GeminiSEM 場發(fā)射掃描電子顯微鏡

GeminiSEM 系列產(chǎn)品:高對比度、低電壓成像的場發(fā)射掃描電子顯微鏡

蔡司GeminiSEM 系列產(chǎn)品具有出色的探測效率，能夠輕松地實(shí)現(xiàn)亞納米分辨成像。無論是在高真空還是在可變壓力模式下，更高的表面細(xì)節(jié)信息靈敏度讓您在對任意樣品進(jìn)行成像和分析時都具備更佳的靈活性，為您在材料科學(xué)研究、生命科學(xué)研究、工業(yè)實(shí)驗(yàn)室或是顯微成像平臺中獲取各種類型樣品在微觀世界中清晰、真實(shí)的圖像，提供靈活、可靠的場發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)和方案。

運(yùn)用GeminiSEM系列產(chǎn)品，您可輕松獲取真實(shí)世界中任意樣品出色的圖像和可靠的分析結(jié)果.

• GeminiSEM 500 具有出色的分辨率，在較低的加速電壓下仍可呈現(xiàn)給您更強(qiáng)的信號和更豐富的細(xì)節(jié)信息，其創(chuàng)新設(shè)計(jì)的NanoVP可變壓力模式，甚至讓您在使用時擁有在高真空模式下工作的感覺；
• GeminiSEM 450 具有出色的易用性設(shè)計(jì)、更快的響應(yīng)和更高的表面靈敏度，使其能快速、靈活、可靠地對樣品進(jìn)行表面成像和分析，充當(dāng)您的得力助手；
• GeminiSEM 300 具有出色的分辨率、更高的襯度和更大且無畸變的成像視野，可方便地選取適合樣品的真空度等環(huán)境參數(shù)，使FESEM初學(xué)者也能快速掌握；

產(chǎn)品特點(diǎn)

更強(qiáng)的信號，更豐富的細(xì)節(jié)

GeminiSEM 500 為您呈現(xiàn)任意樣品表面更強(qiáng)的信號和更豐富的細(xì)節(jié)信息，尤其在低的加速電壓下，在避免樣品損傷的同時快速地獲取更高清晰度的圖像。

• 經(jīng)優(yōu)化和增強(qiáng)的Inlens探測器可高效地采集信號，助您快速地獲取清晰的圖像，并使樣品損傷降至更低；
• 在低電壓下?lián)碛懈叩男旁氡群透叩囊r度，二次電子圖像分辨率1 kV達(dá)0.9nm，500 V達(dá)1.0 nm，無需樣品臺減速即可進(jìn)行高質(zhì)量的低電壓成像，為您呈現(xiàn)任意樣品在納米尺度上更豐富的細(xì)節(jié)信息；
• 應(yīng)用樣品臺減速技術(shù)-（Tandem decel），可在1 kV下獲得高達(dá)0.8nm二次電子圖像分辨率；
• 創(chuàng)新設(shè)計(jì)的可變壓力模式-NanoVP技術(shù)，讓您擁有身處在高真空模式下工作的感覺。

更高的速度與靈敏度，更好的成像和分析

GeminiSEM 450更快的響應(yīng)和更高的表面靈敏度使其能快速、靈活、可靠地對樣品進(jìn)行表面成像和分析，簡便、快速地進(jìn)行EDS能譜和EBSD等分析，同時保持出色的空間分辨率，充當(dāng)您的得力助手。

• 在EDS能譜和EBSD分析模式下仍保持高分辨率的成像，在低電壓條件下工作時更為優(yōu)異；
• 可快速地對樣品進(jìn)行大范圍及高質(zhì)量成像；
• 經(jīng)優(yōu)化的電子光學(xué)鏡筒，減少了工作過程中進(jìn)行重新校準(zhǔn)的復(fù)雜流程，節(jié)省成像時間，提高工作效率；
• 無論是不導(dǎo)電樣品、磁性樣品或是其他類型的樣品，無論是高真空或是可變壓力模式，均可實(shí)現(xiàn)快速和高質(zhì)量的成像和分析.

更靈活的成像方式

無論是*用戶還是初學(xué)者，GeminiSEM 300將讓您體驗(yàn)到在更高的分辨率和更佳的襯度下進(jìn)行*視野范圍成像的樂趣，并且在高真空或是可變壓力模式下都可以實(shí)現(xiàn)。

• 得益于高效的信號采集系統(tǒng)和優(yōu)異的分辨率性能，可實(shí)現(xiàn)快速、高質(zhì)量、無畸變的大范圍成像；
• 創(chuàng)新設(shè)計(jì)的高分辨率電子槍模式，為對磁性樣品、不導(dǎo)電樣品以及電子束敏感樣品的低電壓成像量身訂制解決方案；
• 蔡司獨(dú)樹一幟的鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器，在低電壓下也可輕松地獲得高質(zhì)量的樣品材料襯度圖像；
• NanoVP技術(shù)讓您可以使用鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器對要求苛刻的不導(dǎo)電樣品進(jìn)行高靈敏度、高分辨成像。

技術(shù)參數(shù)

Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)

Gemini 1 –成熟的Gemini技術(shù)概覽

場發(fā)射掃描電子顯微鏡具有更高的分辨率，離不開其性能優(yōu)異的電子光學(xué)鏡筒。蔡司Gemini技術(shù)專為對任意樣品進(jìn)行高分辨成像設(shè)計(jì)，尤其在低電壓下保持完整和高效的探測系統(tǒng)、出色的分辨率和易用性等特點(diǎn)。

