親水性與疏水性的基本概念
親水性的表面，當水滴落在其上時，會呈現(xiàn)出小于90度的接觸角，表明水能夠在該表面上擴散，形成較薄的水膜。
疏水性（HMDS疏水設備）的表面，與之相對，當水滴接觸到這樣的表面時，會形成大于90度的接觸角，水滴能夠在表面上保持幾乎完整的圓形，類似荷葉效應所展現(xiàn)的那樣。
晶圓的表面特性，尤其是其對水的親和性或排斥性，雖然細微，卻對芯片的整體性能有著不可忽略的影響。無論是在涂布光刻膠的制備過程、清洗環(huán)節(jié)，還是在特定薄膜制備過程中，晶圓表面是否能有效吸水或排水，都直接影響到半導體制造的每一個關鍵環(huán)節(jié)。
對半導體制造過程的影響
清洗過程：親水性的表面能夠確保清洗液更有效地與晶圓表面接觸，進而更 CheDI地去除雜質(zhì)；而疏水性表面則可能導致清洗不 ，影響后續(xù)制程的質(zhì)量。
光刻過程：光刻膠需要均勻地覆蓋晶圓表面。親水性的表面有助于光刻膠的均勻鋪展，確保了光刻過程的精度和均一性；疏水性表面則可能導致光刻膠分布不均，影響芯片的性能。
HMDS疏水烘箱，HMD真空烘箱
HMDS烘箱涂布是涂膠前對硅片表面進行處理，可以增加硅片表面水分子的接觸角，使硅片表面從親水性轉(zhuǎn)化為疏水性，HMDS 一般采用氣相涂布的方式。
設備名稱：HMDS烘箱
設備型號： JS-HMDS90
內(nèi)腔尺寸：450×450×450（mm）可選其他數(shù)據(jù)
材質(zhì)：外箱采用優(yōu)質(zhì)冷軋板噴塑、304不銹鋼，內(nèi)箱采用316L醫(yī)用級不銹鋼
溫度范圍：RT+10-200℃
真空度：≤133pa（1torr）
電源及總功率： AC 22±10% / 50HZ 總功率約2.5KW
HMDS控制：可控制HMDS藥夜添加量
HMDS疏水烘箱，HMD真空烘箱用途：
HMDS烘箱兼容性：2~12寸晶圓及碎片、方片等
適用行業(yè)：MEMS、太陽能、電池片、濾波、放大、功率等器件，晶圓、玻璃、貴金屬，SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、ZnO（氧化鋅）、GaO（氧化鎵）、金剛石等第三代半導體材料。
