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JSM-7200F的電子光學系統(tǒng)應用了日本電子旗艦機-JSM-7800F Prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術(shù)，標配TTLS系統(tǒng)（Through-The-Lens System），無論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統(tǒng)機型有了很大的提升。此外，保證300nA的束流，能兼顧高分辨率觀察和高通量分析，具有充實的自動功能和易用性，是新一代的多功能場發(fā)射掃描電鏡。
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＜特點＞
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JSM-7200F的主要特點有：應用了浸沒式肖特基電子槍技術(shù)的電子光學系統(tǒng)；利用GB（Gentle Beam 模式）和各種檢測器在低加速電壓下能進行高分辨觀察和選擇信號的TTLS系統(tǒng)（Through-The-Lens System）；電磁場疊加的混合式物鏡。
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浸沒式肖特基電子槍
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浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍為日本電子的技術(shù)，通過對電子槍和低像差聚光鏡進行優(yōu)化，能有效利用從電子槍中發(fā)射的電子，即使電子束流很大也能獲得很細的束斑。因而可以實現(xiàn)高通量分析（EDS、WDS面分析、EBSD分析等）。
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TTLS（through-the-lens系統(tǒng)）
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TTLS（through-the-lens系統(tǒng)）是利用GB(Gentle Beam 模式）在低加速電壓下能進行高分辨率觀察和信號選擇的系統(tǒng)。 利用GB（Gentle Beam 模式）通過給樣品加以偏壓，對入射電子有減速、對樣品中發(fā)射出的電子有加速作用，即使在低加速電壓（入射電壓）下，也能獲得信噪比良好的高分辨率圖像。
此外，利用安裝在TTLS的能量過濾器過濾電壓，可以調(diào)節(jié)二次電子的檢測量。這樣在極低加速電壓的條件下，用高位檢測器（UED）就可以只獲取來自樣品淺表面的大角度背散射電子。因過濾電壓用UED沒有檢測出的低能量電子，可以用高位二次電子檢測器（USD，選配件）檢測出來，因此JSM-7200F能同時獲取二次電子像和背散射電子像。
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混合式物鏡（電磁場疊加）
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JSM-7200F的物鏡采用了本公司新開發(fā)的混合式透鏡。
這種混合式透鏡是組合了磁透鏡和靜電透鏡的電磁場疊加型物鏡，比傳統(tǒng)的out-lens像差小，能獲得更高的空間分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性，所以可以觀察和分析磁性材料樣品。
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應用實例
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◇ 利用混合式物鏡、GB（Gentle Beam 模式）進行觀察的實例
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利用低像差的混合式物鏡和GB 模式，即使對不導電樣品也能在極低的加速電壓下進行高分辨率成像。
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樣品: 介孔二氧化硅 （中國上海交通大學車順愛教授）
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◇ 使用高位檢測器（ＵＥＤ）、能量過濾器進行觀察的實例
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下圖是利用UED在低加速電壓條件下獲得的背散射電子像。由于是大角度散射電子成像，成份信息非常豐富，但加速電壓為0.8kV比在5kV時的測試，能獲得更細微的淺表面信息。象這樣在極低加速電壓下要獲取樣品淺表面的背散射電子成份像，不僅需要高位檢測器，還需要用來去除二次電子的能量過濾器。
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樣品：鍍金表面, 能量過濾器： -250 V
技術(shù)參數(shù)
JSM-7200F JSM-7200FLV
| 分辨率 | 1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV) | 1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV)，1.8nm (30kV, LV ) |
| 放大倍率 | ×10～×1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30～×3,000,000(1280 x 960pixels display); | |
| 加速電壓 | 0.01kV～30kV | |
| 束流 | 1pA～300nA | |
| 自動光闌角控制透鏡ACL | 內(nèi)置 | |
| 大景深模式 | 內(nèi)置 | |
| 檢測器 | 高位檢測器(UED)、低位檢測器(LED) | |
| 樣品臺 | 5軸馬達驅(qū)動樣品臺 | |
| 樣品移動范圍 | X：70mm Y：50mm Z：2mm～41mm 傾斜－5～＋70° 旋轉(zhuǎn)360° | |
| 低真空范圍 | - | 10pa～300pa |
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主要選配件
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可插拔式背散射電子探頭（RBED）
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高位二次電子探頭（USD）
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低真空二次電子探頭（LV-SED）
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能譜儀（EDS)
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波譜儀（WDS）
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電子背散射衍射系統(tǒng)（EBSD)
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陰極熒光系統(tǒng)（CLD）
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樣品臺導航系統(tǒng)（SNS）
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電子束曝光系統(tǒng)
