蔡司掃描電鏡Sigma300電子掃描顯微鏡用于高品質(zhì)成像與高級分析的場發(fā)射掃描電子顯微鏡，靈活的探測，4步工作流程，高級的分析性能，將高級的分析性能與場發(fā)射掃描技術(shù)相結(jié)合，利用成熟的 Gemini 電子光學元件。多種探測器可選：用于顆粒、表面或者納米結(jié)構(gòu)成像。Sigma 半自動的4步工作流程節(jié)省大量的時間：設(shè)置成像與分析步驟，提高效率。
蔡司掃描電鏡Sigma300性價比高。Sigma 500 裝配有的背散射幾何探測器，可快速方便地實現(xiàn)基礎(chǔ)分析。任何時間，任何樣品均可獲得精準可重復的分析結(jié)果。
Sigma300電子掃描顯微鏡產(chǎn)品特點：
用于清晰成像的靈活探測
利用*探測術(shù)為您的需求定制 Sigma，表征所有樣品。
利用 in-lens 雙探測器獲取形貌和成份信息。
利用新一代的二次探測器，獲取高達50%的信號圖像。在可變壓力模式下利用 Sigma 創(chuàng)新的 C2D 和 可變壓力探測器，在低真空環(huán)境下獲取高達85%對比度的銳利的圖像。
自動化加速工作流程
4步工作流程讓您控制 Sigma 的所有功能。在多用戶環(huán)境中，從快速成像和節(jié)省培訓首先，先對樣品進行導航，然后設(shè)置成像條件。
首先，先對樣品進行導航，然后設(shè)置成像條件。
接下來對樣品感興趣的區(qū)域進行優(yōu)化并自動采集圖像。最后使用工作流程的步，將結(jié)果可視化。
高級分析型顯微鏡
將掃描電子顯微鏡與基本分析相結(jié)合：Sigma 的背散射幾何探測器大大提升了分析性能，特別是對電子束敏感的樣品。
在一半的檢測束流和兩倍的速度條件下獲取分析數(shù)據(jù)。
獲益于8.5 mm 短的分析工作距離和35°夾角，獲取完整且無陰影的分析結(jié)果。
蔡司掃描電鏡Sigma300性價比高。Sigma 500 裝配有的背散射幾何探測器，可快速方便地實現(xiàn)基礎(chǔ)分析。任何時間，任何樣品均可獲得精準可重復的分析結(jié)果。
Sigma300電子掃描顯微鏡產(chǎn)品特點：
用于清晰成像的靈活探測
利用*探測術(shù)為您的需求定制 Sigma，表征所有樣品。
利用 in-lens 雙探測器獲取形貌和成份信息。
利用新一代的二次探測器，獲取高達50%的信號圖像。在可變壓力模式下利用 Sigma 創(chuàng)新的 C2D 和 可變壓力探測器，在低真空環(huán)境下獲取高達85%對比度的銳利的圖像。
自動化加速工作流程
4步工作流程讓您控制 Sigma 的所有功能。在多用戶環(huán)境中，從快速成像和節(jié)省培訓首先，先對樣品進行導航，然后設(shè)置成像條件。
首先，先對樣品進行導航，然后設(shè)置成像條件。
接下來對樣品感興趣的區(qū)域進行優(yōu)化并自動采集圖像。最后使用工作流程的步，將結(jié)果可視化。
高級分析型顯微鏡
將掃描電子顯微鏡與基本分析相結(jié)合：Sigma 的背散射幾何探測器大大提升了分析性能，特別是對電子束敏感的樣品。
在一半的檢測束流和兩倍的速度條件下獲取分析數(shù)據(jù)。
獲益于8.5 mm 短的分析工作距離和35°夾角，獲取完整且無陰影的分析結(jié)果。
Sigma300電子掃描顯微鏡產(chǎn)品參數(shù)：
分辨率： 1.2nm @15 kV 2.2nm @1kV
放大倍數(shù)：10-1,000,000×
加速電壓：調(diào)整范圍：0.02-30 kV（無需減速模式實現(xiàn)）
探針電流： 4pA-20nA （40nA&100nA可選）
低真空范圍： 2-133Pa （Sigma 300VP可用）
樣品室： 365 mm（φ），275mm（h）
樣品臺：5軸優(yōu)中心全自動
X=125mm
Y=125 mm
Z=50 mm
T=-10o-90o
R=360o 連續(xù)
系統(tǒng)控制：基于Windows 7的SmartSEM操作系統(tǒng)，可選鼠標、鍵盤、控制面板控制。
蔡司掃描電鏡Sigma300產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域：
掃描電鏡(SEM)廣泛地應(yīng)用于金屬材料(鋼鐵、冶金、有色、機械加工)和非金屬材料(化學、化工、石油、地質(zhì)礦物學、橡膠、紡織、水泥、玻璃纖維)等 檢驗和研究。在材料科學研究、金屬材料、陶瓷材料、半導體材料、化學材料等領(lǐng)域進行材料的微觀形貌、組織、成分分析，各種材料的形貌組織觀察，材料斷口分 析和失效分析，材料實時微區(qū)成分分析，元素定量、定性成分分析，快速的多元素面掃描和線掃描分布測量，晶體、晶粒的相鑒定，晶粒尺寸、形狀分析，晶體、晶 粒取向測量。
