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廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司

德國(guó)Sentechv SI 500 電感耦合等離子體ICP干法刻蝕系統(tǒng)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市科時(shí)達(dá)電子科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)SI 500
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2023/6/16 19:24:28
  • 訪問次數(shù)220
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深圳市科時(shí)達(dá)電子科技有限公司創(chuàng)建于2011年,經(jīng)過(guò)十年的發(fā)展,已經(jīng)成長(zhǎng)為一家專注于電子材料、半導(dǎo)體儀器設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備三大產(chǎn)品領(lǐng)域的,是一家集研發(fā)、制造、銷售為一體的企業(yè)。我們的主營(yíng)業(yè)務(wù)涉及了研發(fā)銷售及加工電子材料及周邊產(chǎn)品;電子光電產(chǎn)品設(shè)備研發(fā)組裝及銷售,半導(dǎo)體儀器設(shè)備銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易、貨物及技術(shù)進(jìn)出口;醫(yī)療器械研發(fā)及銷售;醫(yī)用耗材及醫(yī)療用品的銷售等??萍紕?chuàng)新是科時(shí)達(dá)公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力。我們擁有一支高度專業(yè)化的技術(shù)研發(fā)和管理團(tuán)隊(duì),建立了國(guó)內(nèi)的實(shí)驗(yàn)室和光電研究中心,與多家科研機(jī)構(gòu)與大專院校開展“產(chǎn)、學(xué)、研”合作,成功開發(fā)出一系列具有高科技含量的市場(chǎng)產(chǎn)品,公司產(chǎn)品通國(guó)內(nèi)科研機(jī)構(gòu)的產(chǎn)品認(rèn)證。同時(shí),公司擁有電子信息領(lǐng)域相對(duì)完備的科技創(chuàng)新體系,在電子裝備、醫(yī)療設(shè)備、產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)安全等領(lǐng)域占據(jù)技術(shù)主導(dǎo)地位,肩負(fù)著支撐科技自立自強(qiáng)、推進(jìn)國(guó)內(nèi)科技現(xiàn)代化、加快數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展、服務(wù)社會(huì)民生的重要職責(zé)。聚焦“三大定位”主責(zé),科時(shí)達(dá)公司按照“做優(yōu)電子裝備、做大儀器設(shè)備、做精產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)、做強(qiáng)研發(fā)銷售”的總體布局,持續(xù)優(yōu)化核心業(yè)務(wù)體系,推動(dòng)企業(yè)在科技現(xiàn)代化建設(shè)、現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系建設(shè)的核心關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)上“布點(diǎn)”,在產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值鏈創(chuàng)新鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)上“成線”,在關(guān)系國(guó)家、國(guó)民經(jīng)濟(jì)命脈和國(guó)計(jì)民生關(guān)鍵領(lǐng)域上“控面”。做強(qiáng)電子裝備,重點(diǎn)發(fā)展利用聲、光、電磁信號(hào)進(jìn)行信息感知、傳輸、運(yùn)用等的系統(tǒng)級(jí)裝備和產(chǎn)品,打造全域多維一體新一代電子裝備,不斷夯實(shí)在高校科研領(lǐng)域和高科枝企業(yè)的提供地位。做大儀器設(shè)備,重點(diǎn)發(fā)展半導(dǎo)體儀器基礎(chǔ)設(shè)施和醫(yī)療設(shè)備應(yīng)用與整體解決方案,全面支撐基于網(wǎng)絡(luò)信息體系的聯(lián)合和全域能力提升、國(guó)家治理能力提升和數(shù)字化發(fā)展。做精產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),重點(diǎn)打造形成電子基礎(chǔ)產(chǎn)品科研和生產(chǎn)的基礎(chǔ)支撐能力,以夯實(shí)產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈自主可控能力為根本目標(biāo),推動(dòng)以“科時(shí)達(dá)基因”為核心的銷售集群式發(fā)展。做強(qiáng)研發(fā)銷售,致力于電子產(chǎn)品的研發(fā)??茣r(shí)達(dá)公司是一家,多年來(lái)公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)致力于電子材料、半導(dǎo)體儀器和醫(yī)療設(shè)備的研發(fā)。同時(shí)企業(yè)還致力于將產(chǎn)品做好國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)銷售,在整體銷售模式中具備一套完整的銷售體系。以客戶需求為導(dǎo)向,以質(zhì)量求生存,科時(shí)達(dá)公司以超凡的品質(zhì)和優(yōu)良的服務(wù),獲得國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)的一致認(rèn)可;公司營(yíng)銷網(wǎng)絡(luò)覆蓋,產(chǎn)品世界各地,目前已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)電子科技行業(yè)中重要的生產(chǎn)制造基地。
德國(guó)SentechvSI500電感耦合等離子體ICP干法刻蝕系統(tǒng)產(chǎn)品描述感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)臺(tái),低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕,高速率刻蝕,內(nèi)置ICP等離子源,動(dòng)態(tài)溫控InhouseICPplasmasource內(nèi)置ICP等離子源平板三螺旋天線(PTSA)等離子源是SENTECH的等離子工藝系統(tǒng)
德國(guó)Sentechv SI 500 電感耦合等離子體ICP干法刻蝕系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

