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T型原子層沉積鍍膜設備

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更新時間：2018-06-21 16:48:19瀏覽次數(shù)：594次

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北京維意真空技術應用有限責任公司

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產(chǎn)品簡介

設備概述:
T-ALD原子層沉積系統(tǒng)是專門為科研和工業(yè)小型化量產(chǎn)用戶而設計的多片沉積系統(tǒng)。該系統(tǒng)電氣*符合CE標準，廣泛應用于微電子、納米材料、光學薄膜、太陽能電池等領域。
產(chǎn)品優(yōu)勢:

*的軟件控制系統(tǒng)：系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設置、權(quán)限設定、互鎖報警、狀態(tài)監(jiān)控等功能于一體。

詳細介紹

一、設備概述:
T-ALD原子層沉積系統(tǒng)是專門為科研和工業(yè)小型化量產(chǎn)用戶而設計的多片沉積系統(tǒng)。該系統(tǒng)電氣*符合CE標準，廣泛應用于微電子、納米材料、光學薄膜、太陽能電池等領域。

二、產(chǎn)品優(yōu)勢:

*的軟件控制系統(tǒng)：系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設置、權(quán)限設定、互鎖報警、狀態(tài)監(jiān)控等功能于一體。

三、技術指標:

基片尺寸 12英寸及以下尺寸
基片加熱溫度室溫~300℃
前驅(qū)體源路數(shù) 標準3路前驅(qū)體管路，可選配
前驅(qū)體管路溫度室溫～200℃，控制精度±0.1℃
源瓶加熱溫度室溫～200℃，控制精度±0.1℃
ALD閥 Swagelok快速高溫ALD閥
本底真空 <5x10^-3Torr，進口防腐泵
載氣系統(tǒng) N₂或者Ar
長模式連續(xù)和停留沉積模式任意選擇
控制系統(tǒng) PLC+觸摸屏或者顯示器
電源 50-60Hz，220V/20A交流電源
沉積非均勻性非均勻性<±1%
設備尺寸 600mm x 600mm x 1100mm

四、可沉積薄膜種類:

單質(zhì)：Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
氮化物：TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
氧化物：TiO₂, HfO₂, SiO₂, ZnO, ZrO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SnO₂…
其它化合物：GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO₃,SrTaO₆…

五、ALD應用實例:

存儲容性電介質(zhì)，銅互連中高深寬比擴散阻擋層，OLED無針孔鈍化層，MEMS的高均勻鍍膜，納米多孔結(jié)構(gòu)鍍膜，特種光纖摻雜，太陽能電池，平板顯示器，光學薄膜，其它各類特殊結(jié)構(gòu)納米薄膜。

關鍵詞：電池顯示器

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T型原子層沉積鍍膜設備

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一、設備概述:
T-ALD原子層沉積系統(tǒng)是專門為科研和工業(yè)小型化量產(chǎn)用戶而設計的多片沉積系統(tǒng)。該系統(tǒng)電氣*符合CE標準，廣泛應用于微電子、納米材料、光學薄膜、太陽能電池等領域。

*的軟件控制系統(tǒng)：系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設置、權(quán)限設定、互鎖報警、狀態(tài)監(jiān)控等功能于一體。

單質(zhì)：Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
氮化物：TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
氧化物：TiO₂, HfO₂, SiO₂, ZnO, ZrO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SnO₂…
其它化合物：GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO₃,SrTaO₆…

存儲容性電介質(zhì)，銅互連中高深寬比擴散阻擋層，OLED無針孔鈍化層，MEMS的高均勻鍍膜，納米多孔結(jié)構(gòu)鍍膜，特種光纖摻雜，太陽能電池，平板顯示器，光學薄膜，其它各類特殊結(jié)構(gòu)納米薄膜。

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T型原子層沉積鍍膜設備

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一、設備概述: T-ALD原子層沉積系統(tǒng)是專門為科研和工業(yè)小型化量產(chǎn)用戶而設計的多片沉積系統(tǒng)。該系統(tǒng)電氣*符合CE標準，廣泛應用于微電子、納米材料、光學薄膜、太陽能電池等領域。

*的軟件控制系統(tǒng)：系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設置、權(quán)限設定、互鎖報警、狀態(tài)監(jiān)控等功能于一體。

單 質(zhì)：Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe… 氮化物：TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN … 氧化物：TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2… 其它化合物：GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3,SrTaO6…

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客戶評價列表

一、設備概述:
T-ALD原子層沉積系統(tǒng)是專門為科研和工業(yè)小型化量產(chǎn)用戶而設計的多片沉積系統(tǒng)。該系統(tǒng)電氣*符合CE標準，廣泛應用于微電子、納米材料、光學薄膜、太陽能電池等領域。

*的軟件控制系統(tǒng)：系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設置、權(quán)限設定、互鎖報警、狀態(tài)監(jiān)控等功能于一體。

單質(zhì)：Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
氮化物：TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
氧化物：TiO₂, HfO₂, SiO₂, ZnO, ZrO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SnO₂…
其它化合物：GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO₃,SrTaO₆…