MOS雪崩能量測試服務(wù)-第三方檢測中心
西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡稱“長禾實(shí)驗(yàn)室”),位于中國西部科技創(chuàng)新高地——西安市,專注于功率半導(dǎo)體器件檢測與驗(yàn)證。作為國家認(rèn)可委員會(CNAS)正式認(rèn)證的大功率器件測試服務(wù)中心,長禾實(shí)驗(yàn)室嚴(yán)格遵循國際標(biāo)準(zhǔn),致力于為國內(nèi)外客戶提供一站式專業(yè)測試服務(wù)。實(shí)驗(yàn)室配備功率半導(dǎo)體測試設(shè)備和自動化測試平臺,全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗(yàn)證、可靠性評估和失效分析。憑借技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力,已成長為國內(nèi)少數(shù)具備全鏈條功率器件測試、篩選及老化服務(wù)的機(jī)構(gòu)之一。業(yè)務(wù)涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電(風(fēng)電、光伏)、新能源汽車。
雪崩耐量測試(UIS)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750,IEC60747,客戶自定義;
試驗(yàn)對象:MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件;
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測 電壓:4500V,檢測 電流:200A
試驗(yàn)參數(shù):雪崩能量EAS
正向浪涌電流測試
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750,IEC60747,客戶自定義;
試驗(yàn)對象:DIODE(Si/SiC)、整流橋、SCR、IGBT;
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測 電流:10000A,10ms/8.3ms正弦半波,100us/1ms/10ms方波。
試驗(yàn)參數(shù):浪涌電流IFSM/ITSM、i2t
雷擊浪涌 8/20us,10/1000us
介電性測試
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007;
試驗(yàn)對象:Si、SiC·MOSFET;
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測 電壓:4500V,檢測 電流:200A
MOS雪崩能量測試服務(wù)-第三方檢測中心