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BBO，LBO，KTP, KDP，DKDP, ZGP, Lithium niobate, AgGaSe2, CdSe, AgGaS2, GaSe晶體

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公司名稱深圳維爾克斯光電有限公司
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廠商性質(zhì)其他
更新時(shí)間2024/2/29 16:19:01
訪問次數(shù)234

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公司介紹主營產(chǎn)品

深圳維爾克斯光電有限公司是的進(jìn)口光電代理商，代理的激光、光電、光機(jī)械類產(chǎn)品，應(yīng)用涵蓋物理與光學(xué)、化學(xué)、材料、生命科學(xué)等領(lǐng)域。我們與國內(nèi)各大高校、研究所、激光設(shè)備公司和及精密儀器公司保持著緊密的聯(lián)系，提供針對(duì)不同應(yīng)用的專業(yè)技術(shù)支持。維爾克斯光電在衍射光學(xué)、微光學(xué)、太赫茲元件、、光束分析儀、太陽光模擬器、顯微鏡載物臺(tái)、紅外熱像儀、電控平移臺(tái)、紅外探測器、光學(xué)儀器等領(lǐng)域具有多年的產(chǎn)品和技術(shù)積累，能夠?yàn)橛脩籼峁└鞣N高性價(jià)比的解決方案。

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產(chǎn)品簡介在線詢價(jià)

非線性光學(xué)晶體用于許多不同的非線性參數(shù)應(yīng)用中。比如二次諧波產(chǎn)生，差頻產(chǎn)生，光參量放大等。必須選擇適當(dāng)?shù)木w才能將其用于特定應(yīng)用。它應(yīng)具有：在所需光譜范圍內(nèi)的透明度，足夠的雙折射以進(jìn)行相位匹配，高非線性系數(shù)，高光學(xué)損傷閾值。Optogama目前提供以下非線性晶體：BBO，LBO，KTP, KDP，DKDP, ZGP, Lithium niobate, AgGaSe2, CdSe, AgGaS2, G......

BBO，LBO，KTP, KDP，DKDP, ZGP, Lithium niobate, AgGaSe2, CdSe, AgGaS2, GaSe晶體產(chǎn)品信息

非線性光學(xué)晶體

非線性晶體指有非線性光學(xué)效應(yīng)的晶體，廣義指在強(qiáng)光或外場作用下能產(chǎn)生非線性光學(xué)效應(yīng)的晶體。通常將強(qiáng)光作用下產(chǎn)生的稱為非線性光學(xué)晶體。立陶宛Optogama公司為基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究和工業(yè)應(yīng)用提供不同的非線性晶體。晶體生產(chǎn)技術(shù)有：Stepanov，Kyropoulos，CZ，溫度梯度法，通量法。目前能提供的晶體有以下9種：BBO，LBO，KTP, KDP，DKDP, ZGP, Lithium niobate, AgGaSe2, CdSe, AgGaS2, GaSe晶體。

KDP，DKDP晶體主要特點(diǎn)：

-優(yōu)良的紫外線輻射傳輸

-高激光損傷閾值

-可根據(jù)要求提供定制晶體

KDP，DKDP晶體主要應(yīng)用：

-Nd摻雜激光器的倍頻器、三倍頻器和四倍頻器

-Ti：藍(lán)寶石，綠寶石，Nd摻雜激光器的調(diào)Q開關(guān)

