napson電阻測量儀 電阻計 熱電阻 電阻率PVE-80的介紹
napson電阻測量儀 電阻計 熱電阻 電阻率PVE-80的介紹
產(chǎn)品特點
以脈沖電壓勵磁法為測量原理的非接觸式電阻測量系統(tǒng)，可在不損壞樣品的情況下進行測量。
節(jié)省空間的設計主體，便攜式可拆卸舞臺
通過PC（專用軟件）輕松進行測量操作、數(shù)據(jù)存儲和管理
可根據(jù)應用改變測量顯示單位（薄層電阻、電導率、電導率）
*本產(chǎn)品采用本公司與千葉大學共同開發(fā)的脈沖電壓勵磁方式
測量規(guī)格
測量對象
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導電薄膜（金屬、ITO等）
化合物半導體（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
測量尺寸
~ A4 尺寸 (W300 x D210mm)
測量范圍
50μ 至 1mΩ/sq
產(chǎn)品特點
便于攜帶和測量的便攜式薄層電阻測量儀：DUORES
可根據(jù)測量對象更換兩種類型的探頭（非破壞型和接觸型）。
• 款可與兩種類型的探頭（非破壞型和接觸型）互換使用的便攜式薄層電阻測量儀
• 只需放置/應用探頭即可自動測量
• 電池連續(xù)工作時間：24 小時（*電池使用中）
顯示數(shù)據(jù)數(shù)：最多 100（*從最近的數(shù)據(jù)顯示）
• 保存數(shù)據(jù)數(shù)：最大50,000（*通過專用軟件顯示）
• 測量數(shù)據(jù)傳輸功能：USB-Mini
• 顯示：3種顯示單位（Ω/□、S/□、n/m [金屬膜厚度換算） ]), 4 位浮點數(shù) (0.000 到 9999)
* 我們也只出售主機 + 非破壞型探頭，主機 + 接觸式探頭。
產(chǎn)品特點
節(jié)省空間，使用個人電腦輕松操作和數(shù)據(jù)處理
非接觸式渦流法可實現(xiàn)無損傷測量
探頭可拆卸和更換，因此每個量程的探頭都可以輕松更換。
（*可選用于第二個和后續(xù)電阻探頭）
1 中心點測量
厚度和溫度修正功能（硅晶圓）
測量規(guī)格
測量對象
半導體/太陽能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導電薄膜（金屬、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導體相關(guān)（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
其他（*請聯(lián)系我們）
測量尺寸
3 至 8 英寸，~156 x 156 毫米
（可選；2 英寸或 12 英寸，~210 x 210 毫米）
測量范圍
[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
（*所有探頭類型的總范圍/當厚度為 500um 時）
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq
（*所有探頭類型的總范圍）
產(chǎn)品特點
只需觸摸手持探頭即可測量電阻
在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
通過 JOG 撥盤輕松設置測量條件
可互換連接器連接的電阻測量探頭支持各種電阻
（電阻探頭：最多可使用2+PN判斷探頭）
測量規(guī)格
測量對象
半導體/太陽能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導電薄膜（金屬、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導體相關(guān)（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
其他（*請聯(lián)系我們）
測量尺寸
不受樣品尺寸和形狀的影響（但是，大于 20 mmφ 且表面平坦的樣品）均可測量
測量范圍
[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
（*所有探頭類型的總范圍/當厚度為 500um 時）
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq
節(jié)省空間，使用個人電腦輕松操作和數(shù)據(jù)處理
非接觸式渦流法可實現(xiàn)無損傷測量
探頭可拆卸和更換，因此每個量程的探頭都可以輕松更換。
（*可選用于第二個和后續(xù)電阻探頭）
1 中心點測量
測量對象
半導體/太陽能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導電薄膜（金屬、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導體相關(guān)（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
