美國Nano-master NIE-4000 離子束刻蝕系統(tǒng)，NIR-4000 IBE/RIE 雙刻蝕系統(tǒng)
NANO-MASTER 擁有成熟的技術(shù)能力可以使基片溫度保持在50°C 以下。通過傾斜和旋轉(zhuǎn)，深溝可以切成斜角，通過控制側(cè)壁輪廓和徑向可提高均勻度。對于大尺寸的基片，我們配置線性離子源，通過掃描的方式，可以實現(xiàn)均勻的離子束刻蝕或反應(yīng)離子束刻蝕。不同的構(gòu)造不同的應(yīng)用可選擇不同的選配項，若要刻蝕之后馬上涂覆，可以增加濺射選項。對于標(biāo)準(zhǔn)的晶圓片，也可選擇自動裝載卸載晶圓片。
工藝過程通過觸摸屏電腦和 LabView 軟件，可實現(xiàn)全自動的 PC控制，具有高度的可重復(fù)性，且具有友好的用戶界面。
系統(tǒng)具有完整的安全聯(lián)鎖，提供四級密碼訪問保護(hù)，防止使用者越權(quán)使用，含：
。 操作者權(quán)限：運行程序
。工藝師權(quán)限：添加/編輯和刪除程序
。工程師權(quán)限：可獨立控制子系統(tǒng)，并開發(fā)程序
。服務(wù)權(quán)限：NM 工程師故障診斷和排除
系統(tǒng)支持不限數(shù)量的工藝菜單，每套工藝菜單可根據(jù)需要支持 1到 100 個工藝工序（步驟），可實現(xiàn)簡單操作完成復(fù)雜的工藝。
系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)配置包含渦輪分子泵和機械泵，極限真空可達(dá)到10-7 Torr 量級(可升級到 10-8Torr 量級)。分子泵與腔體之間的直連設(shè)計，系統(tǒng)可獲得真空傳導(dǎo)率，12 小時達(dá)到腔體極限真空。腔體壓力調(diào)節(jié)通過 PC 自動控制渦輪速度而全自動調(diào)節(jié)，快速穩(wěn)定。雙真空計配置，可實現(xiàn)真空的全局測量和精確測量。
對標(biāo)準(zhǔn)晶圓可支持單片或 25 片 Cassette 的 Auto L/UL 升級，可自動進(jìn)樣、對準(zhǔn)、出樣，在不間斷工藝真空情況下連續(xù)處理樣片。Load Lock 腔體配套獨立真空系統(tǒng)，通過 PC 全自動監(jiān)控。
若離子銑工藝之后需要馬上進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕處理，NMC 技術(shù)可以雙腔體系統(tǒng)，在一個系統(tǒng)的兩個腔體內(nèi)完成兩種不同的工藝，若加上自動傳輸，還可實現(xiàn)整個處理過程都不打破彼此真空狀態(tài)，實現(xiàn)非常高效的工藝處理
典型應(yīng)用
。 三族和四族光學(xué)元件。
。激光光柵。
。高深寬比的光子晶體刻蝕。
。在二氧化硅、硅和金屬上深溝刻蝕。
。 微流體傳感器電極及測熱式微流體傳感器。
Fomblin 泵油
。 極限真空可達(dá) 7×10-7 Torr。
。下游壓力通過 PC 對分子泵渦輪速度的控制自動調(diào)節(jié)。
。SiN4 磁控濺射保護(hù)被刻蝕金屬表面以防氧化(選配)。
。 基于 LabVIEW 軟件的計算機全自動工藝控制。
。菜單驅(qū)動，密碼保護(hù)，的安全聯(lián)鎖。
。緊湊型設(shè)計，占地面積僅 26”Dx66”W,節(jié)省空間。
系統(tǒng)可選
。光譜終點探測器。
。氦氣背部冷卻。
。更大尺寸的電鍍方形腔體。
。 自動裝載/卸載。
。 低溫泵組。
。 附加反應(yīng)氣體質(zhì)量流量控制器。
。 格狀射頻電感耦合等離子體。
。 用于鈍化層沉積的濺射源。
設(shè)備特點
。 24”x60”x10”長方或 ”立方型不銹鋼離子束腔體。
。24”Wx10”H 或 8”測開門，帶 2 個 2”觀察視窗。
。支持 600X600mm 的基片(可定做更大尺寸)。
。 倒裝磁控?zé)o柵無燈絲準(zhǔn)直 60cm 線性離子源(離子槍)，1500-2500V，并且高達(dá) 1000mA，無需中和器。
。 離子源均勻性可達(dá)+/-%，操作壓力。 離子槍電源：4KV 電源。
。配套 Ar 和 CF4 MFC，支持 IBE 和 RIBE 刻蝕應(yīng)用。
。 反應(yīng)性氣體通過靶槍的長度方向引入，均勻分布。
。冷卻水冷卻（背氦冷卻可選）。
。 步進(jìn)電機控制離子槍掃描或樣品臺旋轉(zhuǎn)/傾斜。
。 手動或自動(自動僅對標(biāo)準(zhǔn)晶圓)上下載晶圓片。
。 配套 1200L/Sec 渦輪分子泵，串接 2021C2 機械泵。