KDP，DKDP晶體技術(shù)特性：

化學(xué)公式	KH₂PO₄(KDP)	KD₂PO₄ (DKDP)
晶體結(jié)構(gòu)	四邊形，42m	四邊形，42m
晶格參數(shù)	負(fù)單軸(NO>Ne)	負(fù)單軸(NO>Ne)
密度	2.332克/cm³	2.355克/cm³
Mohs硬度	2.5	2.5
透光范圍	180 nm-1.5μm	200 nm-2μm
折射率@1，06μm	no=1.4938，ne = 1.4599	no=1.4931，ne = 1.4582
KDP Sellmeier方程@T=293 K(λinμm)	no2=2.259276+13.00522λ2/(λ)2-400)+0./(λ)2 - (77,26408)-1); ne2=2.132668+3.2279924λ2/(λ)2-400)+0.008637494/(λ)2 - (81.42631)2)
Sellmeier方程@T=293K(λinμm)	no2=2.240921+2.246956λ2/(λ)2 - (11.26591)2)+0.009676/(λ)2 - (0.124981)2); ne2=2.126019+0.784404λ2/(λ)2- (11.10871)2)+0.008578/(λ)2 - (0.109505)2)

鈮酸鋰晶體主要特點(diǎn)：

-透光率范圍從420 nm到5200 nm

-高非線性電光和聲光系數(shù)

-非吸濕性，機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性。

鈮酸鋰晶體主要應(yīng)用：

-電光調(diào)制與Q開關(guān)

-1064 nm泵浦光參量振蕩器

-周期極化鈮酸鋰準(zhǔn)相位匹配器件）

鈮酸鋰晶體技術(shù)特性：

化學(xué)公式	LiNbO₃
晶體結(jié)構(gòu)	三角形，3m
光學(xué)對(duì)稱性	負(fù)單軸(N)o>ne)
密度	4.64克/厘米3
Mohs硬度	5
透明度范圍	4 2 nm-5.2μm
Sellmeier方程(λinμm)	no2=4.9048+0.11768/(λ)2-0.04750)-0.027169λ2; n_e²=4，5820+0，099169/(λ)²-0.04443)-0.021950λ²
折射率@1064 nm	no=2.220，ne = 2.146

ZGP晶體的主要特點(diǎn)：

-有效傳輸范圍從2μm到12μm

-高非線性(D)36=下午75：00/V@96μm)

-相對(duì)較高的損傷閾值(>60 mW/cm2)

ZGP晶體的主要應(yīng)用：

-用OPO和DFG技術(shù)產(chǎn)生中波、長波紅外連續(xù)可調(diào)諧輻射

-CO2和CO激光基波波長的諧波產(chǎn)生

-太赫茲距離頻率的產(chǎn)生

ZGP晶體的技術(shù)特性：

化學(xué)公式	ZnGeP₂
晶體結(jié)構(gòu)	四邊形，42m
晶格參數(shù)	A=5.465 a，c=10.708
光學(xué)對(duì)稱性	正單軸(N)e>no)
密度	4.162克/厘米3
Mohs硬度	5.5
透明度范圍@“0”透過率水平	0.74-12μm
Sellmeier方程@0.54-12.9μm(λinμm)	no2=11.6413+0.69363/(λ)2 – 0.21967) + 1586.06/(λ)² – 832.75); n_e²=12.1438+0.75255/(λ)² – 0.21913) + 2061.68/ (λ)² – 951.07)
折射率@10.5μm	no=3 0738，ne = 3,1137
導(dǎo)熱系數(shù)@T=293 K	36(\x{e76f}c)-1K-1，35(⊥c)Wm-1K-1
激光損傷閾值	60兆瓦/厘米2@10.6μm，100 ns

BBO晶體主要特點(diǎn)：

-寬透光率范圍從188 nm～5.2μm(合適的透明度@3μm-5.2μm，幾十μm厚的晶體)

