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晶體管正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)

參考價(jià)600000-900000/套
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱陜西天士立科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)ST-FBSOA_X
  • 所  在  地西安市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2024/10/9 14:04:39
  • 訪問次數(shù)238
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陜西天士立科技有限公司,主要從事半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的開發(fā)、制造、銷售。致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料(硅Si碳化硅SiC氮化鎵GaN)、晶圓、器件、部件、整機(jī)的電學(xué)特性測(cè)試、可靠性測(cè)試、老化試驗(yàn)、環(huán)境試驗(yàn)、力學(xué)試驗(yàn)、參數(shù)化脈沖ns/ps電源、半導(dǎo)體EDA仿真軟件、智慧工廠、碳化硅陶瓷材料、第三方檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室的全產(chǎn)業(yè)鏈服務(wù)和國產(chǎn)化替代。

光耦測(cè)試儀、IGBT參數(shù)測(cè)試儀、IGBT模塊靜態(tài)動(dòng)態(tài)測(cè)試儀設(shè)備、MOSMOS-FET參數(shù)測(cè)試儀、二三極管參數(shù)測(cè)試儀、可控硅晶閘管測(cè)試儀、半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)直流參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)、半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)特性測(cè)試儀系統(tǒng)、功率器件參數(shù)測(cè)試、晶體管特性圖示儀測(cè)試儀、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀、硅Si碳化硅SiC氮化鎵GaN器件靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)、二極管正向浪涌電流測(cè)試設(shè)備、雪崩耐量測(cè)試儀、PN結(jié)電容測(cè)試儀、IGBT短路測(cè)試儀、半導(dǎo)體熱阻測(cè)試儀、半導(dǎo)體功率循環(huán)試驗(yàn)系統(tǒng)、高溫反偏HTRB試驗(yàn)系統(tǒng)、高溫柵偏HTGB試驗(yàn)系統(tǒng)、SCSOA短路安全工作區(qū)測(cè)試儀系統(tǒng)、FBSOA正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試儀系統(tǒng)、RBSOA反向偏置安全工作區(qū)測(cè)試儀系統(tǒng)、環(huán)境試驗(yàn)箱、可程式恒溫恒濕試驗(yàn)箱、快速溫度變化試驗(yàn)箱、溫度/濕度/振動(dòng)三綜合環(huán)境試驗(yàn)箱、整車高低溫濕熱綜合環(huán)境艙、整車綜合性能試驗(yàn)艙、力學(xué)振動(dòng)試驗(yàn)臺(tái)、熱流儀、高低溫氣流儀、精密電子部件、SoC/ASIC仿真驗(yàn)證?!?/span>FPGA 原型驗(yàn)證矩陣”、“企業(yè)級(jí)硬件仿真加速器”、“ESL高階設(shè)計(jì)語言編譯和仿真工具”、“邏輯綜合器”致力“XJ數(shù)字前端 EDA 工具供應(yīng)等。

半導(dǎo)體檢測(cè)系列產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體功率器件的初始研發(fā)到規(guī)模量產(chǎn)再到應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈。服務(wù)領(lǐng)域包括半導(dǎo)體器件及IC上游產(chǎn)業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)(院所高校、電子廠、軌道機(jī)車、新能源汽車、白色家電等......)應(yīng)用場(chǎng)景主要有器件及IC研發(fā)期預(yù)演測(cè)試、晶圓廠自動(dòng)化芯片測(cè)試、器件及IC后道封裝測(cè)試。應(yīng)用端的來料檢驗(yàn)、失效分析、器件選型、參數(shù)配對(duì)、壽命預(yù)估等。

電氣工程產(chǎn)品系列及服務(wù)包括電力半導(dǎo)體器件、模塊、組件的研制及綜合檢測(cè)設(shè)備;電氣自動(dòng)化設(shè)備,電冶、電化學(xué)整流裝置;電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源,感應(yīng)加熱爐,變壓器、整流器、電感器、電容器、互感器、傳感器及其配套設(shè)備;晶閘管光控高壓閥組、GTO、IGBTIGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器;遠(yuǎn)距離光電傳感轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng);光電脈沖觸發(fā)板、IGBT智能高壓驅(qū)動(dòng)機(jī)車調(diào)速匯報(bào)板;SVC無功靜補(bǔ)裝置等。

核心團(tuán)隊(duì)匯集了來自院所高校和ZM企業(yè)的從事電力電子、芯片開發(fā)、電源、軟件等領(lǐng)域人士。擁有眾多行業(yè)LX的創(chuàng)新技術(shù)。產(chǎn)品成熟可靠,久經(jīng)市場(chǎng)考驗(yàn),在替代同類進(jìn)口產(chǎn)品方面有著突出的優(yōu)勢(shì)。微弱信號(hào)處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號(hào)處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),公司自主研發(fā)了ps級(jí)脈沖源、高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國產(chǎn)化電性能測(cè)試儀表,電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測(cè)試精度高、速度快、兼容性強(qiáng)、測(cè)試范圍寬、可靠性高、操作簡(jiǎn)便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試、集成電路測(cè)試、高校教學(xué)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)等應(yīng)用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時(shí)滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)模化的挑戰(zhàn)。



