CS2350H雙恒電位儀是基于常規(guī)單通道系列CS350型發(fā)展而來，內(nèi)置兩套可實現(xiàn)獨立、同時測試的恒電位/恒電流儀，每套恒電位儀各有一套輔助、工作和參比電極輸出，并由CS Studio軟件來協(xié)調(diào)輸出電位/電流。
具體應(yīng)用于：
（1）電合成、電沉積（電鍍）、陽極氧化、電解等反應(yīng)機理研究；
（2）電化學(xué)分析研究，包括：氧還原研究（ORR）、氧析出研究（OER）、氫析出（HER）、二氧化碳還原等；
（3）能源材料（鋰離子電池、太陽能電池、燃料動力電池和超級電容器等）、*功能材料以及傳感器的性能研究；
（4）金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評價；
（5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰極保護效率的快速評價。
CS2350H除了具備單通道工作站的所有特點，還可用于電化學(xué)分析四電極工作體系，尤其在氧還原（ORR）中間產(chǎn)物收集、金屬中氫擴散測試有著廣泛的運用。
典型應(yīng)用
配合旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極（RRDE）用于研究氧化還原體系
在測量圓盤電極極化曲線的同時，將環(huán)電壓設(shè)置為恒電位，控制圓環(huán)電極在固定的極化電勢，用以檢測圓盤電極上產(chǎn)生的反應(yīng)中間物，該方法也成為檢測反應(yīng)中間物和研究電極反應(yīng)機理的典型流體動力學(xué)方法。氧還原反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)和相應(yīng)的雙氧水（中間產(chǎn)物）產(chǎn)率可分別通過公式測得： -
其中知Idisk和Iring分別為測得的盤電流和環(huán)電流，電極收集效率N由盤環(huán)電極參數(shù)決定（常數(shù)）。將測試結(jié)果代入以上公式即可求得實際反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)n和H2O2（%）所占比例。
圖1. 氧還原（ORR）中間產(chǎn)物檢測 金屬中氫擴散測試 兩個恒電位裝置配合Devnathan-Stachurski雙電解池，通過左側(cè)電解池的陰極充氫和右側(cè)電解的氫原子陽極氧化電流測量，進而計算氫原子在金屬中擴散系數(shù)和氫通量。
圖2. 金屬中氫擴散控制 硬件參數(shù)指標(biāo) | 單恒電位電位控制范圍 | ±10V |
| 雙恒電位儀電位控制范圍 | ±10V |
| 恒電流控制范圍 | ±2A |
| 電位控制精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV |
| 電流控制精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù) |
| 電位靈敏度 | 10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) |
| 電流靈敏度 | 1pA |
| 電位上升時間 | ＜1μs(<10mA),＜10μs(<2A) |
| 電流量程 | 2A～2nA, 共10檔 |
| 參比電極輸入阻抗 | 1012Ω||20pF |
| 輸出電流 | 2A |
| 槽壓輸出 | ±21V |
| 電流掃描增量 | 1mA @1A/mS |
| CV和LSV掃描速度 | 0.001mV～10,000V/s |
| 電位掃描電位增量 | 0.076mV @1V/mS |
| CA和CC脈沖寬度 | 0.0001～65,000s |
| DPV和NPV脈沖寬度 | 0.0001～1000s |
| SWV頻率 | 0.001～100KHz |
| CV的最小電位增量 | 0.075mV |
| AD數(shù)據(jù)采集 | 16bit@1MHz，20bit @1kHz |
| 電流與電位量程 | 自動設(shè)置 |
| DA分辨率 | 16bit |
| 建立時間 | 1μS |
| 低通濾波器 | 8段可編程 |
| 通訊接口 | 網(wǎng)口 |
| 儀器凈重 | 7.5Kg |
| 外形尺寸（cm） | 36.5(W)X30.5 (D)X16 (H) |
電化學(xué)阻抗測量參數(shù) | 信號發(fā)生器 |
| 頻率響應(yīng) | 10μHz～1MHz |
| 交流信號幅值 | 1mV～2500mV |
| 頻率精確度 | 0.005% |
| 信號分辨率 | 0.1Mv RMS |
| 直流偏壓 | -10V～+10V |
| DDS輸出阻抗 | 50Ω |
| 波形 | 正弦波，三角波，方波 |
| 正弦波失真率 | <1% |
| 掃描方式 | 對數(shù)/線性，增加/下降 |
| 信號分析器 |
| 積分時間 | 106個循環(huán)或者105S |
| 測量時間延遲 | 0～105秒 |
| 最小積分時間 | 10mS 或者一個循環(huán)的最長時間 |
| 直流偏置補償 |
| 電位補償范圍 | -10V～+10V |
| 電流補償范圍 | -1A～+1A |
| 帶寬調(diào)整 | 自動或手動設(shè)置, 共8級可調(diào) |
配置：
1）儀器主機1臺
2）CS Studio測試與分析軟件1套
3）專用電解池（含鹽橋和排氣管）2套
4）鉑金電極、參比電極、工作電極各2支
5）模擬電解池1個
6）電源線/通訊線各1條
7）電極電纜線2條
8）屏蔽箱（選配*） 穩(wěn)態(tài)極化
開路電位測量（OCP）、恒電位極化（i-t曲線）、恒電流極化、動電位掃描（TAFEL曲線）、動電流掃描（DGP）
暫態(tài)極化
任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍（VSTEP）、恒電流階躍（ISTEP）
計時分析
計時電位法（CP）、計時電流法（CA）、計時電量法（CC）
伏安分析
線性掃描伏安法（LSV）、線性循環(huán)伏安法（CV）、階梯循環(huán)伏安法（SCV）、方波伏安法（SWV）、差分脈沖伏安法（DPV）、常規(guī)脈沖伏安法（NPV）、常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）、差分脈沖電流檢測法（DPA）、雙差分脈沖電流檢測法（DDPA）、三脈沖電流檢測法（TPA）、積分脈沖電流檢測法（IPAD）、交流伏安法（ACV）、二次諧波交流伏安（SHACV）、傅立葉變換交流伏安（FTACV）
溶出伏安
恒電位溶出伏安、線性溶出伏安、階梯溶出伏安、方波溶出伏安、差分脈沖溶出伏安、常規(guī)脈沖溶出伏安、常規(guī)差分脈沖溶出伏安、交流溶出伏安
交流阻抗
電化學(xué)阻抗（EIS）～頻率掃描、電化學(xué)阻抗（EIS）～時間掃描、電化學(xué)阻抗（EIS）～電位掃描（Mott-Schottky曲線）
腐蝕測量
循環(huán)極化曲線（CPP）、線性極化曲線（LPR）、動電位再活化法（EPR)、電化學(xué)噪聲（EN）、電偶腐蝕測量（ZRA）、氫擴散測試
電池測試
電池充放電測試、恒電流充放電
擴展測量
盤環(huán)電極測試、數(shù)字記錄儀、波形發(fā)生器、圓盤電機控制、其它外設(shè)擴展端口（定制）