-在幾乎整個(gè)透明范圍內(nèi)各種二階非線性相互作用的寬相位匹配范圍

-寬熱接收帶寬

-所有紫外非線性晶體中的非線性

-高激光損傷閾值

-超薄晶體可用于超快(<10 fs)的應(yīng)用

-可根據(jù)要求提供定制晶體

BBO晶體主要應(yīng)用：

-脈沖摻雜Nd的激光晶體的諧波產(chǎn)生（最多五分之一）

-脈沖摻Yb鈦晶體染料激光器的倍頻、三倍頻

-廣泛可調(diào)的I型和II型光學(xué)參量振蕩器

-通過FROG，XFROG，SPIDER，色散掃描，線性調(diào)頻掃描方法表征超短激光脈沖

BBO晶體技術(shù)特性：

化學(xué)公式	β-Bab2O4
晶體結(jié)構(gòu)	菱形，3m
晶格參數(shù)	A=12，532 a，c=12，717
光學(xué)對(duì)稱性	負(fù)單軸(N)o>ne)
密度	3，85克/厘米3
Mohs硬度	4 - 4,5
透光范圍	188 nm-5.2um，對(duì)于薄晶體，合理范圍為3~5.2μm(極少數(shù)10μm)。
色散方程@188 nm-5.2m(λ(M))	no2=1+0.90291λ2/(λ)2-0，003926)+0.83155λ2/(λ)2-0，018786)+0.76536λ2/(λ)2 – 60.01);
折射率@1064 nm	n_o=1.6551；n_e = 1.5426

LBO晶體主要特點(diǎn)：

-寬透光率范圍從155 nm到3200 nm。

-無光致變色損傷(灰色跟蹤)

-常見非線性晶體中的損傷閾值

-室溫下的偏離角小，非關(guān)鍵相位匹配（NCPM）時(shí)沒有偏離角

-溫度可調(diào)的I型和II型非臨界相位匹配

-可根據(jù)要求提供超拋光和定制晶體。

LBO晶體主要應(yīng)用：

-和頻產(chǎn)生532 nm和1064 nm以產(chǎn)生355 nm UV輻射

-Nd摻雜激光器的二次諧波激發(fā)的NIR范圍內(nèi)的可調(diào)諧OPO

-在1064 nm處有效產(chǎn)生二次諧波而無偏離效應(yīng)（NCPM，T = 149?C）

LBO晶體技術(shù)特性：

單晶	LiB3O5
晶體結(jié)構(gòu)	斜方晶，mm2
晶格參數(shù)	a = 8.46?，b = 7.38?，c = 12.717?
光學(xué)對(duì)稱性	負(fù)雙軸(2 Vz=109.2°@0.5321μm)
密度	2.474克/厘米3
Mohs硬度	6-7
透光率范圍	155 nm-3.2μm@“0”透過率水平
Sellmeier方程@T=293 K(λinμm)	nX2=2，4542+0.01125/(λ)2-0.01135)-0.01388λ2;
折射率@1064 nm	n_X=1 5656；n_Y=1 5905；n_Z = 1,6055

KTP晶體的主要特點(diǎn)：

-高度非線性

-非吸濕

-機(jī)械穩(wěn)定性

-寬透光率范圍從350 nm到4，5μm

-寬角度和熱接收度

-寬的I型和II型非臨界相位匹配范圍

KTP晶體的主要應(yīng)用：

-摻釹激光器的中、低功率倍頻

-用于中紅外產(chǎn)生的KTP OPO和ZGP OPO串列

KTP晶體的技術(shù)特性：

化學(xué)公式	KTiOPO4
晶體結(jié)構(gòu)	正交的，mm2
晶格參數(shù)	A=12.814，b=6.404，c=10.616
光學(xué)對(duì)稱性	正雙軸(2VZ=37，4°@0，5461μm)
密度	2，945克/立方米
Mohs硬度	5
透明度范圍	350 nm-4.5μm@“0”透過率水平
色散方程@188 nm-5.2m(λ(M))	nX2=3.0067+0.0395/(λ)2-0.04251)-0.01247λ2;
折射率@1064 nm	n_X=1.7404；n_Y=1.7479；n_Z = 1.8296

