高分辨率探測(cè)器：美國(guó)原裝電制冷Si-PIN探測(cè)器，配套原裝數(shù)字式多道脈沖幅度分析器，檢測(cè)結(jié)果和分析速度遠(yuǎn)比國(guó)內(nèi)采用線性放電法（模擬）多道分析器精準(zhǔn)和快速。 精密穩(wěn)定的高壓電源：采用工業(yè)級(jí)X射線熒光分析的精密高壓電源，為X射線光管提供長(zhǎng)時(shí)間的穩(wěn)定高壓。

低功率X射線光管：采用W/Rh靶X射線管，*高速風(fēng)扇制冷，設(shè)計(jì)壽命5萬(wàn)小時(shí)。

高像素?cái)z像頭：內(nèi)置高清攝像頭以及微動(dòng)樣品移動(dòng)裝置，方便對(duì)樣品掃描區(qū)域的實(shí)時(shí)準(zhǔn)確定位和觀察。

*的X射線防護(hù)體系：采用電源開關(guān)鎖、精密樣品蓋開合檢測(cè)等安全裝置*防止X射線的泄漏，確保操作人員的安全。

  采用新型濾光片：有效的降低X射線熒光本底，提高檢測(cè)靈敏度。*光學(xué)準(zhǔn)直器，光束zui小直徑達(dá)0.025mm，集中X射線光束，增強(qiáng)熒光強(qiáng)度，提高對(duì)微量元素的檢測(cè)以及超薄鍍層的分析。

*的光譜分析方法：緊跟zui前沿的X射線光譜分析方法，科學(xué)的對(duì)光譜進(jìn)行元素定性、定量分析。由于采用了*復(fù)雜的計(jì)算、校正算法，zui大程度上減少了定量分析需要的標(biāo)樣，這在同行中處于地位。通過改進(jìn)硬件，Pb、Cd等的檢測(cè)靈敏度提高2倍。

無(wú)標(biāo)樣分析：真正意義上實(shí)現(xiàn)無(wú)任何標(biāo)樣的含量、鍍層分析。對(duì)于含量分析，高含量元素相對(duì)誤差范圍可控制在1%以內(nèi)；對(duì)于鍍層分析，厚度相對(duì)誤差范圍可控制在10%以內(nèi)。

  技術(shù)指標(biāo)：

1．外殼尺寸: 630mm×440mm×380mm

2．測(cè)量窗尺寸: 130mm×260mm×110mm

3．重量: 約40Kg

4. 適宜溫度: 5-30℃

5. 相對(duì)濕度: ≤80%

6. 元素分析范圍: 鉀（K）到鈾（U）

7. 含量分析范圍: 為2 PPm到99.99%

8. 測(cè)量時(shí)間: 60-300秒（任意調(diào)整）

9. 分辨率: 186eV FWHM@5.9KeV

10. 電源: 交流220V±5V或110V±5V

11. 電源頻率: 47-63 Hz

12. 高壓輸入: +24V dc+-10%,4.0A（zui大）

13. 高壓輸出: 0-50KV@1mA zui大功率50W

14．CCD光學(xué)鏡頭

15．有分析、顯示、打印等功能