ISSI電子產(chǎn)品
上海胤旭機電設備有限公司優(yōu)價銷售ISSI半導體、ISSI電子產(chǎn)品、ISSI存儲器、ISSI美國ISSI
ISSI公司成立于1988年10月,ISSI公司的總部設在加利福尼亞州圣何塞市。ISSI 是Integrated Silicon Solution, Inc.縮寫。1988年成立,專門設計、開發(fā)、銷售高性能存儲半導體產(chǎn)品,用于Internet存儲器件、網(wǎng)絡設備、遠程通訊和移動通訊設備、計算機外設等。ISSI代理商遍布,中國,歐洲,香港,印度,日本,韓國,新加坡,和中國臺灣和美國。公司的客戶都是一些電子工業(yè)*,如3Com, Alca, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是為下列主要市場設計、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術*:(I) 數(shù)字消費電子、(II) 網(wǎng)絡、(III) 移動通信和 (IV) 汽車電子。ISSI的主要產(chǎn)品是高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。ISSI還設計和銷售 EEPROM 和偽 SRAM。ISSI面向高增長市場提供低成本、高質(zhì)量的半導體產(chǎn)品,并尋求與客戶建立*合作關系。*以來,ISSI一直是存儲器產(chǎn)品(包含較低密度和較小批量產(chǎn)品)的可靠供應商,即使在產(chǎn)能緊張的時期亦是如此。ISSI公司近年來,*的半導體存儲器的需要超越了個人電腦市場已擴大到在種類繁多,包括數(shù)字消費電子,網(wǎng)絡,移動通信,汽車電子,工業(yè)/醫(yī)療電子市場的電子系統(tǒng)。在這些產(chǎn)品中需要更多的內(nèi)存內(nèi)容管理大量的數(shù)據(jù)以數(shù)字格式創(chuàng)建圖像和聲音。例如,幾乎所有的數(shù)碼消費類電子應用了ISSI的產(chǎn)品啟用和提高系統(tǒng)的性能...
產(chǎn)品型號:
1.5V DDR3 (Double Data Rate) Synchronous
1.35V DDR3L (Double Data Rate) Synchronous
1.5V DDR3 (Double Data Rate) Synchronous Automotive
1.3V DDR3L (Double Data Rate) Synchronous Automotive
1.8V DDR2 (Double Data Rate) Synchronous DRAM
DDR (Double Data Rate) Synchronous DRAM
2.5V DDR (Double Data Rate) Synchronous DRAM
Low Voltage/ SDR (Single Data Rate) Synchronous DRAM
3.3V SDR (Single Data Rate) Synchronous DRAM
EDO and Fast Page Mode DRAM
3.3V EDO and Fast Page Mode
5V EDO and Fast Page Mode
Phased-out Products
1.5V DDR3 (Double Data Rate) Synchronous
1.8V DDR2 (Double Data Rate) Synchronous DRAM
DDR (Double Data Rate) Synchronous DRAM
2.5V DDR (Double Data Rate) Synchronous DRAM
Low Voltage/ SDR (Single Data Rate) Synchronous DRAM
3.3V SDR (Single Data Rate) Synchronous DRAM
3.3V SDR (Single Data Rate) Synchronous
3.3V Synchronous Automotive
Special Products
Phased-out Products
1.5V DDR3 (Double Data Rate) Synchronous
1.8V DDR2 (Double Data Rate) Synchronous DRAM
DDR (Double Data Rate) Synchronous DRAM
2.5V DDR (Double Data Rate) Synchronous DRAM
Low Voltage/ SDR (Single Data Rate) Synchronous DRAM
EDO and Fast Page Mode DRAM