產(chǎn)品介紹
失效分析是在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)開發(fā)、改進(jìn)，產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義，是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過分析和驗(yàn)證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。
我們?yōu)榭蛻籼峁┑碾婌o檢測分析服務(wù)為：場發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡、鎢燈絲掃描電子顯微鏡、冷場發(fā)射掃描電子顯微鏡、透視電子顯微鏡、場發(fā)射透射電子顯微鏡。
設(shè)備名稱：場發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡
型號：Quanta 400 FEG
廠家：美國FEI
主要用途：
? 可在高真空、低真空（130Pa)、環(huán)境真空(4000Pa)下觀察導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品，對材料的表面和橫截面的微觀形貌、成分進(jìn)行分析，廣泛應(yīng)用于金屬材料、高分子材料、半導(dǎo)體材料、納米材料等領(lǐng)域；
? 配備的Apollo40 SDD能譜無需液氮制冷，可進(jìn)行快速的點(diǎn)、線、面分布分析，獲得能譜的mapping圖譜；
? 其樣品室直徑達(dá)284 mm，對于直徑達(dá)四英寸硅片可以直接進(jìn)行測試，無需對樣品進(jìn)行分割處理；
? 附件MonoCL3+陰極熒光譜儀不僅可以測量材料微區(qū)在電子束激發(fā)下的發(fā)光光譜，而且可以進(jìn)行成像 顯示，從而可以對樣品的禁帶寬度、雜質(zhì)缺陷等進(jìn)行表征，獲取更為豐富的信息；? 可以測量材料的電子束感生電流（EBIC）,從而獲得材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷等信息，與陰極熒光測量互為補(bǔ)充。
主要配置：
? MonoCL3+陰極熒光譜儀，波長范圍160-930nm
? 電子束感生電流（EBIC）
? STEM探測器
? Apollo 40 SDD能譜儀
? 液氮冷臺，溫度范圍為-185℃- +200℃
? 液氦冷臺，溫度范圍為6K-300K
性能指標(biāo)：
? 肖特基場發(fā)射電子槍
? 加速電壓：200V-30 kV
? 放大倍數(shù)：12-2,000,000
? 分辨率：
高真空:
- 0.8nm at 30kV (STEM)
- 1.2nm at 30kV (SE)
- 2.5nm at 30kV (BSE)
- 3.0nm at 1kV (SE)
低真空:
- 1.5nm at 30kV (SE)
- 2.5nm at 30kV (BSE)
- 3.0nm at 3kV (SE)
環(huán)境真空:
- 1.5nm at 30kV (SE)
? 樣品室：284mm，5軸馬達(dá)臺
? EDS分辨率:優(yōu)于136 eV，可分析包括B5以上的所有元素
