日本研發(fā)成功下一代超薄型高溫超導(dǎo)電纜

　日本理化學(xué)研究所和千葉大學(xué)組成的聯(lián)合研發(fā)小組開發(fā)成功絕緣部厚度是目*分之一的下一代超薄高溫超導(dǎo)電纜。

　　目前，高溫超導(dǎo)電纜通常呈寬4毫米到5毫米、厚100微米到150微米的薄帶狀。其中絕緣部分厚度和導(dǎo)電線厚度基本相同，各為50微米左右。較厚的絕緣層對電流密度有一定影響，也使超導(dǎo)線圈體積難以進(jìn)一步小型化。

　　聯(lián)合小組采用與金屬電鍍相同的聚酰亞胺電沉積法，在導(dǎo)電線的表面形成極薄的聚酰亞胺絕緣體皮膜。絕緣體的厚度僅為4微米，是目前高溫超導(dǎo)電纜絕緣部厚度的十分之一。經(jīng)測試，斷面絕緣比例達(dá)到10%以下，較現(xiàn)有高溫超導(dǎo)電纜減少80%以上;制成的超導(dǎo)線圈電流密度增加2倍以上，體積可減小4/5左右。制作工序也較目前采取的聚合體絕緣帶包卷方式更加簡化。可依據(jù)需要制作小型超導(dǎo)線圈以及數(shù)公里長的高溫超導(dǎo)電纜。

　　該方法使核磁共振（NMR）和磁共振成像（MRI）等裝置的小型化和低成本制造成為可能。有關(guān)研究成果將發(fā)表在物理學(xué)《Physica C》雜志電子版。