Aspen III 基于具有接地法拉第屏蔽的專有 ICP 源設計,為半導體制造商提供經過生產驗證且具有成本效益的剝離和蝕刻解決方案。Aspen III 的平臺設計可處理 200 毫米和 300 毫米晶圓,并支持特殊晶圓處理,包括翹曲和半透明晶圓。的工藝室架構可以滿足業(yè)內的設備制造商跨多個技術節(jié)點的技術要求。
產品特點:
- 平臺
- 200 mm / 300 mm 橋接工具
- 玻璃/石英/半透明晶圓處理
- 翹曲 (> 5 mm) 晶圓處理
- 雙晶圓室設計,獨立晶圓控制
- 單或雙工藝室選項
- 高速機器人
- 真空負載鎖
- 安裝了 500 多個系統(tǒng)
- ICP HT / Strip 處理室
- 專有法拉第屏蔽ICP源
- 還原和氟化學能力
- 耗材成本低
- LiteEtch 工藝室
- 高濃度氟工藝的各向同性蝕刻
- 耐氟室設計
- eHighlands 蝕刻和剝離工藝室
- 偏置能力
- 低溫(10°C 至 80°C)能力
- 低壓(5 mT 至 300 mT)能力
過程:
- 塊狀光刻膠條
- 離子注入后光刻膠去除
- 表面處理
- 表面殘留物去除
- 聚酰亞胺返修/處理
- 光刻返工
- 表面鈍化
- SiN / SiC 勢壘刻蝕
- 抗蝕劑/BARC 回蝕
應用:
- 存儲設備制造
- 邏輯器件制造
- LED制造
- CMOS傳感器制造
- 功率集成電路制造
- MEMS制造
- 傳感器制造
- 晶圓級封裝
- 光電制造
- 模擬/混合信號設備制造