半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)特性測(cè)試設(shè)備
產(chǎn)地 國產(chǎn)
陜西天士立科技有限公司/ST-FBSOA/IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng),可以測(cè)試Si,SiC,GaN,材料的器件級(jí)和模塊級(jí)的IGBT,MOSFET的FBSOA(正向偏置安全工作區(qū))。安全工作區(qū)設(shè)備包括“正向偏置安全工作區(qū)FBSOA”“反向偏置安全工作區(qū)RBSOA”“短路安全工作區(qū)SCSOA”
晶體管正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息


IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)ST-FBSOA_X

陜西天士立科技有限公司/ST-FBSOA/IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng),可以測(cè)試Si,SiC,GaN,材料的器件級(jí)和模塊級(jí)的IGBT,MOSFET的FBSOA(正向偏置安全工作區(qū))。安全工作區(qū)設(shè)備包“正向偏置安全工作區(qū)FBSOA”“向偏置安全工作區(qū)RBSOA”“短路安全工作區(qū)SCSOA

陜西天士立科技有限公司

專注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)

基礎(chǔ)信息

  1. Si,SiC,GaN,材料的器件級(jí)和模塊級(jí)的IGBT,MOSFET的FBSOA(正向偏置安全工作區(qū))測(cè)試

  2. IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試FBSOA和對(duì)應(yīng)的IV曲線

  3. ICE電流0~1000A

  4. VCE電壓0~100V

  5. VGE驅(qū)動(dòng)電壓0~30V

  6. VMNF熱敏電壓≤5V

  7. Pmax功率100KW

  8. 脈寬10us~10ms

  9. 柜式結(jié)構(gòu),氣動(dòng)安全(支持手動(dòng)式)工裝柜,計(jì)算機(jī)程控

    陜西天士立科技有限公司

    專注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)

    IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)ST-FBSOA_X

FBSOA定義

  1. 該圖是簡(jiǎn)版FBSOA曲線,劃定了四條電壓-電流關(guān)系的邊界線,分別是AB段,BC段,CD段,DE段。IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)。

  2. AB段規(guī)定了處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)下IGBTzd工作電流,這個(gè)電流與IGBT的門極驅(qū)動(dòng)電壓幅值相關(guān),從圖看出,IGBT門極驅(qū)動(dòng)電壓幅值越高,飽和導(dǎo)通狀態(tài)下的zd工作電流越大

  3. BC段是IGBTmax可重復(fù)電流ICpuls,是4倍標(biāo)稱電流

  4. CD段需結(jié)合IGBT瞬態(tài)熱阻看。IGBT有線性區(qū)和飽和區(qū)

  5. AB段后,其IGBT處于線性區(qū)了,也就退出飽和導(dǎo)通區(qū), IGBT損耗急劇上升。所以,這條邊界體現(xiàn)IGBT能承受zd耗散功率Ptot。且CE電壓越高,IGBT所能承電流脈沖幅值越低。另外,電流脈寬越大,IGBT所能承受電流幅值也越低

  6. 藍(lán)色CD段各種脈沖寬度下的SOA,均是單脈沖安全工作區(qū),非連續(xù)工作情況下的工作區(qū),所以,必須參考上一頁的右下角的IGBT瞬態(tài)熱阻曲線,由公式(1)計(jì)算出在規(guī)定VCE條件下允許的電流IC的幅值和脈寬

  7. DE段規(guī)定了IGBT集射極CE擊穿電壓,IGBTCE擊穿電壓是和結(jié)溫正相關(guān),結(jié)溫越低,CE擊穿電壓也越低。IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)。


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    專注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)

    IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)ST-FBSOA_X

    晶體管正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)

產(chǎn)品特點(diǎn)

  1. 測(cè)試規(guī)范:IEC60747-9、IEC60747-2、GB/T29332、GB/T4023

  2. 測(cè)試工裝有“手動(dòng)式”“氣動(dòng)式”“電子開關(guān)式”供選擇,不同封裝外觀,更換“DUT適配器”即可

  3. 高溫測(cè)試,支持室溫~200℃,±1@0.5

  4. 計(jì)算機(jī)程控,測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)為Excel、PDF。內(nèi)置多種通用文檔模板供用戶選擇,還可自定義

  5. 安全穩(wěn)定(PLC對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖)設(shè)備具有安全工作保護(hù)功能

  6. 智能化,計(jì)算機(jī)進(jìn)行操控及數(shù)據(jù)編輯,測(cè)試結(jié)果自動(dòng)保存及上傳特定局域網(wǎng),支持MES系統(tǒng)和掃碼槍連接

  7. 安全性,防爆,防觸電,短路保護(hù)等多重保護(hù)措施,可以操作人員、設(shè)備、數(shù)據(jù)及樣品安全

  8. 電壓源電流源模塊化設(shè)計(jì),根據(jù)需求,自選搭配。IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)。

    陜西天士立科技有限公司/ST-FBSOA/IGBT/MOS正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng),可以測(cè)試Si,SiC,GaN,材料的器件級(jí)和模塊級(jí)的IGBT,MOSFET的FBSOA(正向偏置安全工作區(qū))。安全工作區(qū)設(shè)備包“正向偏置安全工作區(qū)FBSOA”“向偏置安全工作區(qū)RBSOA”“短路安全工作區(qū)SCSOA





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