關(guān)聯(lián)顯微鏡技術(shù)
解決方案的優(yōu)點(diǎn)
為了獲得樣品的實(shí)質(zhì)，需要經(jīng)常使用多種方法進(jìn)行分析。從微米級到納米級的觀察需要將光學(xué)與電子顯微鏡（CLEM）或X射線顯微鏡與FIB-SEM聚焦離子束掃描電子顯微鏡（CXF）進(jìn)行相關(guān)聯(lián)。蔡司的關(guān)聯(lián)顯微鏡技術(shù)為您提供了集成化的解決方案和無縫銜接的工作流程。選擇蔡司作為光學(xué)顯微鏡、電子顯微鏡、離子束顯微鏡和X射線顯微鏡的供應(yīng)商，并從多年的關(guān)聯(lián)分析經(jīng)驗中受益。選擇以樣品為中心的圖像和數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)技術(shù)，使您的研究工作超越單一顯微鏡能夠達(dá)到的技術(shù)界限。
- 獲得對樣品的見解
- 無縫地從微米級別轉(zhuǎn)移到納米級別
- 采用簡化的工作流程在更短的時間內(nèi)獲取更多數(shù)據(jù)
- 受益于強(qiáng)大的圖像和數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)處理性能
- 從2D到4D獲取，處理和分析數(shù)據(jù)
- 使用關(guān)聯(lián)顯微鏡技術(shù)中的蓋玻片和夾具進(jìn)行準(zhǔn)確和高效的工作
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蔡司關(guān)于增材制造的關(guān)聯(lián)顯微鏡技術(shù)解決方案
深入理解并改善缺陷檢測，并從根源抑制缺陷產(chǎn)生
特點(diǎn)
- 深入了解缺陷的產(chǎn)生; 如雜質(zhì)，殘留物，不正確的幾何形狀
- 了解 CAD圖紙中的材料屬性，粉末質(zhì)量，激光參數(shù)和布局等屬性的影響
- 使用高襯度，高分辨率成像以區(qū)分材料中不同的相
- 在微觀結(jié)構(gòu)內(nèi)非破壞性地確認(rèn)三維亞表面特征
蔡司關(guān)聯(lián)顯微鏡技術(shù)已被證實(shí)可成功識別3D打印部件中的雜質(zhì)，并通過應(yīng)用多個工作流程來了解其產(chǎn)生原因。蔡司Xradia Versa被用來進(jìn)行大范圍掃描，然后將可疑的亮點(diǎn)位置轉(zhuǎn)移到蔡司 Crossbeam中，并用蔡司Atlas 5重新定位，最后利用EDX進(jìn)行分析。這種方法可以識別雜質(zhì)的來源，這些雜質(zhì)往往來自于之前的3D打印作業(yè)，由于使用了不同的粉末材料而未能清潔粉末容器而引入的。
蔡司關(guān)于研究納米顆粒結(jié)構(gòu)和化學(xué)分析的關(guān)聯(lián)顯微技術(shù)
提供納米級別材料的定量，高分辨率分析
特點(diǎn)
- 納米顆粒和納米材料的可視化
- 觀察納米材料的結(jié)構(gòu)信息
- 對輕元素和官能團(tuán)的量化研究
為了使用光學(xué)顯微鏡檢測納米顆粒和納米材料（如石墨烯），研究人員使用蔡司Axio Imager顯微鏡優(yōu)異的偏振光襯度，并將其與蔡司全干涉襯度（TIC）模塊相結(jié)合，使得可以對納米材料的厚度進(jìn)行檢測。接下來，使用關(guān)聯(lián)顯微鏡技術(shù)，使蔡司 FE-SEM可對石墨烯薄片重新定位，以便能夠觀察其結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分。由于類似碳元素和官能團(tuán)之類的輕元素通過EDX無法進(jìn)行表征，研究人員使用蔡司原位拉曼顯微鏡（RISE）進(jìn)行研究，從而獲得石墨烯片的質(zhì)量信息。
關(guān)聯(lián)顯微鏡顆粒度分析 - 更豐富的圖像信息、更高的圖像質(zhì)量。
表征對工藝流程起決定性作用的顆粒。關(guān)聯(lián) Particle Analyzer 將光學(xué)顯微鏡與電子顯微鏡兩者的分析數(shù)據(jù)相結(jié)合。使用光學(xué)顯微鏡檢測到顆粒后，您可以借助蔡司關(guān)聯(lián)顯微鏡顆粒度分析自動完成顆粒的重定位和 EDX 分析。它是完整表征殘留顆粒的理想方法。
關(guān)聯(lián) Particle Analyzer 會以報告的形式自動記錄光學(xué)顯微鏡和電子顯微鏡兩者的分析結(jié)果。關(guān)聯(lián)顯微鏡顆粒度分析儀比單獨(dú)先使用光學(xué)顯微鏡然后再使用電子顯微鏡的分析方案速度要快 10 倍多。
