半導(dǎo)體清洗污水處理設(shè)備
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半導(dǎo)體清洗廢水處理設(shè)備主要采取的處理工藝：
二次反應(yīng)一級(jí)凝固十一級(jí)沉淀，系統(tǒng)流出離子濃度基本滿足L要求。如果增加次沉淀，作為第二反應(yīng)沉淀次反應(yīng)沉淀的第二階段沉淀反應(yīng)，系統(tǒng)流出離子濃度可以控制在10毫克。
濃氨不脫吸收工藝-含溴廢水的第二階段沉淀工藝(含溴廢水和CMP研磨廢水混合處理)-三級(jí)酸堿和處理工藝。
直接投入二級(jí)反應(yīng)組、酸堿原液，運(yùn)行水不穩(wěn)定，藥劑消耗大。
反沖洗過(guò)濾器是利用過(guò)濾器直接攔截水中雜質(zhì)，去除水體懸浮物、顆粒物，降低濁度，凈化水質(zhì)，減少系統(tǒng)污垢、菌藻、腐蝕等，凈化水質(zhì)，恒沃創(chuàng)科系統(tǒng)其他設(shè)備正常運(yùn)行的設(shè)備。反沖洗過(guò)濾器處理的水質(zhì)不僅達(dá)到國(guó)家規(guī)定的廢水排放標(biāo)準(zhǔn)，反沖洗過(guò)濾器處理的水源還可以重復(fù)使用，可以回收利用，從而節(jié)約水資源。
在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，通過(guò)一系列的光刻、刻蝕、沉積、離子注入、研磨、清洗等工藝形成具有各種功能的半導(dǎo)體芯片，然后將所述半導(dǎo)體芯片進(jìn)行封裝和電性測(cè)試，并最終形成終端產(chǎn)品。
目前，在半導(dǎo)體芯片的制造過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生大量的工業(yè)廢水且芯片制造生產(chǎn)工藝復(fù)雜，包括硅片清洗、化學(xué)氣相沉積、刻蝕等工序反復(fù)交叉，生產(chǎn)中使用了大量的化學(xué)試劑如HF、H2SO4、NH3・H2O等。所以一般芯片制造廢水處理系統(tǒng)有含氨廢水處理系統(tǒng)+含氟廢水處理系統(tǒng)+CMP。
在現(xiàn)有的廢水處理過(guò)程中，通常單獨(dú)使用序列間歇式活性污泥法(SBR)或生物接觸氧化法或曝氣生物濾池(BAF)，均只能對(duì)廢水進(jìn)行單一的處理，例如為過(guò)濾或微生物反應(yīng)或去除毒性等，由于處理方式過(guò)于單一，這常常導(dǎo)致過(guò)濾物質(zhì)很快堵塞的問(wèn)題。因此，廢水處理仍有改善的空間。
半導(dǎo)體清洗廢水主要來(lái)自硅清洗、半導(dǎo)體零部件、零部件清洗、電鍍、酸洗等工藝。上述廢水的主要特征是高氨氮、高磷、含氟、含重金屬等。
針對(duì)半導(dǎo)體集成電路部件生產(chǎn)產(chǎn)生的電鍍廢水、酸堿廢水，研究流量控制、藥劑用量、反應(yīng)攪拌強(qiáng)度，提出合理的處理工藝，確保廢水處理符合排放標(biāo)準(zhǔn)。
半導(dǎo)體清洗污水處理設(shè)備
