用于半導體的 Helios™ G4 PFIB Hxe DualBeam™

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賽默飛世爾科技賦能科技進步的我們的使命是幫助客戶使世界更健康、更清潔、更安全。我們幫助客戶加速生命科學領域的研究、解決在分析領域所遇到的復雜問題與挑戰(zhàn)、促進醫(yī)療診斷和治療的發(fā)展、提高實驗室生產(chǎn)力。

Thermo Scientific Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系統(tǒng)提供的功能，除廣泛的其他大面積 FIB 處理應用外，還能夠實現(xiàn) 10 nm 半導體器件的無損傷延遲和 3D 封裝的高級故障分析。

用于半導體的 Helios™ G4 PFIB Hxe DualBeam™ 產(chǎn)品信息

Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系統(tǒng)使您能夠：

使用具有高電流 UC+ 單色器技術的 Elstar™ SEM 電子鏡筒，可獲得納米級 SEM 圖像分辨率和表面靈敏度，從而顯示較為細致的細節(jié)信息。
使用新一代 2.5微安氙等離子體 FIB (PFIB 2.0) 鏡筒，可進行較高通量和質量相關 3D 表征、橫向切片和微加工。
使用自動搖擺研磨機，可實現(xiàn)高產(chǎn)率、無屏障大面積橫向切片制備并獲得高質量 TEM 片晶。
實現(xiàn)的低 kV 離子束性能，可提高材料靈敏度和降低樣品制備損傷。
通過可選配的 MultiChem 或 GIS 氣體輸送系統(tǒng)，可提供在 FIB-SEM 系統(tǒng)上進行電子和離子束誘導的沉積及蝕刻的較高級功能。
在常規(guī)和低 k 電介質中，采用專有的 Dx 和 DE 化學物質對銅金屬化進行逆向處理。并通過基于等離子 FIB 的化學過程和配方銑削*的包裝材料。