太倉研磨廢水處理質優(yōu)價廉

在集成電路封裝制作歷程中會對晶片進行切割和研磨，并且會運用超純水進行洗凈，這樣就發(fā)生了少量的切割研磨廢水。目前國內很多的廠家是采取加藥混凝積淀和濾袋過濾方法處理的，出水到達污水綜合處理達標排放的規(guī)范，有一些廠家盡管是采取膜法過濾處理廢水，但膜梗塞重大，清洗頻繁，少量使用化學藥劑，運行老本昂揚。

半導體研磨廢水的處理方法，其特性在于，包含如下步驟：

（1）通過廢水搜集箱搜集硅片研磨發(fā)生的廢水；

（2）應用水泵將廢水泵入多介質過濾器進行一次過濾；

（3）將經過一次過濾的水送入保安過濾器進行第二次過濾，所述的保安過濾器用于掩護超濾膜；

（4）將經過第二次過濾的水送入超濾膜過濾安裝中進行第三次過濾；

（5）通過SDI測定儀或許濁度儀測定并判定經過第三次過濾的水能否契合欲先設定的規(guī)范請求，如契合規(guī)范請求，送入產水箱；如不契合規(guī)范的請求， 送入廢水搜集箱反復步驟S1至S4。

生物接觸氧化法、SBR、A/O及A2/O等。常用的A/O處理技術的原理是，在缺氧池中微生物將污水中的硝酸鹽氮和亞硝酸鹽氮還原成氣態(tài)氮逸出，同時將難降解大分子有機物分解為小分子易降解物質，具有脫氮、水解和降解部分有機物的作用；在好氧池中，大部分有機物被微生物處理，并進入二沉池進行泥水分離，經消毒后排出。 A/O工藝在脫硝的同時降解有機物，使需氧量大大減少，是節(jié)能型的生物處理技術。為了維持較高的硝化率，反應停留時間比普通活性污泥法長，污泥沉降性能好，污泥增長率低，剩余污泥量少，沉降性能好。水解酸化池的出水自流入生物接觸池, 通過好氧微生物的作用，將廢水中的污染物分解、轉化為H2O、CO2 、Nspan 等物質，大幅度去除廢水中COD、BOD。接觸氧化池出水進入MBR膜超濾系統(tǒng)進行泥水分離，消毒后出水各項污染指標達到規(guī)定的排放標準. 洗衣廢水經過上述系統(tǒng)處理后可重新進行回用，去除硬度后，還有利于減少洗滌劑的用量，而且衣物更易清洗干凈。整個系統(tǒng)也維持著良性循環(huán)的狀態(tài)。在接觸氧化過程中采用三級接觸氧化即能確保廢水的排放，可有效地節(jié)省能源。二沉池為豎流式結構，上升流速為0.3~0.4mm/s，沉降下來的污泥輸送到污泥池。污泥池用來消化污泥，污泥池上清液輸送至生化反應池部分，進行再處理。污泥池消化后的剩余污泥很少，一般1~2年清理一次，清理方法可用吸糞車從檢查孔伸入污泥池底部進行抽吸，由二沉池排出的上清液進入消毒池消毒處理后排放。按規(guī)范考慮消毒池接觸時間大于30min。

半導體產業(yè)是近些年來中國工業(yè)發(fā)展中引人注目的先進產業(yè)，具有很大的市場和發(fā)展?jié)摿?，在將半導體晶圓變成具有各種功能的終端產品的過程中，根據(jù)產品要求及設定的尺寸大小，需要對晶圓進行研磨和切割處理，同時在研磨和切割過程中使用水對晶圓進行清洗，這樣就產生了大量的研磨和切割廢水。研磨和切割廢水中的主要污染物為懸浮顆粒物(亞微米級硅粉、納米級的金剛石磨料顆粒等)和清洗劑，此類廢水的特點是懸浮物濃度高，質量輕，極難沉淀，外觀渾濁，生化性比較差而且一般呈現(xiàn)弱堿性。在沒有外加化學品的情況下，其有機物、氮、磷含量很低，幾乎可以忽略不計。

現(xiàn)有的研磨和切割廢水處理系統(tǒng)中，主要有化學混凝沉淀處理、膜過濾處理、吸附法處理等，其中以化學混凝比較常見，但是用一般PAC/PAM處理對極細小的懸浮物處理效果不佳且沉降很慢，使處理后的水不易被回收再利用?，F(xiàn)我司有礦粉絮凝藥劑，可以將此類廢水里的難溶小顆粒有效聚團并快速沉降，有利于廢水回用。

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產品測試：

此款礦粉絮凝劑適用于所有工業(yè)廢水中 SS 的去除，主要側重對清洗類廢水的處理，如有色、有味、高懸浮物廢水的處理，本產品中含有的比面積大的多孔性物質，具有很強的表面活性，吸附能力強；同時兼具一定的除磷及 COD 去除功能，且污泥性狀較好。

案例介紹：

某半導體制造企業(yè)，原有工藝用PAC/PAM處理，絮體顆粒細小且沉降慢，對其后道膜過濾回收利用沖擊較大，使用我司的礦粉絮凝劑后，絮體/礬花聚團且沉降速度快，縮短了工藝沉淀時間，大大提高客戶的膜處理回用效率。

半導體工業(yè)是一個十分依賴水資源的行業(yè)，也是高耗水的行業(yè)，尤其在水資源有限的情形下，限水、缺水對半導體生產企業(yè)的營運產生巨大壓力。因此， 對半導體生產企業(yè)節(jié)約用水的研究與實踐，有助于提升用水效益，降低用水成本。目前，節(jié)約用水、中水回用、廢水的回收利用已成為半導體業(yè)者應對缺水危機的重要措施，特別是廢水的回收利用，既能減少對水資源的需求，又能降低生產成本，同時也減少對環(huán)境的污染。

半導體工業(yè)廢水主要包括兩部分：硅圓片切割及研磨的廢水及半導體器件封裝外殼的電鍍廢水。其中半導體器件封裝外殼的電鍍廢水主要是指半導體集成電路器件封裝外殼的電鍍廢水以及半導體分立器件封裝外殼的電鍍廢水，即在所述封裝外殼的金屬零部件上分層電鍍起導電及防腐作用的金屬層時產生的廢水，其中的污染物主要是酸和堿及錫、鉛、銅、鎳等金屬離子，以及有機物和有機絡合物等；其中的硅圓片切割及研磨的廢水產生于硅圓片的切割研磨工序中，其中含有大量的亞微米級硅顆粒、數(shù)十納米以下的金剛砂磨料顆粒及清洗劑。

在現(xiàn)有技術中，上述電鍍廢水及研磨廢水通常采用分流處理的方法。其中電鍍廢水處理目前大多采用化學還原、沉淀、吸附、微電解、蒸發(fā)以及離子交換等方法，這些廢水處理方法中，(1)需要使用大劑量的氫氧化鈉、絮凝劑等，處理過程中產生大量的有害重金屬污泥；(2)處理系統(tǒng)占地面積大，流程繁瑣； (3)操作復雜，由于這部分生產廢水水質不穩(wěn)定，導致出水水質不穩(wěn)定，從而無法直接回收利用水資源。