PEVCD(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)最重要的應(yīng)用之一是沉積微電子器件用絕緣薄膜,在低溫下沉積氮化硅、氧化硅或硅的氮氧化物一類的絕緣薄膜,這對(duì)于超大規(guī)模集成芯片的生產(chǎn)是至關(guān)重要的。PECVD的一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)是能在比熱CVD更低的溫度下沉積。PECVD技術(shù)在250~400度的溫度范圍內(nèi)使氮化硅薄膜的沉積成為可能。PECVD沉積SiO2絕緣層被廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝,最近在光學(xué)纖維的涂層和某些裝飾性涂層方面獲得了應(yīng)用。近年來(lái),PECVD在摩擦磨損、腐蝕防護(hù)和切削工具涂層應(yīng)用方面獲得了很大進(jìn)展。
![]() | PECVD設(shè)備可制備的薄膜
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![]() | PECVD沉積設(shè)備參數(shù)
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