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LWH300SI6C EMG 線性位移傳感器對(duì)中裝置

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訂貨量	≥1件

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公司名稱廈門元航機(jī)械設(shè)備有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)
所在地廈門市
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
更新時(shí)間2024/8/12 11:02:54
訪問(wèn)次數(shù)287

產(chǎn)品標(biāo)簽:

高頻光源發(fā)射器 LWH300SI6C EMG LICHTBAND

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廈門元航機(jī)械設(shè)備有限公司坐落于美麗的海濱城市—廈門，是一家致力于海洋石油鉆井平臺(tái)，石油、天然氣管道專業(yè)養(yǎng)護(hù)，船舶物資服務(wù)的供應(yīng)商。我們與挪威，瑞典，丹麥，美國(guó)，德國(guó)及日本等諸多業(yè)界公司有著長(zhǎng)期良好的合作關(guān)系。一直致力于為航行船舶及海洋鉆井平臺(tái)提供優(yōu)質(zhì)的進(jìn)口產(chǎn)品。

我們公司目前合作的品牌主要有：

船用 (EVAC 依凡克、瓦錫蘭 WARTSILA、JETS 真空馬桶)，tyco 泰科，consilium康士廉，Autronica，apollo 阿波羅，日本OKI，能美(NOHMI)，德國(guó)EGONHARIG，Y.E.I山本貨倉(cāng)，報(bào)警探頭GRVINER MK6 MK7 ，日本大發(fā)DAIHATSU等油霧探測(cè)器，日本大發(fā)速度開關(guān)，DANFOSS 高壓泵、柱塞泵，F(xiàn)iretroL充電器控制柜，美國(guó)威創(chuàng) Viatran，美國(guó)陶氏(DOW)、杜邦(DUPTONT)海水膜，德國(guó)FHF，EEV磁控管，JRC磁控管，EMG伺服閥，MTS傳感器，MOOG 穆格，E+H，Baumer 堡盟，伯納德 Bernard，丹麥?？誋YCON，WAUKESHA瓦克夏，ARIEL艾里爾，德國(guó)CLOOS克魯斯，DEMAG德馬格，AI-TEK阿泰克日本中北閥門Nakakit等進(jìn)口品牌

經(jīng)過(guò)不懈發(fā)展，我們?yōu)橹泻Ｓ头偛考叭珖?guó)分公司，中國(guó)石化、中國(guó)石油、中國(guó)燃?xì)狻⒅袊?guó)船舶建立了長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系，雖然我們年輕，但請(qǐng)相信我們，我們會(huì)以更專注的熱情竭誠(chéng)為您服務(wù)。

站在新的起點(diǎn)，我們將一如既往地堅(jiān)持服務(wù)客戶的核心，適應(yīng)時(shí)代的發(fā)展需要，發(fā)展和創(chuàng)造更為先進(jìn)的技術(shù)解決方案，持續(xù)服務(wù)客戶和未來(lái)。

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材質(zhì)	其他	驅(qū)動(dòng)方式	其他

LWH300SI6C EMG 線性位移傳感器對(duì)中裝置
光電探測(cè)器能把光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。根據(jù)器件對(duì)輻射響應(yīng)的方式不同或者說(shuō)器件工作的機(jī)理不同，光電探測(cè)器可分為兩大類：一類是光子探測(cè)器；另一類是熱探測(cè)器。

LWH300SI6C EMG 線性位移傳感器對(duì)中裝置產(chǎn)品信息

LWH300SI6C EMG 線性位移傳感器對(duì)中裝置

光電探測(cè)器的原理是由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率發(fā)生改變。光電探測(cè)器在軍事和國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有廣泛用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測(cè)量和探測(cè)、工業(yè)自動(dòng)控制、光度計(jì)量等；在紅外波段主要用于D彈制導(dǎo)、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導(dǎo)體的另一應(yīng)用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴(kuò)散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個(gè)靶面由約10萬(wàn)個(gè)單獨(dú)探測(cè)器組成。

光電探測(cè)器能把光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。根據(jù)器件對(duì)輻射響應(yīng)的方式不同或者說(shuō)器件工作的機(jī)理不同，光電探測(cè)器可分為兩大類：一類是光子探測(cè)器；另一類是熱探測(cè)器。

光電探測(cè)器件的應(yīng)用選擇，實(shí)際上是應(yīng)用時(shí)的一些事項(xiàng)或要點(diǎn)。在很多要求不太嚴(yán)格的應(yīng)用中，可采用任何一種光電探測(cè)器件。不過(guò)在某些情況下，選用某種器件會(huì)更合適些。例如，當(dāng)需要比較大的光敏面積時(shí)，可選用真空光電管，因其光譜響應(yīng)范圍比較寬，故真空光電管普遍應(yīng)用于分光光度計(jì)中。當(dāng)被測(cè)輻射信號(hào)微弱、要求響應(yīng)速度較高時(shí)，采用光電倍增管最合適，因?yàn)槠?/span>放大倍數(shù)可達(dá)10^4～10^8以上，這樣高的增益可使其信號(hào)超過(guò)輸出和放大線路內(nèi)的噪聲分量，使得對(duì)探測(cè)器的限制只剩下光陰極電流中的統(tǒng)計(jì)變化。因此，在天文學(xué)、光譜學(xué)、激光測(cè)距和閃爍計(jì)數(shù)等方面，光電倍增管得到廣泛應(yīng)用。

EMG SV1-10/16/315/6

EMG SV1-10/32/315/6

光電探測(cè)頭 :EVK2-CP/600.71/L/R EMG糾偏單元 EPC無(wú)液壓站自動(dòng)對(duì)邊設(shè)備

高頻交變光測(cè)量接收器:LS13 IP54, 0~50℃.