蔡司Gemini電子光學(xué)鏡筒具有以下三個主要特點(diǎn)

• 蔡司Gemini物鏡的設(shè)計(jì)結(jié)合了靜電場和磁場，在提高其電子光學(xué)性能的同時將它們對樣品的影響降至更低。無漏磁物鏡設(shè)計(jì)，可以對如磁性材料等挑戰(zhàn)的樣品同樣地進(jìn)行高品質(zhì)成像；
• 蔡司Gemini電子束推進(jìn)器技術(shù)，讓電子束經(jīng)過加速后以高電壓通過鏡筒，終再減速至設(shè)定電壓后進(jìn)入樣品倉，很大程度地減小電子束的像差，保證了在非常低的加速電壓下仍可獲得小束斑和高信噪比；
• 蔡司Gemini 鏡筒的設(shè)計(jì)理念將Inlens二次電子（SE）和背散射電子（BSE）探測器均放置在鏡筒內(nèi)正光軸上，使兩者均具有更高的信號采集效率且可以同時成像，有效的縮短了獲取圖像的時間，更好地提高工作效率。

蔡司Gemini技術(shù)優(yōu)勢能為您提供以下便利：

• 經(jīng)校準(zhǔn)后的鏡筒具有*的穩(wěn)定性，您在日常使用時只需要簡易地設(shè)定基本的參數(shù)，如加速電壓、探針電流等；
• 無漏磁的物鏡設(shè)計(jì)，可對包括磁性樣品在內(nèi)的各類型樣品進(jìn)行無畸變、高分辨率的成像；
• Inlens二次電子探測器具有高效的SE 1信號采集效率，給您呈現(xiàn)來自樣品極表面的真實(shí)形貌圖像；
• 鏡筒內(nèi)能量過濾背散射探測器以其創(chuàng)新的設(shè)計(jì)理念，使您在低電壓下可獲得高分辨率、高襯度、以及更真實(shí)的樣品材料襯度圖像。

Gemini 1類型鏡筒 -延續(xù)創(chuàng)新和發(fā)展

如今，掃描電子顯微鏡（SEM）在低電壓下的高分辨成像能力，已成為其在各項(xiàng)應(yīng)用領(lǐng)域中的標(biāo)準(zhǔn)配置。

低電壓下的高分辨率成像能力，在以下應(yīng)用領(lǐng)域中扮演著尤為重要的角色：

• 電子束敏感樣品
• 不導(dǎo)電樣品
• 獲取樣品極表面的真實(shí)形貌信息

Gemini的革新電子光學(xué)設(shè)計(jì)，應(yīng)用高分辨率電子槍模式、Nano-twin lens物鏡(GeminiSEM 500)、以及Tandem decel樣品臺減速技術(shù)（選配），有效提高了在低電壓時的信號采集效率和圖像襯度。

Gemini 2類型鏡筒-出色的綜合性能，為您所欲為

要實(shí)現(xiàn)對任意樣品都能進(jìn)行高質(zhì)量的測試和表征，掃描電子顯微鏡必須在成像和分析方面都具備優(yōu)異的性能，同時能給用戶簡單易用的操作體驗(yàn)。如今，Gemini 2鏡筒可滿足您在這些方面的各種需求：

• GeminiSEM 450 配置雙聚光鏡的Gemini 2類型電子光學(xué)鏡筒；
• 在確保獲得出色的小電子束斑的同時，束流連續(xù)可調(diào)；
• 可在低束流的高分辨率成像與高束流的分析模式之間進(jìn)行無縫切換；
• 調(diào)整工作參數(shù)后無需對電子束進(jìn)行重新校準(zhǔn)，為您節(jié)約時間，提高儀器效率；
• 操作靈活易用，高電子束能量密度下的高分辨率成像，低束流分析，高束流分析等各類不同的工作模式，一切由您而定；
• 物鏡無漏磁設(shè)計(jì)，在大視野范圍成像和EBSD分析中不會引起畸變，確保獲得樣品高質(zhì)量的圖像；
• 出色、穩(wěn)定的電子光學(xué)鏡筒，對各種類型的樣品都能簡單快速的進(jìn)行高分辨率成像，即使在使用中樣品需要傾斜，甚至是對磁性樣品進(jìn)行成像；
• P搭載局部電荷中和器或NanoVP可變壓力模式，有效地消除樣品的表面荷電，讓您在出色參數(shù)下對樣品進(jìn)行成像和分析。

NanoVP可變壓力模式-更豐富的細(xì)節(jié)，更靈活的適用性

NanoVP可變壓力模式技術(shù)，為您提供對不導(dǎo)電樣品成像優(yōu)秀的解決方案，更大程度地發(fā)揮鏡筒內(nèi)Inlens探測器高性能和高分辨率的優(yōu)異性能：

• 消除不導(dǎo)電樣品的表面荷電現(xiàn)象；
• NanoVP可變壓力技術(shù)有效地減小電子束展寬，確保在可變壓力模式中發(fā)揮鏡筒內(nèi)Inlens探測器的優(yōu)異性能，獲得高分辨率的圖像，可變壓力范圍可高達(dá)150 Pa；
• 因此，即使是在可變壓力模式下，鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器和EsB背散射探測器仍可同時成像，助您獲得樣品極表面的高分辨形貌圖像和更高襯度的背散射圖像；
• 樣品室內(nèi)同時搭載VPSE探測器，可對要求更為苛刻的樣品在高達(dá)500 Pa的壓力下進(jìn)行高質(zhì)量成像。