德國(guó)Sentechv SI 500 電感耦合等離子體ICP干法刻蝕系統(tǒng)



產(chǎn)品描述



感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)臺(tái),低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕,高速率刻蝕,內(nèi)置ICP等離子源,動(dòng)態(tài)溫控



Inhouse ICP plasma source 內(nèi)置ICP等離子源

平板三螺旋天線(PTSA)等離子源是SENTECH的等離子工藝系統(tǒng)。PTSA能產(chǎn)生高密度低能量分布的等離子體。在多種材料刻蝕工藝中都能實(shí)現(xiàn)高效率耦合及穩(wěn)定起輝。


Low damage for nano structuring 納米結(jié)構(gòu)低損傷刻蝕

由于等離子的能量分布低,從而能實(shí)現(xiàn)低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)刻蝕。
Simple high rate etching 簡(jiǎn)單高速率刻蝕。
MEMS制造工藝中,Si材料光滑側(cè)壁的高速高選擇比刻蝕,可以很容易的通過(guò)室溫或低溫工藝實(shí)現(xiàn)。


Dynamic temperature control 動(dòng)態(tài)溫控

襯底溫度設(shè)定和工藝過(guò)程中的穩(wěn)定性是影響刻蝕工藝質(zhì)量的重要因素。ICP襯底電極結(jié)合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進(jìn)行動(dòng)態(tài)溫控,工藝溫度范圍為-150?°C 至 +400?°C。


SI500代表著研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域ICP工藝的水平。它具有 基于動(dòng)態(tài)溫控背電極、平板三螺旋天線等離子源和全自動(dòng)控制的真空系統(tǒng),SENTECH控制軟件應(yīng)用遠(yuǎn)程控制總線技術(shù)的以及友好的用戶界面。SI500可以進(jìn)行200mm的晶圓片刻蝕。單片真空裝片裝置保證了工藝穩(wěn)定性,同時(shí)保證工藝可以靈活切換。

SI500刻蝕機(jī)可以實(shí)現(xiàn)多種材料的刻蝕,包括III-V族化合物半導(dǎo)體,電介質(zhì),石英,玻璃,硅、硅化物和金屬。

SENTECH面向高靈活性和高產(chǎn)能的刻蝕和沉積系統(tǒng)提供各種級(jí)別的自動(dòng)化裝置,從預(yù)真空系統(tǒng)到6端口的多工藝腔室裝置。SI500可以作為多腔室工藝模塊。

型號(hào):SI500

ICP plasma etcher
With vacuum loadlock
For up to 200?mm wafers
Substrate temperature from -20?°C to 300?°C


型號(hào):SI500C
Cryogenic ICP plasma etcher
With transfer chamber and vacuum loadlock
Substrate temperature from -150?°C to 400?°C

型號(hào):SI500-300
ICP plasma etcher
With vacuum loadlock
For 300?mm wafers



型號(hào):SI500-RIE
RIE plasma etcher
Smart solution for He backside cooled etching
Capacitive coupled plasma source,
upgradable to ICP plasma source PTSA 200

15700106413
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