高頻交變光測(cè)量接受器:LS14; IP54, 0~50℃.

高頻交流光發(fā)射器:LLS675/01

數(shù)字式控制單元:ICONXE/AE1054

線性位移傳感器:KLW 300.012

液壓閥臺(tái):HT16.500

液壓伺服閥SV1-10/48/315/6

帶CAN-BUS 20米

供電: 220VAC

信號(hào)輸出PROF INET

LWH300SI6C EMG 線性位移傳感器對(duì)中裝置

固體光電探測(cè)器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動(dòng)曝光）中得到采用；光電池是固體光電器件中具有最大光敏面積的器件，它除用做探測(cè)器件外，還可作太陽(yáng)能變換器；硅光電二極管體積小、響應(yīng)快、可靠性高，而且在可見光與近紅外波段內(nèi)有較高的量子效率，因而在各種工業(yè)控制中獲得應(yīng)用。硅雪崩管由于增益高、響應(yīng)快、噪聲小，因而在激光測(cè)距與光纖通信中普遍采用。

photoconductive detector 利用半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)效應(yīng)制成的一種光探測(cè)器件。所謂光電導(dǎo)效應(yīng)，是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。光電導(dǎo)探測(cè)器在軍事和國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有廣泛用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測(cè)量和探測(cè)、工業(yè)自動(dòng)控制、光度計(jì)量等；在紅外波段主要用于D彈制導(dǎo)、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導(dǎo)體的另一應(yīng)用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴(kuò)散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個(gè)靶面由約10萬(wàn)個(gè)單獨(dú)探測(cè)器組成。

EMG LS13.01測(cè)量光電傳感器

EVK2-CP/400.71/L/R EMG 傳感器

EVM2 CP/750.71/L/R傳感器 EMG

LS14.01 EMG 測(cè)量光電傳感器

EMG光電式測(cè)量傳感器 EVM2-CP/1850 71/L/R

EMG 高頻報(bào)警光發(fā)射器 LIH2/30/230.01

EMG LID2-800.2C 對(duì)中光源發(fā)射器

EMG LID2-300.2C 對(duì)中光源發(fā)射器

EMG LLS 1075 線性光源發(fā)射器

EMG LLS 1075/01 線性光源發(fā)射器

CPC光源 LLS 675/11 Lichtband

EMG LLS 875/02 線性光源發(fā)射器

EMG LLS 675/01 線性光源發(fā)射器

EMG 線性光源發(fā)射器 LLS875/01

EMG對(duì)中光源發(fā)射器 LIE 1075/230/50

EMG LLS 475/01 線性光源發(fā)射器

EMG LIC1075/11光源發(fā)射器

EMG 對(duì)中光源發(fā)射器 LIE 1075/230/50

EPC測(cè)量單元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02

EMG 光源發(fā)射器 L1C770/01-24VDC/3.0A

EMG LPS600.01 光源發(fā)射器

EMG LIC770/01 光源發(fā)射器

EMG LIC1075/01 光源發(fā)射器

EMG LIC770/11 CPC高頻光源

EMG LID2-800.32C 對(duì)中光源發(fā)射器

EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥

伺服閥 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5

1873年，英國(guó)W·史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導(dǎo)效應(yīng)，但是這種效應(yīng)長(zhǎng)期處于探索研究階段，未獲實(shí)際應(yīng)用。第二次世界大戰(zhàn)以后，隨著半導(dǎo)體的發(fā)展，各種新的光電導(dǎo)材料不斷出現(xiàn)。在可見光波段方面，到二十世紀(jì)50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測(cè)器都已投入使用。二十世紀(jì)60年代初，中遠(yuǎn)紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導(dǎo)探測(cè)器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導(dǎo)探測(cè)器。二十世紀(jì)60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進(jìn)展。工作原理和特性光電導(dǎo)效應(yīng)是內(nèi)光電效應(yīng)的一種。當(dāng)照射的光子能量hv等于或大于半導(dǎo)體的禁帶寬度Eg時(shí)，光子能夠?qū)?/span>價(jià)帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶，從而產(chǎn)生導(dǎo)電的電子、空穴對(duì),這就是本征光電導(dǎo)效應(yīng)。這里h是普朗克常數(shù)，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導(dǎo)體的響應(yīng)長(zhǎng)波限λc為 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c為光速。本征光電導(dǎo)材料的長(zhǎng)波限受禁帶寬度的限制。

在60年代初以前還沒有研制出適用的窄禁帶寬度的半導(dǎo)體材料，因而人們利用非本征光電導(dǎo)效應(yīng)。Ge、Si等材料的禁帶中存在各種深度的雜質(zhì)能級(jí)，照射的光子能量只要等于或大于雜質(zhì)能級(jí)的離化能，就能夠產(chǎn)生光生自由電子或自由空穴。非本征光電導(dǎo)體的響應(yīng)長(zhǎng)波限λ由下式求得： λc=1.24/Ei 式中Ei代表雜質(zhì)能級(jí)的離化能。到60年代中后期，Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半導(dǎo)體材料研制成功,并進(jìn)入實(shí)用階段。它們的禁帶寬度隨組分x值而改變，例如x=0.2的HG0.8Cd0.2Te材料，可以制成響應(yīng)波長(zhǎng)為 8～14微米大氣窗口的紅外探測(cè)器。它與工作在同樣波段的Ge：Hg探測(cè)器相比有如下優(yōu)點(diǎn)：

工作溫度高（高于77K），使用方便,而Ge:Hg工作溫度為38K；本征吸收系數(shù)大,樣品尺寸小；易于制造多元器件。表1和表2分別列出部分半導(dǎo)體材料的Eg、Ei和λc值。