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北京中科復(fù)華科技有限公司是一家致力于為半導(dǎo)體領(lǐng)域和微納米科學(xué)領(lǐng)域提供綜合性解決方案，為全國各大高校、科研院所及企事業(yè)單位提供的半導(dǎo)體設(shè)備儀器和微納米科學(xué)儀器，擁有一支經(jīng)驗豐富、技術(shù)過硬的技術(shù)團隊。能夠出色地完成售前、售中、售后的服務(wù)。未來公司將不斷和引進在微納米科學(xué)領(lǐng)域中起重要作用的新儀器和新產(chǎn)品，同時也與全國各所的大學(xué)、學(xué)院和科研院所建立了良好的合作關(guān)系，致力于把具有市場前景的科研成果推向市場。愿與中、外同仁廣泛合作， 為中國的教育與科研事業(yè)在廣范圍、高層次上提供服務(wù)。
| 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) |
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濕法蝕刻的基本原理包括控制蝕刻劑的成分、濃度和溫度以實現(xiàn)所需的蝕刻特性。蝕刻劑成分決定了溶液的反應(yīng)性和可蝕刻材料的類型，而反應(yīng)性物質(zhì)的濃度則影響蝕刻速率和選擇性。蝕刻劑的溫度影響反應(yīng)動力學(xué)，較高的溫度通常會導(dǎo)致更快的蝕刻速率和增加的化學(xué)活性。
應(yīng)用：
應(yīng)用EKC265™蝕刻后殘留物器廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體行業(yè)，以滿足關(guān)鍵的清潔需求
從高深寬比MEMS器件100μm+ 到*DRAM 的70nm集成的各個階段
下面列出了常見的應(yīng)用程序：
接觸清潔
金屬線清潔
TSV深硅穿孔清潔
鎢埋位線清洗
聚酰亞胺清洗
Pad清潔
MEMS清洗
特征：
所有蝕刻后鋁清洗的單一解決方案
清洗接觸，金屬，穿孔和Pad
高度選擇性的殘留物去除
去除重有機殘留物
寬工藝窗口
高產(chǎn)率
穿孔接觸電阻降低
鋁清洗行業(yè)基準
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