蔡司Crossbeam系列的FIB-SEM結(jié)合了場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)出色的成像和分析性能，和新一代聚焦離子束(FIB)優(yōu)異的加工性能。無論是在科研或是工業(yè)實驗室，您都可以在一臺設(shè)備上實現(xiàn)多用戶同時操作。得益于蔡司Crossbeam系列模塊化的平臺設(shè)計理念，您可以根據(jù)自己需求的變化隨時升級儀器系統(tǒng)。在加工、成像或是實現(xiàn)三維重構(gòu)分析時，Crosssbeam系列都將大大提升您的應用體驗。
使用Gemini電子光學系統(tǒng)，您可以從高分辨率SEM圖像中提取真實樣本信息
使用新的Ion-sculptor FIB鏡筒以及全新的樣品處理方式，您可以大限度地提高樣品質(zhì)量、降低樣品損傷，同時大大加快實驗操作過程
使用Ion-sculptor FIB的低電壓功能，您可以制備超薄的TEM樣品，同時將非晶化損傷降到非常低
使用Crossbeam 340的可變氣壓功能
或使用Crossbeam 550實現(xiàn)更苛刻的表征，大倉室甚至為您提供更多選擇
EM樣品制備流程
按照以下步驟，高效率、高質(zhì)量地完成制樣
Crossbeam 為制備超薄、高質(zhì)量的TEM樣品提供了一整套解決方案，您可以高效地準備樣品，并在TEM或STEM上實現(xiàn)透射成像模式的分析。
1.自動定位——感興趣的區(qū)域(ROI)輕松導航
您可以不費功夫地找到感興趣的區(qū)域(ROI)
使用樣品交換室的導航相機對樣品進行定位
集成的用戶界面使得您可以輕松定位到ROI
在SEM上獲得寬視野、無畸變的圖像
2. 自動制樣——從體材料開始制備薄片樣品
您可以通過簡單的三個步驟制備樣品：ASP(自動樣品制備)
定義參數(shù)包括漂移修正，表面沉積以及粗切、精細切割
FIB鏡筒的離子光學系統(tǒng)保證了工作流程具有的通量
將參數(shù)導出為副本，進而可以重復操作實現(xiàn)批量制備
3. 輕松轉(zhuǎn)移——樣品切割、轉(zhuǎn)移機械化
導入機械手，將薄片樣品焊接在機械手的針尖上
將薄片樣品與樣品基體連接部分進行切割，使其分離
薄片隨后會被提取并轉(zhuǎn)移到TEM柵網(wǎng)上
4. 樣品減薄——獲取高質(zhì)量TEM樣品至關(guān)重要的一步
儀器在設(shè)計上允許用戶實時監(jiān)控樣品厚度，并最終達到所需求的目標厚度
您可以同時通過收集兩個探測器的信號判斷薄片厚度，一方面可以通過SE探測器以高重復性獲取最終厚度，另一方面可以通過Inlens SE 探測器控制表面質(zhì)量
制備高質(zhì)量的樣品，并將非晶化損傷降到可以忽略的地步
| 蔡司 Crossbeam 340 | 蔡司 Crossbeam 550 | |
|---|---|---|
| 掃描電子束系統(tǒng) | Gemini I VP 鏡筒 - | Gemini II鏡筒 可選Tandem decel |
| 樣品倉尺寸和接口 | 標準樣品倉有18個擴展接口 | 標準樣品倉有18個擴展接口或者加大樣品倉有22個擴展接口 |
| 樣品臺 | X/Y方向行程均為100mm | X/Y方向行程：標準樣品倉100mm加大樣品倉153 mm |
| 荷電控制 | 荷電中和電子槍 局域電荷中和器 可變氣壓 | 荷電中和電子槍 局域電荷中和器
|
| 可選選項 | Inlens Duo探測器可依次獲取SE/EsB圖像 VPSE探測器 | Inlens SE 和 Inlens EsB可同時獲取SE和ESB成像 大尺寸預真空室可傳輸8英寸晶元 注意加大樣品倉可同時安裝3支壓縮空氣驅(qū)動的附件。例如 STEM, 4分割背散射 探測器和局域電荷中和器 |
| 特點 | 由于采用了可變氣壓模式，從而具有更大范圍的樣品兼容性，適用于各類原位實驗，可依次獲取SE/EsB圖像 | 高效的分析和成像，在各種條件下保持高分辨特性，同時獲取Inlens SE和Inlens ESB圖像 |
| *SE 二次電子，EsB 能量選擇背散射電子 |
