表面； 統(tǒng)計(jì)吸附層厚度法外比表面；
BJH法孔容孔徑分布； MK-plate法(平行板模型)孔容孔徑分布；
D-R法微孔分析； t-plot法(Boder)微孔分析；
H-K法(Original)微孔分析； MP法(Brunauer) 微孔分析；
真密度測(cè)試； 粒度估算報(bào)告。
測(cè)試范圍：
比表面積：0.0005m2/g至無(wú)上限。
總孔體積：0.0001cc/g至無(wú)上限。
孔徑：0.35-500 nm(微孔常規(guī)分析: 0. 35-2nm; 介孔分析: 2nm-50nm; 大孔分析: 50nm-500nm)。
測(cè)量精度：
比表面積重復(fù)精度≤± 1.0%，*可幾孔徑重復(fù)偏差≤0.02nm，真密度 ≤±0.04%；外表面積≤± 1.5%。
樣品類(lèi)型：粉末,顆粒,纖維及片狀材料等可裝入樣品管的材料。
分析站：
4個(gè)分析站，1個(gè)P0站，4個(gè)處理站；
測(cè)試4個(gè)樣品和4個(gè)樣品的脫氣處理，并且樣品的測(cè)試過(guò)程和脫氣處理可同時(shí)進(jìn)行；測(cè)試系統(tǒng)和脫氣系統(tǒng)相互獨(dú)立。
獨(dú)立P0：具有獨(dú)立的飽和蒸汽壓(P0)測(cè)試站，保證分壓測(cè)試的高準(zhǔn)確性。
測(cè)試系統(tǒng)：根據(jù)國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)“氮?dú)?氦氣”測(cè)試模式，利用氦氣測(cè)試溫區(qū)體積，使測(cè)試精度更高，重復(fù)性更好。
預(yù)處理：
4路脫氣站，脫氣過(guò)程由軟件自動(dòng)控制，具有獨(dú)立控溫、獨(dú)立定時(shí)以及真空泵啟停等功能。可支持與測(cè)試同步進(jìn)行的不同溫度與不同時(shí)間的樣品脫氣處理；還具備預(yù)處理起止時(shí)間的預(yù)設(shè)功能，實(shí)現(xiàn)無(wú)人值守測(cè)試和樣品處理，大大提高工作效率。具有“普通加熱抽真空分子擴(kuò)散模式”和“分子置換模式”兩種可選功能；分子置換模式相對(duì)分子擴(kuò)散模式效率提高1倍以上，可節(jié)省一半以上的預(yù)處理時(shí)間，解決以往靜態(tài)法樣品制備時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題。
管路通徑：大通徑是高真空的條件，脫氣位和測(cè)試位采用大通徑閥門(mén)和管路，使真空泵的極限真空得到效果的體現(xiàn)。
真空系統(tǒng)：儀器配備兩套獨(dú)立的真空系統(tǒng)，既脫氣系統(tǒng)和分析系統(tǒng)相互獨(dú)立；極限真空達(dá)到10-2Pa，避免由一套真空系統(tǒng)而帶來(lái)的污染問(wèn)題。
壓力測(cè)試：每個(gè)分析站都配有電容硅薄膜雙壓力傳感器，分段測(cè)試：0-1000torr，0-1torr；讀數(shù)精度誤差≤0.15%，為目前壓力傳感器的精度；大孔段具有P0的實(shí)時(shí)測(cè)試功能，使P/P0在趨于臨界點(diǎn)時(shí)的控制精度達(dá)到0.998。
真空泵：Atlas雙級(jí)機(jī)械真空泵，全程軟件自動(dòng)啟?？刂?，實(shí)現(xiàn)了全自動(dòng)化操作。
液氮杯：配備了3L大容量小口徑杜瓦瓶，保證至少90小時(shí)無(wú)需添加液氮。
標(biāo)簽：介孔材料 比表面積 孔徑
