MIRA3 高束流下優(yōu)異的分辨率非常有利于 EDS、WDS 及 EBSD 成分分析。借助優(yōu)化的電子束減速技術(shù) ( BDT ) 使得低著陸電壓下的成像能力進(jìn)一步增強(qiáng)。MIRA3 有 LM、XM 和 GM三種優(yōu)化幾何設(shè)計(jì)的樣品室尺寸可供選擇，同時(shí)可選擇高/低真空操作環(huán)境。
突出特點(diǎn)
- 配置高亮度肖特基電子槍，實(shí)現(xiàn)高分辨率，大束流及低噪聲成像；
- *的中間透鏡（IML）技術(shù)和 Wide Field Optics™光路相配合，可提供多種工作和顯示模式，如大視野模式和景深模式；
- 實(shí)時(shí)電子束追蹤技術(shù)(In-Flight Beam Tracing™)可實(shí)現(xiàn)性能及電子束的實(shí)時(shí)優(yōu)化，同時(shí)可直接控制電子束及束流的連續(xù)調(diào)節(jié)。電子束減速技術(shù) ( BDT ) 在低電壓下具有優(yōu)異分辨率；
- 通過(guò)強(qiáng)大的 In-Beam 探測(cè)器可實(shí)現(xiàn)短工作距離下的優(yōu)異成像（選配）；
- 所有的 MIRA3 倉(cāng)室均配備優(yōu)異的 5 軸全自動(dòng)優(yōu)中心樣品臺(tái) (compucentric stage)同時(shí)擁有 EDS 和 EBSD 分析所需的理想幾何結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；
- 可選配帶有強(qiáng)大樣品臺(tái)的超大樣品室（XM、GM），可檢測(cè)大樣品 (如6", 8", 12")晶圓；
- 優(yōu)化幾何設(shè)計(jì)的眾多接口，可用于接入 EDS、WDS、EBSD 以及其他探測(cè)器；
- 可變真空模式適用于非導(dǎo)電樣品研究；
- 多樣可選擇的減震方式可有效降低實(shí)驗(yàn)室環(huán)境振動(dòng)的影響；
- 無(wú)畸變 EBSD 花樣。
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