半導體高溫高濕反偏實驗系統(tǒng)BW-H3TRB-C16
■每通道為 48 工位,48 工位中每個工位可進行 Tj 測試
■適用于各種封裝類型的二極管、三極管、SCR、MOSFET(支持耗盡型)、IGBT 單管、IGBT 模塊、IPM 模塊、橋堆等進行高溫高濕反偏試驗
■試驗線路及試驗方法滿足 MIL-STD-750 Method 1037 及 AEC Q101 相關(guān)標準要求
■80 顆/每通道×16 通道=1280 顆(滿載實驗數(shù)量)
■系統(tǒng)平均無問題運行時間≥10000 小時
技術(shù)特點 Technical characteristics
■實時監(jiān)測每個器件的反偏電壓、漏電流;
■Max電壓可達6000V;;
■對于模塊上下橋可同時加電同時監(jiān)測漏電;
■整個試驗過程的數(shù)據(jù)(漏電流、反偏電壓、溫度、濕度) 記錄并存儲。并輸出為Excel 報表和繪制全過程漏電流IR 曲線
■設(shè)定漏電上限可快速切斷該回路電壓;
■可根據(jù)用戶的需求,定制各種老化板及測試程序。