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元器件損壞特點及檢測方法
點擊次數(shù)：503 發(fā)布時間：2012-8-2
一.電阻損壞的特點及檢測方法
1.電阻損壞的特點
電阻是電器設備中數(shù)量zui多的元件，但不是損壞率zui高的元件。電阻損壞以開路zui常見，阻值變大較少見，阻值變小十分少見。常見的有碳膜電阻、金屬膜電阻、線繞電阻和保險電阻幾種。前兩種電阻應用zui廣，其損壞的特點一是低阻值（100Ω以下）和高阻值（100kΩ以上）的損壞率較高，中間阻值（如幾百歐到幾十千歐）的極少損壞;二是低阻值電阻損壞時往往是燒焦發(fā)黑，很容易發(fā)現(xiàn)，而高阻值電阻損壞時很少有痕跡。線繞電阻一般用作大電流限流，阻值不大。圓柱形線繞電阻燒壞時有的會發(fā)黑或表面爆皮、裂紋，有的沒有痕跡。水泥電阻是線繞電阻的一種，燒壞時可能會斷裂，否則也沒有可見痕跡。保險電阻燒壞時有的表面會炸掉一塊皮，有的也沒有什么痕跡，但絕不會燒焦發(fā)黑。
1.電阻的檢測方法
1）檢查萬用表電池
方法如下：將擋位旋鈕依次置于電阻擋R×1?和R×10K擋，然后將紅、黑測試筆短接。旋轉歐姆調零電位器，觀察指針是否指向零（MF47型萬用表如R×1?擋，指針不能校零，則更換萬用表的1.5V電池。如R×10?擋，指針不能校零，更換9V電池。）
2）選擇適當倍率擋
測量某一電阻器的阻值時，要依據(jù)電阻器的阻值正確選擇倍率擋，按萬用表使用方法規(guī)定，萬用表指針應在全刻度的中心部分讀數(shù)才較準確。測量時電阻器的阻值是萬用表上刻度的數(shù)值與倍率的乘積。如測量一電阻器，所選倍率為R×1，刻度數(shù)值為9.4，該電阻器電阻值為R=9.4×1=9.4?。
3）電阻擋調零
在測量電阻之前必須進行電阻擋調零。其方法如檢查電池方法一樣（短接紅黑測試筆），在測量電阻時，每更換一次倍率擋后，都必須重新調零。
2.測量前的準備工作
將兩表筆（不分正負）分別與電阻的兩端引腳相接即可測出實際電阻值。為了提高測量精度，根據(jù)被測電阻標稱值的大小來選擇量程。由于歐姆擋刻度的非線性關系，它的中間一段分度較為精細，因此應使指針指示值盡可能落到刻度的中段位置，即全刻度起始的20%—80%弧度范圍內，以使測量更準確。根據(jù)電阻誤差等級不同。讀數(shù)與標稱阻值之間分別允許有±5%、±10%或±20%的誤差。如不相符，超出誤差范圍，則說明該電阻器變值了。
注意事項： 測試時，特別是在測幾十KΩ以上阻值的電阻時，手不要觸及表筆和電阻的導電部分;被檢測的電阻人電路板中焊下來，至少要焊開一個引腳，以免電路中的其他元件對測試產生影響，造成測量誤差;色環(huán)電阻的阻值雖然能以色環(huán)標志來確定，但在使用時還是用萬用表測試下其實際阻值。
根據(jù)以上特點，在檢查電阻時可有所側重，快速找出損壞的電阻。
二.電解電容損壞的特點及檢測方法
1.電解電容的損壞特點
電解電容在電器設備中的用量很大，故障率很高。電解電容損壞有以下幾種表現(xiàn)：一是*失去容量或容量變小;二是輕微或嚴重漏電;三是失去容量或容量變小兼有漏電。查找損壞的電解電容方法有：
?。?）看：有的電容損壞時會漏液，電容下面的電路板表面甚至電容外表都會有一層油漬，這種電容不能再用;有的電容損壞后會鼓起，這種電容也不能繼續(xù)使用;
（2）摸：開機后有些漏電嚴重的電解電容會發(fā)熱，用手指觸摸時甚至會燙手，這種電容必須更換;
?。?）電解電容內部有電解液，長時間烘烤會使電解液變干，導致電容量減小，所以要重點檢查散熱片及大功率元器件附近的電容，離其越近，損壞的可能性就越大。
2.電解電容的檢測方法
因為電解電容的容量比一般固定電容大得多，所以，測量時，應針對不同容量選用合適的量程。根據(jù)經(jīng)驗，一般情況下，470nF—10µF間的電容，可用R×1k擋測量;10µF—300µF的電容可用R×100擋測量;300 µF以上的電容可用R×1或R×10擋測量。
在檢測電解電容器時，要先對電容器放電，特別是對于大容量的電解電容器，可以直接短路兩個引腳進行放電。然后萬用表紅表筆接負極，黑表筆接正極，在剛接觸的瞬間，萬用表指針即向右偏轉較大偏度（對于同一電阻擋，容量越大，擺幅越大），接著逐漸向左回轉，直到停在某一位置。此時的阻值便是電解電容的正向漏電阻，此值略大于反向漏電阻。實際使用經(jīng)驗表明，電解電容的漏電阻一般應在幾百kΩ以上，否則，將不能正常工作。在測試中，若正向、反向均無充電的現(xiàn)象，即表針不動，則說明容量消失或內部斷路;如果所測阻值很小或為零，說明電容漏電大或已擊穿損壞，不能再使用。
三.半導體器件損壞的特點
1.半導體器件損壞的特點
二、三極管的損壞一般是PN結擊穿或開路，其中以擊穿短路居多。此外還有兩種損壞表現(xiàn)：一是熱穩(wěn)定性變差，表現(xiàn)為開機時正常，工作一段時間后，發(fā)生軟擊穿;另一種是PN結的特性變差。
2.半導體器件的檢測方法
用萬用表R×1k測，各PN結均正常，但上機后不能正常工作，如果用R×10或R×1低量程檔測，就會發(fā)現(xiàn)其PN結正向阻值比正常值大。測量二、三極管可以用指針萬用表在路測量，較準確的方法是：將萬用表置R×10或R×1檔（一般用R×10檔，不明顯時再用R×1檔）在路測二、三極管的PN結正、反向電阻，如果正向電阻不太大（相對正常值），反向電阻足夠大（相對正向值），表明該PN結正常，反之就值得懷疑，需焊下后再測。這是因為一般電路的二、三極管外圍電阻大多在幾百、幾千歐以上，用萬用表低阻值檔在路測量，可以基本忽略外圍電阻對PN結電阻的影響。
四.集成電路損壞的特點
集成電路內部結構復雜，功能很多，任何一部分損壞都無法正常工作。集成電路的損壞也有兩種：*損壞、熱穩(wěn)定性不良。*損壞時，可將其拆下，與正常同型號集成電路對比測其每一引腳對地的正、反向電阻，總能找到其中一只或幾只引腳阻值異常。對熱穩(wěn)定性差的，可以在設備工作時，用*冷卻被懷疑的集成電路，如果故障發(fā)生時間推遲或不再發(fā)生故障，即可判定。通常只能更換新集成電路來排除。