PE型原子層沉積鍍膜設備

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更新時間：2018-06-21 17:02:31瀏覽次數(shù)：608次

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北京維意真空技術應用有限責任公司

經(jīng)營模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：79條

所在地區(qū)：北京北京市

聯(lián)系人：于磊（銷售部經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡介

PE-ALD等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)是專門為特殊應用領域的科學研究與工業(yè)開發(fā)用戶而設計的單片沉積系統(tǒng)，系統(tǒng)電氣*符合CE標準；該系統(tǒng)擴展了普通原子層沉積系統(tǒng)對前驅體源的選擇范圍、提高薄膜沉積速率和降低沉積溫度，廣泛應用于對溫度敏感材料和柔性襯底上薄膜的沉積。

詳細介紹

一、設備概述：

此系統(tǒng)包含用于原子層沉積的3路前驅體源、4通道質量流量計控制系統(tǒng)、各部件加熱器系統(tǒng)、精密控溫樣品臺系統(tǒng)等。該管式爐系統(tǒng)為熱壁反應室工藝，它的主要優(yōu)勢是在反應室側壁上所淀積的也都是高品質的ALD薄膜，熱壁反應室設備往往能阻止薄膜的早期剝離，由于從加熱的側壁脫附的反應源流量較高，從而加速了對反應空間的清潔。

此套設備可作為單獨的CVD、PECVD、ALD、PEALD使用。搭建等離子增強原子層沉+化學氣相沉積系統(tǒng)（PE-ALD-CVD），用于生長各類材料。

二、技術指標：

1. 控制閥門動作等整套系統(tǒng)采用PLC觸摸屏控制；

2. 基片加熱溫度：室溫～1000℃，升溫速率10℃/min，控制精度±1℃，可自動左右移動實現(xiàn)快速升降溫，移動速度可調實現(xiàn)階梯鍍膜。

3. 前驅體輸運系統(tǒng)：標準3路前驅體管路，可選配；

4. 前驅體預熱溫度：室溫～1000℃，控制精度±1℃；

5. 源瓶/氣體管道加熱溫度：室溫～200℃，控制精度±1℃；

6. ALD閥Swagelok快速高溫ALD閥（小可在10ms完成閥門的開啟或關閉）；

7. 管內(nèi)真空＜10Pa，可自動平衡管內(nèi)真空度；

8. 載氣系統(tǒng)N2或者Ar；

9. 生長模式：高速沉積模式和停留生長模式；

10. 等離子體源：300W；