用于半導(dǎo)體的 Helios™ G4 PFIB Hxe DualBeam™

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儀器

Thermo Scientific Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系統(tǒng)提供的功能，除廣泛的其他大面積 FIB 處理應(yīng)用外，還能夠?qū)崿F(xiàn) 10 nm 半導(dǎo)體器件的無損傷延遲和 3D 封裝的高級(jí)故障分析。

用于半導(dǎo)體的 Helios™ G4 PFIB Hxe DualBeam™ 產(chǎn)品信息

Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系統(tǒng)使您能夠：

使用具有高電流 UC+ 單色器技術(shù)的 Elstar™ SEM 電子鏡筒，可獲得納米級(jí) SEM 圖像分辨率和表面靈敏度，從而顯示較為細(xì)致的細(xì)節(jié)信息。
使用新一代 2.5微安氙等離子體 FIB (PFIB 2.0) 鏡筒，可進(jìn)行較高通量和質(zhì)量相關(guān) 3D 表征、橫向切片和微加工。
使用自動(dòng)搖擺研磨機(jī)，可實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)率、無屏障大面積橫向切片制備并獲得高質(zhì)量 TEM 片晶。
實(shí)現(xiàn)的低 kV 離子束性能，可提高材料靈敏度和降低樣品制備損傷。
通過可選配的 MultiChem 或 GIS 氣體輸送系統(tǒng)，可提供在 FIB-SEM 系統(tǒng)上進(jìn)行電子和離子束誘導(dǎo)的沉積及蝕刻的較高級(jí)功能。
在常規(guī)和低 k 電介質(zhì)中，采用專有的 Dx 和 DE 化學(xué)物質(zhì)對(duì)銅金屬化進(jìn)行逆向處理。并通過基于等離子 FIB 的化學(xué)過程和配方銑削*的包裝材料。