硒酸銀晶體主要特點(diǎn)：

-優(yōu)良的傳輸范圍從0.73到18μm

-低光吸收和低散射

-高FOM（品質(zhì)因數(shù)），用于NIR和MIR中的非線性相互作用

AgGaSe 2晶體主要應(yīng)用：

- 4.0~18.3μm紅外區(qū)的頻率混合

-CO2激光器的二次諧波產(chǎn)生與上轉(zhuǎn)換

-效率達(dá)到10%的固體激光器的可調(diào)諧OPO

AgGaSe 2晶體技術(shù)特性：

化學(xué)公式	AgGaSe₂
晶體結(jié)構(gòu)	四邊形，42m
晶格參數(shù)	A=5.9920，c=10.8803
光學(xué)對(duì)稱性	負(fù)單軸(NO>Ne，λ<804 nm Ne>NO)
密度	5.7克/厘米3
Mohs硬度	3-3.5
透明度范圍@“0”透過率水平	0.71-19μm
Sellmeier方程@T=293 K(λinμm)	no2=6.8507+0.4297/(λ)2-0.1584)-0.00125λ2; ne2=6.6792+0.4598/(λ)2-0.2122)-0.00126λ2
折射率@10.5μm	no=2.5917，ne = 2.5585
導(dǎo)熱系數(shù)@T=293 K	1 (\|\|c) Wm-1K-1, 1,1 (⊥c) Wm-1K-1
激光損傷閾值	>10兆瓦/cm2@10.6μm，150 ns

硫鎵銀晶體主要特點(diǎn)：

-傳輸范圍為0.5到12μm的非線性特性

-低光吸收和低散射

-短波長透光。

AgGaS2晶體主要應(yīng)用：

-4.0~18.3μm中紅外區(qū)的頻率混合

-CO的二次諧波產(chǎn)生與上轉(zhuǎn)換2雷射

-固體激光器的可調(diào)諧OPO

AgGaS2晶體技術(shù)特性：

化學(xué)公式	AgGaS₂
晶體結(jié)構(gòu)	四邊形，42m
晶格參數(shù)	A=5.742，c=10.26
光學(xué)對(duì)稱性	負(fù)單軸(N)o>ne，λ<0，497μmne>no)
密度	4.58克/厘米3
Mohs硬度	3-3.5
透明度范圍@“0”透過率水平	0.47-13μm
Sellmeier方程@0，54-12，9μm(λinμm)	no2=5.79419+0.23114/(λ)2 – 0.06882) – 2.4534×10-3 λ2 + 3.1814×10-7 λ4 – 9.7051×10-9 λ6; ne2=5.54120+0.22041/(λ)2 – 0.09824) – 2.5240×10-3 λ2 + 3.6214×10-7 λ4 – 8.3605×10-9 λ6
折射率@10.6321μm	no=2.3471，ne = 2.2914
導(dǎo)熱系數(shù)@T=293 K	1.4(\x{e76f}c)-1K-1，1.5(⊥c)Wm-1K-1

CdSe晶體的主要特點(diǎn)：

-寬透光度范圍(0.7-24μm)

-很大的非線性(d₃₁ = 18 pm/V)

-小離場角

硒化鎘晶體的主要應(yīng)用：

- DFG，OPO方案產(chǎn)生的長紅外波長紅外輻射

-紅外光學(xué)元件的材料：基板，偏振片，波片等。

硒化鎘晶體的技術(shù)特性：

化學(xué)公式	CdSe
晶體結(jié)構(gòu)	六角，6毫米
晶格參數(shù)	A=4.2985，c=7.0150
光學(xué)對(duì)稱性	正單軸(N)e>no)
密度@288 K	5.81克/厘米3
Mohs硬度	3.25
透明度范圍@“0”透過率水平	0.7-24μm
Sellmeier方程@T=293 K(λinμm)	n_o²=4.2243+1.7680λ²/(λ)²-0.2270)+3.1200λ²/ (λ)² - 3380); n_e²=4.2009+1.8875λ²/(λ)²-0.2171)+3.6461λ²/ (λ)² - 3629)
折射率@10，0μm	no=2.431，ne = 2.452
導(dǎo)熱系數(shù)@T=293 K	6.9(\x{e76f}c)-1K-1.6，2(⊥c)Wm-1K-1
激光損傷閾值	60兆瓦/厘米2@10.6μm，200 ns